智利纪行

智利以铜著称,是中国铜业关注的地方.尽管北京与智利首都圣地亚哥的距离是全球各国首都之间最远的两个点,但还是有一批又一批的考察团远渡重洋来到这个神秘的国度. 2008年4月,我随山东方圆集团组成的考察组从北京启程,经过两次转机与航行到达地球另一面的圣地亚哥.这是一次行程长达两万多公里,历时近36个小时,横跨了欧亚大陆、穿越非洲大陆、掠过大西洋、赤道线和南美洲的漫长旅行,再加上智利境内的考察航程,往返的行程累计起来可以绕地球一周了!     

阿基米得螺线系数选择对模拟钛弯管推扩成形的影响

采用MSC公司的Superform软件对不同阿基米得螺线系数下的热推扩进行了模拟.扩径段采用了3种不同的系数并分析了不同系数下对热推扩成形弯管的影响.结果表明:扩径变形段中心轴线采用曲率半径渐变的阿基米得螺线,有利于管坯凹面金属充分向凸面流动,避免了传统弯曲变形内侧受压增厚,外侧受拉减薄;阿基米得螺线系数a≤0.9时,环向厚度差大;a≥l.3时,容易出现起皱和45°剪切变薄.本试验范围内,a值取1.0最佳.     

国外废金属的主要分布区域

国外废金属主要分布在工业发达国家.按产生分布地区划分,大体可分为北美地区(美国、加拿大),欧洲地区(欧共体),东南亚地区(日本、韩国、台湾),俄罗斯及澳洲几大部分.     

调解的精髓在于双赢——中国国际商会调解中心为再生企业排忧解难

1987年,伴随着国际贸易、国际投资和国际经济合作业务的持续增长,各种商事纠纷和贸易摩擦的不断增加,中国贸促会成立了第一家商事调解机构--北京调解中心2000年北京调解中心正式更名为中国贸促会/中国国际商会调解中心. 中国贸促会/中国国际商会调解中心秉承"以和为贵"、"促进双赢"的调解理念,以调解的方式,独立公正地帮助中外当事人解决了大量的商事争议,成为中国商事调解领域一支最重要的社会力量.其现有中外籍在册调解员300 余名,有41家贸促会系统地方调解中心遍布在全国各地,形成了一个庞大的调解网络.整个调解网络的受案量已达 6 000余件,调解成功率达到80%.调解当事人涉及50多个国家和地区.     

梦醒在开始的地方再生产业从风雨迷茫中一路走来

资源再生、循环经济在今天可谓风光无限:国家大力提倡,企业日益重视,再生产业吸引了全社会的目光.但在从新中国成立到改革开放后二十年的时间里,资源再生还是一个没有独立构成的行业,从业人员也往往因为每天与"破烂"为伍而被人看不起.     

2007年中国机床工具行业十大新闻

1. 中央和地方省市主要领导频繁视察机床行业企业,国家为数控机床产业发展创造了空前良好的发展环境. 胡锦涛、吴邦国、温家宝、贾庆林、李长春等党和国家领导人以及辽宁、黑龙江、山东、江苏、云南、湖北、广东、陕西、浙江、天津、重庆等省市主要领导相继视察了机床工具厂和数控系统厂.各级领导频繁视察,为数控机床产业的发展创造了空前良好的发展环境.     

透析营销失败的10大原因

经验主义,没有创新 　　一些企业或个人成功后,总是喜欢用过去的思路经营新的品种.殊不知任何新品都有差异性,他们的消费对象、产品的核心卖点及表现力均是不同的,经验主义很容易使产品销售走弯路,甚至导致营销失败.作为老产品,包装也要常更新,但要沿袭原有的核心记忆点与要素,才能使市场趋于稳定,甚至增长.……     

亚熔盐法回收赤泥

采用亚熔盐法对赤泥中的Al2O3和Na2O的回收进行研究.实验第一步通过采用亚熔盐和添加适量石灰乳液回收赤泥中的Al2O3,使其中Al2O3的含量降至4.19%,Al2O3单程回收率达88%;实验第二步采用低浓度的NaOH溶液对赤泥进行深度脱钠,使得最终赤泥中Al2O3和Na2O的含量分别降到3.88%和1.39%,Al2O3/SiO2和Na2O/ SiO2相应降到0.17和0.06;经过回收Al2O3和Na2O后的终赤泥呈现出表面疏松多孔的颗粒状形貌.本研究在较低温的条件下综合回收赤泥中的Al2O3和Na2O.     

