双极晶体管X射线辐射剂量增强效应

本文介绍典型双极晶体管在Ｘ射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应，实际测量了双极晶体管Ｘ射线辐射剂量增强系数，研究了双极器件剂量增强效应机理。     

CMOS电路X射线辐射剂量增强效应

研究了ＣＭＯＳ电路在Ｘ射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应，测量了相对剂量增强系数，对不同工艺ＣＭＯＳ电路的剂量增强系数进行了比较，并对高原子序数材料的Ｘ射线剂量增强机理进行了讨论。     

X射线剂量增强环境下电子系统辐射效应和加固

本文研究在Ｘ射线剂量增强环境下电子系统的薄弱性及应采取的加固方法，给出了组成电子系统各类器件和集成电路剂量增强系数，从实验结果出发，指出最佳的屏蔽Ｘ射线的方法。     

三种肿瘤细胞对γ射线辐射敏感性的比较

选取对数期生长细胞接受0～6Gy^60Coγ射线照射。用克隆形成法检测细胞的存活率，并比较三种细胞的D50（细胞存活分数为50％时的剂量），以衡量细胞的辐射敏感性。同时，以α/β值作为标准衡量了三种细胞的修复能力并与各自的辐射敏感性进行了对比。结果显示，在0～6Gy剂量范围内，三种细胞的辐射敏感性呈现一定差异，在相同的剂量照射下，SMMC-7721细胞的存活分数最高，而A375细胞的存活分数最低。从剂量-存活曲线可以计算出SMMC-7721、HeLa和A375三种细胞的D50分别为2．3、1．9和1．2Gy；其α/β分别为0．36、2．35和5．6。表明三种细胞的辐射敏感性由高到低依次为A375、HeLa、SMMC-7721，而其修复能力由高到低依次为SMMC-7721、HeLa、A375。     

DNA-PKcs基因组不稳定性和辐射超敏感性

本研究旨在揭示DNA-PKcs(DNA损伤修复的关键酶之一)与基因组不稳定性、辐射超敏感性的关系。以人神经胶质瘤细胞系M059K(DNA-PKcs野生型)和M059J(DNA-PKcs缺陷型)为实验模型,用常规克隆形成法测定细胞存活率、cytochalasin-B(细胞松弛素B)阻断-微核法跟踪克隆形成过程中基因组不稳定性变化。实验结果表明,存在辐射超敏感性的DNA-PKcs野生型细胞M059K在0.2Gy辐照后随着培养时间的延长基因组不稳定性与0.6Gy辐照水平一致;不存在辐射超敏感性的DNA-PKcs缺失型细胞M059J经0.6Gy辐照后,基因组不稳定性水平明显高于0.2Gy辐照。这些结果提示,DNA-PKcs可能是导致辐射超敏感性的关键因素之一。     

低能γ射线和X射线在几种金属薄膜中产生的次级辐射效应研究

对电子,低能γ射线和Ｘ射线穿透几种不同厚度的Ｆｅ,Ｃｕ和Ｔａ薄膜时所产生的次级电子及次级Ｘ射线进行了实验测量,并对影响次级电子和次级Ｘ射线强度的因素进行了分析。     

靶向MDM2反义寡核苷酸增强肺癌细胞A549的辐射敏感性

放射治疗在肺癌的治疗中起着重要的作用。然而，提高肺癌的治愈率是一个重要的课题。MDM2基因在肿瘤的形成和增殖过程中起着重要的作用，可能是一个重要的靶基因。本研究自行设计了针对MDM2的反义核酸药物，通过RT-PCR和Western blotting检测其抑制效率，然后通过流式细胞仪观察转染细胞受5Gy照射后的细胞死亡情况，MTT观察细胞照射后的增殖能力。结果发现通过反义治疗的策略成功降低了MDM2在肺癌细胞中A549中的表达，这导致了A549细胞辐射敏感性的增加。表明MDM2参与了A549的辐射抗性的形成，靶向MDM2的反义寡核苷酸可以增强肺癌细胞A549的辐射敏感性。     

X射线低剂量多次辐射对小鼠外周血淋巴细胞的影响

为了评估低剂量多次辐射对健康机体产生的生物学风险,检测了X射线多次照射对BALB/c小鼠免疫系统的影响.采用X射线全身多次照射,第1天照射0.07 Gy,之后每天照射0.08 Gy共12 d,剂量率0.2 Gy/min,累积剂量为0、0.07、0.23、0.39、0.55、0.71、0.87和1.03 Gy时取样.照射24 h后取血,用流式细胞仪检测外周血中免疫细胞周期和死亡的变化.结果表明,外周血淋巴细胞的周期在0.39和1.03 Gy时,被阻滞在G2/M期,在0.07、0.23、0.71和0.87Gy时,被阻滞在G0/G1期;细胞的死亡随着累积剂量的增加而增加,在0.71Gy时达到峰值.经过X射线多次全身照射小鼠后,可引起外周血淋巴细胞周期和死亡比例发生变化,符合线性平方模型,造成其免疫系统一定的损伤.     

荧光X射线参考辐射的优化

在荧光X射线参考辐射场中,射线的强度和纯度会受到机械装置本身、辐射体厚度、次级过滤厚度、X光机管电压的影响。在优化设计参考辐射装置结构的基础上,通过理论分析计算和蒙特卡罗模拟,得到荧光强度和纯度随辐射体和次级过滤厚度的变化,并对X光机管电压对荧光强度和纯度的影响进行了测量。结果显示:F-Cs这一辐射质,当辐射体Cs2SO4的厚度大于490μm时,荧光强度达到饱和;当次级过滤Te O2的厚度约为327μm时,荧光纯度最高;荧光强度随X光机管电压的升高而增加,纯度随管电压的升高而降低。     

工业X射线探伤机泄漏辐射调查与不合格产品的改进措施

本文介绍对北京地区使用和工业Ｘ射线探伤机泄漏辐射情况进行调查的方法与结果，共抽查了北京、上海等地８个厂家生产的２１台探伤机，其中北京、丹东和日本厂家生产的１６台，均为气体冷却的便携式探伤机，上海和德国生产的５台，为水冷或油冷却探伤机。用ＦＪ－３４７Ａ型Ｘ、γ剂量仪对探伤机Ｘ射线管头距靶１ｍ处的泄漏辐射空气比释动能率进行了测试。调查测试结果表明，依据我国机械工业部１９８５年发布的专业标准，５台水冷或