空间生长半绝缘GaAs单晶的器件研究

试图从器件应用角度来评价空间生长半绝缘ＧａＡｓ单晶性能。为此我们选择了设计制备相对成熟、对材料性能要求的侧重面又不尽相同的器件和ＩＣ，并选择了六个与材料关系密切的参数作为评价的标称参数。实验结果表明，空间生长的半绝缘ＧａＡｓ单晶的全面电性能均优于常规ＩＥＣ半绝缘ＧａＡｓ单晶。     

GaAs高频器件及MMIC应用与市场探讨

主要阐述了GaAs系高频器件及其MMIC在民品中的应用实例 ,以及GaAsMMIC的民品市场探讨。     

1992年IEEE GaAs IC国际会议简介

<正>1992年第14届IEEE GaAs IC国际年会,于1992年10月3日～7日在美国迈阿密海滩(MIAMI BEACH)召开。10月3日～4日为短期讲课(short course),主题是HBT的原理、工艺制作和应用等。10月5日～7日为讨论会,中间穿插了产品展示会,有44家半导体器件、材料、设备和仪器厂家参展。     

砷化镓MESFET器件的模拟

对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的工艺作了具体分析，认为模拟 的关键是要正确描述注入原子的激活率，适移率，载原子分布及再分布，针对这几个问题，以实验结果为依据对ＰＩＳＣＥＳＩ－Ａ模拟程序作了改进，这个改进证明是成功的。     

世界电信市场

本文从宏观上概述了世界电信市场的规模，地域分配，竞争格局，分析了ＷＴＯ与电信的关系，并提出了电信市场的开发放应与本国经济发展水平同步的观点。     

超高速GaAs IC研制动态

本文叙述了最近几年国外研制超高速GaAs器件和IC的成果以及开发新技术的状况。     

日本电信市场与电信改革

近年来，日本电信市场除在规模上迅速增长外，在结构上也经历了重大的变化：移动通信迅猛发展，用户数已超过固定用户数；数据通信的业务量正在超过话音业务量。在电信改革方面，各电信公司纷纷进行重组；废除了对外资的限制；政府机构也进行了改革，新成立的MPHPT部明确了电信与邮政各局、处的工作。然而，日本的电信改革尚未完成，仍面临着种种挑战。     

宽禁带半导体材料及器件

以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子、光电子技术的迅猛发展,然而受材料性能所限,用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的热环境下工作,且抗辐射、耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围等都不能满足现代电子技术发展对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射、能发射蓝光等提出的新要求。而以SiC、GaN、金刚石为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电压高、     

n型GaAs上的欧姆接触

本文介绍了欧姆接触的原理及测试方法，着重概述了近几年来在ｎ型ＧａＡｓ上制备欧姆接触所做的研究工作，介绍了改善欧姆接触特性的途径和方法。     

世界电信市场规模

本文通过大量的数据，详细介绍了世界电信市场的两个组成部分，电信业务市场和电信设备市场，特别是电信业务市场的７个特点。最后，还列出了１９９２年全球电信投资的划分情况。     

印度开放电信市场

近年来,印度政府的通信政策有了积极的转变:国内长途通信市场已于去年8月对私营电信公司开放,国际长途市场预定在2002年3月开放.印度政府还降低了有线和无线电话设备的关税和营业税,并大幅度降低了光缆的关税.这些积极的政策,将有力地加速印度电信市场自由化进程.     

未来电信市场展望

在今后5年内,任何事情都将发生变化。电路交换将退出历史舞台,包交换成为构建公众网络的唯一途径,不管人们愿意与否,它确实已渗透到了每一个国家、个人、跨国企业、服务提供商、政府、竞争对手和用户。与此同时,新一代网络模式将于今后两年内出台。在这场激     

改善GaAs MESFET性能的新途径

尽管ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ研制工艺已经成熟，但随着电子系统性能不断提高，对器件的要求也越来越高。本文介绍了用于改善ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ特性的几种新途径。     

世界电信市场发展趋势浅析

本文从电信经营管理体制、市场引入竞争、新业务的开发以及海外市场拓展四个方面浅述了近年来世界电信市场的发展趋势。     

GaAs器件的离子注入新技术研究

本文介绍了离子注入技术中双偏角注入,大偏角注入和双向双偏注入等新工艺与使用效果。同时,阐析了BF~+对Si~+注入的沾污,以及以上研究在研制高水平GaAs器件中的关键作用。     

中国台湾电信市场现状

台湾电信市场的开放大致分四个阶段,从1995年起,陆续开放了移动通信、卫星通信及固定通信等多种业务。固网市场,2001年新世纪资通、台湾固网和力霸宽频电信的加入打破了中华电信的独家垄断,开始形成四强竞争的新局面。移动领域,1997年底6家运营商8张民营执照的发放开始了该领域史无前例的竞争。在2001年1月,台湾大哥大、远致电信、亚太行动宽频、联邦电信和中华电信获得了3G执照,累计竞标金额达488.99亿元(新台币)。     

微波GaAs场效应晶体管静电失效的机理及提高其抗静电的…

本文对微波小功率ＧａＡｓ场效应晶体管的静电失效机理进行了分析。文中对两种静电失效模式（电压型强电场失效和功率型大电流失效）分别进行了分析和阐述。针对ＧａＡｓ场效应晶体管的失效机理提出了改进措施。