灰铸铁主要元素变量三角试片白口宽度与抗拉强度数学模型的研究

在进行灰铸铁铸造生产时,通过不断采集同一浇包中铁液所浇注的三角试片白口宽度、主要化学成分及所浇注试棒的抗拉强度,在大量试验数据的基础上,逐渐摸索出三角试片白口的宽度和C、Si、Mn含量与其抗拉强度内在数量关系,用数学归纳法得出一个灰铸铁的主要元素C、Si、Mn三因素变量与三角试片白口宽度和抗拉强度的一次回归方程。借助回归方程能迅速地预测强度,指导配料,最大限度的降低铸件的成本。     

“表面工程行业清洁生产及节能减排新技术、新装备交流会”在北京召开

近日,北京表面工程学会在北航新主楼第八报告厅召开了“表面工程行业清洁生产及节能减排新技术、新装备交流会”,学会邀请了北京中如技术有限公司曹建岭高工和北京蓝丽佳美化工科技中心李家柱研究员作学术报告,交流会由北京表面工程学会理事长朱立群教授主持,学会理事及会员代表近40人出席.     

Thermoelectric Properties of P-Type Ga2Te5 Based Compounds

采用放电等离子烧结技术(SPS)制备P型复相Ga2Te5基化合物,对其进行微观分析和热电性能测试。通过XRD分析观察到主相Ga2Te5和少量的SnTe、单质Te。在整个测试温度(319～549K)范围内,Ga2Te5基化合物的Seebeck系数、电导率和热导率都随温度的升高而降低。由于具有相对较低的热导率和较高的电导率,Ga2SnTe5在549K时取得了最高ZT值0.16。     

Optimization of thermoelectric properties of n-type Bi_2(Te,Se)_3 with optimizing ball milling time

The thermoelectric properties at elevated temperature were investigated for n-type Bi2(Te,Se)3 which is obtained from ball milling processed powder with various milling times. Electrical properties such as electrical resistivity and Seebeck coefficient are clearly dependent on milling time, in which the carrier concentration is attributed to the change of the electrical properties. The concentrations of the defects are also varied with the ball milling time, which is the origin of the carrier concentration variation. Even though finer grain sizes are obtained after the long ball milling time, the temperature dependence of the thermal conductivity is not solely understood with the grain size, whereas the electrical contribution to the thermal conductivity should be also considered. The highest figure of merit value of ZT = 0.83 is achieved at373 K for the optimized samples, in which ball milling time is 10 h. The obtained ZT value is 48% improvement over that of the 0.5-h sample at 373 K.     

Te掺杂对TiCoSb基Half-Heusler化合物高温热电性能的影响

采用固相反应法制备了Te掺杂的TiCoSb基half-Hcuslcr化合物。X射线衍射分析表明，Te掺杂的TiCoSb化合物是单相。在300～850K的温度范围内测量了材料的电阻率、赛贝克系数和热导率。结果表明：未经掺杂的TiCoSb化合物是n型半导体，在高温下有很高的赛贝克系数。在Sb位掺杂Te后，材料的电阻率和赛贝克系数的绝对值随着掺杂量的增加明显降低。材料的热导率随着掺杂量的增加而呈小幅度减小。Te掺杂后材料ZT值提高，最高的ZT值比基体提高了5倍多。     

Ga、K双掺杂P型Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3材料的制备及热电性能

采用真空熔炼和热压方法制备了Ga和K双掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电材料。XRD结果表明,Ga0.02Bi0.5Sb1.48-x Kx Te3块体材料的XRD图谱与Bi0.5Sb1.5Te3的XRD图谱对应一致,但双掺杂样品的衍射峰略微向左偏移。热压块体材料中存在明显的(00l)晶面择优取向。SEM形貌表明材料组织致密且有层状结构特征。Ga和K双掺杂可使Bi0.5Sb1.5Te3在室温附近的Seebeck系数有一定的提高,而双掺杂样品的电导率均得到了不同程度的提高,其中Ga0.02Bi0.5Sb1.42K0.06Te3样品的电导率得到较明显的改善。在300~500 K测量温度范围内,所有双掺杂样品的热导率高于Bi0.5Sb1.5Te3的热导率,在300 K附近双掺杂样品的ZT值得到提高,其中Ga0.02Bi0.5Sb1.42K0.06Te3样品在300 K时ZT值达到1.5。     

