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采用电子束蒸发法在硅衬底或 Ba Ti O3陶瓷基片上沉积了 Ga2 O3∶Mn电致发光膜 ,并进行了不同温度热处理 ,制备了电致发光器件。用 X射线衍射 ( XRD)分析了 Ga2 O3∶ Mn薄膜晶体结构 ;用荧光分光光度计测试了电致发光器件的发射光谱。研究了 Ga2 O3∶ Mn薄膜的晶体结构与其光谱特性之间的关系。实验结果表明 ,Ga2 O3∶ Mn薄膜结晶度随热处理温度的提高而提高 ,且晶体结构和结晶取向也随之改变 ;经 5 0 0℃热处理的 Ga2 O3∶ Mn薄膜电致发光器件发绿光 ,其光谱主峰分布在 495~ 5 3 5 nm之间 ,且随驱动电压增高 ,谱峰出现蓝移现象 相似文献
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ZnS:Li_2O 薄膜的电致发光特性 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道了新型较高亮度的 Zn S:L i2 O蓝色薄膜电致发光 ;烧结了新型的蓝色发光材料 Zn S:L i2 O,用电子束蒸发制备出 Si O2 夹层结构的 Zn S:L i2 O蓝色电致发光器件 ;通过吸收光谱、电致发光光谱、激发电压与发光强度的关系等研究了 Zn S:L i2 O薄膜发光特性。认为 Zn S:L i2 O薄膜电致发光可能是由 Zn填隙和氧替硫引起的 ,氧替位能抑制通过硫空位产生的无辐射跃迁使蓝色发光增强 相似文献
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在Ga掺杂的SrS:Ce荧光粉膜中,Ga的作用是良好的助熔剂。当在高于750℃的温度下进行快速退火时,用溅射法制成的SrS:Ce,Ga,F膜的晶型由柱形变的球形。此外,晶体的粒径从50nm扩大到500nm。对在800℃时退火的SrS:Ce,Ga,F薄膜的光致发光测试表明该膜的衰减时间为25ns,这说明了Ce离子有效的地掺入了荧光粉中,因而改进了结晶度,使该荧光粉具有了优良的电致发光性能。在具有1.5μm厚的SrS:Ce,Ga,F的薄膜电致发光器件中,在60Hz下,亮度达到了155cd/m^2。此外,在BaTa2O2上绝缘层和SrS:Ce荧光粉层之间加一SiON膜层,器件可以获得高光效,光效达到e40=1.15lm/W。 相似文献
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在制作TIO/O-PPV/CuPc/Alq3/Al器件结构中,我们对可溶性PPV衍生物2-甲氧基-5-壬氧基-聚对苯乙炔(O-PPV)薄膜进行两种方法处理即:真空干燥和未干燥。结果发现,在加相同脉冲电压下(12V),经真空干燥的器件的电致发光光谱主要来自O-PPV发光;未经干燥的器件,由于空穴和电子复合区域的变化Alq3发光比例有大幅度的提高,这表明,O-PPV中残余溶剂存在,薄膜中的空载流子迁移能力比干燥的薄膜有较大的提高,电子和空穴复合区域发生变化。 相似文献
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ZnS:Ag和ZnS:Cu的薄膜电致发光特性 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了ZnS:Ag和ZnS:Cu的电致发光性质。用磁控溅射镀膜机和电子束镀膜机,分别制备了以ZnS:Ag和ZnS:Cu为发光层的夹层结构薄膜电致发光器件,测量了电致发光光谱,研究了发光强度随电压,频率变化规律。结果表明,利用ZnS:Ag和ZnS:Cu均可获得蓝色电致发光。 相似文献
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为了声表面波(SAW)器件能在高温环境(不小于1 000 ℃)中工作,该文设计并在La3Ga5SiO14压电衬底上制作Pt/ZnO/Al2O3多层复合薄膜电极,利用ZnO/Al2O3组合缓冲层增强了Pt薄膜电极在极端高温条件下的导电稳定性。制备的SAW器件在经历3次1 000 ℃高温热处理后仍保持稳定的回波损耗系数S11。实验结果表明,ZnO/Al2O3组合缓冲层结构在提高SAW器件电极高温导电稳定性方面具有一定的潜在应用价值。 相似文献
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MOCVD生长的InGaN薄膜的离子束背散射沟道及其光致发光 总被引:1,自引:0,他引:1
采用 MOCVD技术以 Al2 O3为衬底在 Ga N膜上生长了 In Ga N薄膜 .以卢瑟福背散射 /沟道 (RBS/Channeling)技术和光致发光 (PL )技术对 Inx Ga1 - x N / Ga N / Al2 O3样品进行了测试 ,获得了合金层的组分、厚度、元素随深度分布、结晶品质及发光性能等信息 .研究表明生长温度和 TMIn/ TEGa比对 In Ga N薄膜的 In组分和生长速率影响很大 .在一定范围内 ,降低 TMIn/ TEGa比 ,In Ga N膜的生长速率增大 ,合金的 In组分反而提高 .降低生长温度 ,In Ga N膜的 In组分提高 ,但生长速率基本不变 . In Ga N薄膜的结晶品质随 In组分的增大而显著下降 ,In Ga N薄膜 相似文献
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采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备了氧化镓(Ga2O3)薄膜.利用X射线衍射仪和紫外-可见-红外分光光度计分别对Ga2O3薄膜的晶体结构和光学带隙进行了表征,并在室温下测量了 Ga2O3薄膜的光致发光(PL)谱.结果表明:制备的Ga2O3薄膜呈非晶态.吸收边随着溅射气压的增加先蓝移后红移,光学带隙值范围为5.06~5.37 eV,溅射气压为1 Pa时,制备的Ga2O3薄膜具有最大的光学带隙.在325 nm激光激发下,400 nm附近和525 nm附近处出现与缺陷能级相关的发光峰. 相似文献