电流型脉宽调制控制的逆变点焊机制

设计了一种电流型脉宽调制控制的逆变点焊机，它采用绝缘栅极晶体管作为开关器件，电源结构简单，控制精度高，控制性能优良，而且所采用的各种保护措施效果良好。     

CMOS器件用金属栅材料的研究进展

传统多晶硅栅已不能适应CMOS器件尺寸进一步减小的要求,因此需要金属栅极材料来取代多晶硅.本文综述了多晶硅栅极存在的问题;金属栅极材料性能的要求;新型金属栅材料的研究进展及热点.最后提出了金属栅极材料研究中需要进一步解决的问题.     

镀铂栅极抑制电子发射性能研究

利用离子束辅助沉积（IBAD）方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜，采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba，BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能。采用XRD，EDX，XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征。实验结果表明：镀铂栅极具有明显的抑制电子发射性能，并初步探讨了离子束辅助沉积Pt膜抑制栅电子发射的机理。     

高频感应焊接逆变电源PWM和PFM软开关控制

高频感应焊接逆变电源具有体积小、效率高、加热速度快等优点,但是传统设备采用的是整流调压方式,其控制精度低、动态响应速度慢,并且逆变器功率开关管经常工作在硬开关状态,引起较大开关损耗,使效率降低.文中提出一种使用自关断器件绝缘栅极晶体管作为功率开关,采用脉冲宽度调节方式和脉冲频率调节方式混合调功方式的高频感应焊接逆变电源的软开关控制方法,详细分析了电路的控制原理和工作模式,并设计出以锁相环为核心的控制电路.结果表明,这种方法实现了全部开关器件的软开关控制,具有功率调节范围宽,软开关调整范围广的优点.     

用离子束控制材料电子发射性能及应用

研究了用离子束技术控制材料表面电子发射性能的方法，报告这一技术在抑制行波管栅极电子发射、制备场发射平板显示器阴极及改善生物医学材料凝血性能等方面的应用及结果。     

折叠波导行波管铪栅极退火温度及其性能（英文）

在充分考虑电子枪栅极的工作环境后,对铪(Hf)栅极进行了800、900和1000℃的真空退火处理,对其组织、织构特点进行了分析,并利用离子束辅助沉积技术在Ba-W阴极表面分别沉积金属钼膜和铪膜,以模拟栅控行波管中钼栅极和铪栅极表面吸附阴极蒸发物质时的表面状态,测试了这两种栅极表面"热电子发射"能力和"二次电子发射"系数。结果表明,随着退火温度的升高,铪(Hf)栅极的结晶度、晶粒尺寸增加,织构减少,铪的最佳退火温度为900℃,铪栅极表面吸附的阴极发射物质要远少于钼栅极,用金属铪作栅极材料能有效抑制栅电子发射。     

折叠波导行波管铪栅极退火温度及其性能

在充分考虑电子枪栅极的工作环境后,对铪(Hf)栅极进行了800、900和1000℃的真空退火处理,对其组织、织构特点进行了分析,并利用离子束辅助沉积技术在Ba-W阴极表面分别沉积金属钼膜和铪膜,以模拟栅控行波管中钼栅极和铪栅极表面吸附阴极蒸发物质时的表面状态,测试了这两种栅极表面“热电子发射”能力和“二次电子发射”系数.结果表明,随着退火温度的升高,铪(Hf)栅极的结晶度、晶粒尺寸增加,织构减少,铪的最佳退火温度为900℃,铪栅极表面吸附的阴极发射物质要远少于钼栅极,用金属铪作栅极材料能有效抑制栅电子发射.     

电流型脉宽调制控制的逆变点焊机研制

设计了一种电流型脉宽调制(PWM)控制的逆变点焊机,它采用绝缘栅极晶体管(IGBT)作为开关器件,电源结构简单,控制精度高,控制性能优良,而且所采用的各种保护措施效果良好.     

全桥逆变电路IGBT模块的实用驱动设计

介绍了全桥逆变电路的工作方式,探讨了IGBT的栅极特性及动态开关过程.IGBT栅-射极和栅-集极间的寄生电容与其他分布参数的综合作用会对驱动波形产生不利影响.栅极驱动电压必须有足够快的上升和下降速度,使IGBT尽快开通和关断,以减小开通和关断损耗.在IGBT导通后,驱动电压应保持在 15 V左右,保证IGBT处于饱和状态;在IGBT关断期间,IGBT的栅极需加反向偏置电压,避免IGBT的误动作.最后给出了针对全桥逆变电路IGBT模块设计的分立元件驱动电路及其实验结果.     

IGBT模块驱动及保护技术

对ＩＧＢＴ的栅极驱动特性、栅极串联电阻及ＩＧＢＴ的驱动电路进行了探讨。给出了过电流保护及换相过电压吸收的有效方法。