SPS法制备的三元合金Ag0.405Sb0.532Te的热电性能

采用放电等离子烧结法(SPS)制备了三元合金Ag0.405Sb0.532Te,并研究了它的输运性能,即Seebeck系数、电导率和热导率。结果表明,当温度从316K上升到548K时,电导率从7.6×104S·m-1下降到6.6×104S·m-1。在438K以上,热导率随温度上升逐渐增加,低于438K时,热导率趋于稳定,约为0.86W·(K·m)-1。无量纲热电优值ZT在548K时取得最大值0.65,稍高于Ag0.365Sb0.558Te三元合金的0.61。与掺Ag的AgxBi0.5Sb1.5-xTe3(x=0～0.4)合金相比,热电性能得到了改善。并再次讨论了AgxBi0.5Sb1.5-xTe3合金中析出的第二相Ag-Sb-Te三元合金的作用机制。     

添加Sb的Ga2Te3合金热电性能

本研究采用等摩尔分数的Sb元素替换Ga2Te3中的Ga元素,并利用放电等离子烧结技术制备Ga1.9Sb0.1Te3合金,研究其微观结构和热电性能。结果表明,添加Sb元素后,材料的Seebeck系数为130～240μV/K,明显低于单晶Ga2Te3,电导率为3600～1740??1·m?1,至少是单晶Ga2Te3的17倍,热导率提高近25%。在649K时Ga1.9Sb0.1Te3合金的热电优值(ZT)达到最大值0.1,是同温度下单晶Ga2Te3ZT值的3倍。     

Thermoelectric properties of semi-conducting compound CoSb3 doped with Pd and Te

Hot-pressed samples of the semi-conducting compound CoSb₃-doped Pd and Te were prepared and characterized by X-ray and microprobe analysis. Thermoelectric characterization was done through measurements of the electrical and thermal conductivities as well as the Seebeck coefficient between room temperature and 900 K. All samples had n-type conductivity. The dimensionless thermoelectric figure of merit ZT increases with increasing temperature and reaches a maximum value of 1 at 873 K.     

Ga、K双掺杂对N型Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)材料热电性能的影响

采用真空熔炼及热压方法制备了Ga和K双掺杂N型Bi2Te2.7Se0.3热电材料。XRD分析结果表明,Ga和K已经完全固溶到Bi2Te2.7Se0.3晶体结构中,形成了单相固溶体合金。SEM分析表明,材料组织致密且有层状结构特征。通过Ga和K部分替代Bi,在300~500 K的大部分温度范围内,Ga和K双掺杂对提高Bi2Te2.7Se0.3的Seebeck系数产生了积极的作用,同时双掺杂样品的电导率也得到明显的提高。Ga和K双掺杂样品的热导率都大于未掺杂的Bi2Te2.7Se0.3,Ga0.02Bi1.94K0.04Te2.7Se0.3合金在500 K获得ZT最大值为1.05。     

掺杂Al的(In2Te3)0.09(SnTe)0.91化合物热电性能

以等摩尔分数的Al元素替代(In2Te3)0.09(SnTe)0.91中的In元素,利用放电等离子烧结技术、采用相同的工艺制备了(In2Te3)0.09(SnTe)0.91和(In1.9Al0.1Te3)0.09(SnTe)0.912种化合物,并对两者的微观结构和热电性能进行对比。结果表明,掺杂Al元素后,材料的Seebeck系数降低很小,电导率为1×1052.3×1051·m1,是掺杂前的2.43倍,晶格热导率L值大幅度降低。在693K时,掺杂Al后的化合物ZT值达到最大值0.4,是同温度下掺杂前ZT值的2倍。     

退火对高压烧结Gd掺杂Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)纳米晶热电性能的影响

以Bi粉、Te粉、Se粉、Sb I3粉、Gd粉为原料,用高压烧结法制备了Gd掺杂的n型Bi2Te2.7Se0.3热电材料,对制备的样品分别在573、603、633 K真空退火36 h。用粉末XRD和FE-SEM研究了样品的物相及显微形貌;在298~473K范围内测定了样品的热电性能。建立了Bi2Te3基材料的禁带宽度与压力和体积的近似关系式,利用此关系式较好解释了高压烧结样品在退火前后热电性能的变化特性。研究结果表明制备的样品在退火前后均为纳米结构。高压烧结和Gd掺杂使样品晶胞尺寸变大,禁带宽度减小。退火使高压烧结样品的电导率提高,塞贝克系数增大,热导率降低。样品于633 K退火36 h后具有较好的热电性能,在423 K时其ZT达到最大值为0.74。