5.8GHz WLAN CMOS双平衡混频器的设计

介绍了基于0．18μm CMOS工艺的802．11a无线局域网（WLAN）有源双平衡混频器的设计方法。该混频器射频（RF），本振（LO）和中频（IF）信号频率分别为5．8GHz，4.6GHz和1．2GHz。仿真结果显示：在1．8V电压下；变频增益为4．27dB，单边带噪声系数为10．73dB，1dB压缩点为-13．18dB，三阶输入截点为-3．04dB，功耗为32．4mW，芯片面积为1．8mm×1mm。     

基于CMOS工艺的低噪声、高增益混频器

基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高增益的混频器.通过在吉尔伯特单元中的跨导级处引入噪声抵消技术以降低混频器的噪声;并且在开关管的源级增加电流注入电路的基础上并联一个电容与开关管共源节点处的寄生电容谐振,进一步降低混频器的噪声,增大电路的增益.仿真结果表明,在本振（LO）频率为2.395 GHz,射频（RF）频率为2.4GHz时,混频器的增益为14.2dB,双边带噪声系数为5.9dB,输入三阶交调点为-3.2dBm.混频器工作电压1.8V,直流电流为8mA.     

基于802.11a协议的无线局域网低噪声放大器和改进的有源双平衡混频器

提出了采用0.18μm CMOS工艺,应用于802.11a协议的无线局域网接受机的低噪声放大器和改进的有源双平衡混频器的一些简单设计概念。通过在5.8 GHz上采用1.8 V供电所得到的仿真结果,低噪声放大器转换电压增益,输入反射系数,输出反射系数以及噪声系数分别为14.8 dB,-20.8 dB,-23.1 dB和1.38 dB。其功率损耗为26.3 mW。设计版图面积为0.9 mm×0.67 mm。混频器的射频频率,本振频率和中频频率分别为5.8 GHz,4.6 GHz和1.2 GHz。在5.8 GHz上,混频器的传输增益,单边带噪声系数（SSB NF）,1 dB压缩点,输入3阶截点（IIP3）以及功率损耗分别为-2.4 dB,12.1 dB,3.68 dBm,12.78 dBm和22.3 mW。设计版图面积为1.4 mm×1.1 mm。     

基于SiGe HBT工艺的GNSS接收机混频器设计

针对目前国内RFIC发展比较滞后的现状,设计了3款应用于GNSS接收机的基于0．5μm SiGe HBT工艺的混频器（Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ）,并采用针对混频器的优良指数FOM（figure—of-merit）对这3个混频器进行结构和综合性能比较。3款混频器的供电电压为3-3V,本振LO输入功率为-10dBm,其消耗总电流、转换增益、噪声系数、1dB增益压缩点依次为：Ⅰ）8．7mA,15dB,4．1dB,-17dBm;Ⅱ）8．4mA,10dB,4．6dB,-10dBm;Ⅲ）5．4mA,11dB,4．9dB,-10dBm。而3款混频器的FOM分别为-57．8、-56．6、-54．3,表明混频器Ⅲ的综合性能最佳,混频器Ⅱ次之,最后为混频器Ⅰ。     

大动态范围有源上变频混频器可取代无源混频器

凌力尔特公司（Linear）新推出的大动态范围有源上变频混频器LT5579可取代目前市场上最好的无源混频器。该器件1．5GHz～3．8GHz的宽频率范围覆盖了1．9GHz蜂窝频带以及2．6GHz和3．5GHz WiMAX频带。在2．14GHz时，该器件具有27．3dBm输出IP3线性度和9．9dB噪声指数，实现了较大的发送器动态范围。另外，该混频器具有2．6dB变频增益，这是同类器件中最好的。LT5579集成了本机振荡器（LO）缓冲器，     

高线性度下变频SiGe混频器

MAX19996A是带有片内LO缓冲器的完全集成、2000～3900MHz下变频混频器。其提供完全集成的下变频通道，具有＋24．5dBm（典型值）ⅡP3、8．7dB（典型值）转换增益和9．8dB（典型值）噪声系数。     

一种低功耗、高线性、双正交可调谐CMOS上变频混频器

针对便携式无线发射机的应用，给出了一种低功耗、高线性、双正交可调谐上变频混频器，采用双正交结构降低了电路对正交信号产生器失配的灵敏度。通过调节混频器的增益降低了电路对混频器增益失配的灵敏度，从而可以实现较高的镜像信号抑制。给出了该混频器应用于2．4GHz WLAN的电路拓扑，并使用UMC 0．18μm CMOS工艺作了仿真。在1．8V工作电压下，该混频器输出1dB压缩点为3．3dBm，功率转换增益为0．2dB，而功耗只有2．6mW。     

应用于S波段AESA的射频收发前端设计

采用0．18μm Si RFCMOS工艺设计了应用于s波段AESA的高集成度射频收发前端芯片。系统由发射与接收前端组成,包括低噪声放大器、混频器、可变增益放大器、驱动放大器和带隙基准电路。后仿真结果表明,在3．3V电源电压下,发射前端工作电流为85mA,输出ldB压缩点为5．0dBm,射频输出在2～3．5GHz频带内电压增益为6．3～9．2dB,噪声系数小于14．5dB;接收前端工作电流为50mA,输入1dB压缩点为-5．6dBm,射频输入在2～3．5GHz频带内电压增益为12—14．5dB,噪声系数小于11dB;所有端口电压驻波比均小于1．8：芯片面积1．8×2．6mm0。     

一种宽带单平面共面波导／槽线平衡混频器

本文采用共面波导／槽线混合环研制了一种宽带单平面平衡混频器，并得到了较好的实验结果。混频器的最佳变频损耗小于5．5dB，信号端口和本振端口的隔离度在4．0～5．2GHz频带内约为20．0dB，信号端口电压驻波比在3．8～5．5GHz频带内小于2．0，中频输出端口的电压驻波比在中频低于550MHz时小于2．0。     

1-18GHz微带巴伦双平衡混频器

本文介绍了一种微带巴伦多倍频程微波集成双平衡混频器。它是由宽带微带巴伦和二极管电桥组成。这种微带巴伦双平衡混频器显示了良好的噪声特性和隔离特性。在1-18GHz工作频率范围内,最大双边带噪声系数为8.7dB,平均双边带噪声系数约6dB;本振端一信号端、本振端一中频端隔离度均大于15dB。     

JZC350混凝土搅拌机拌筒及叶片设计

简述JZC350搅拌机搅拌系统结构组成，计算了拌筒的几何容积，探讨了拌筒内叶片面积及数量对搅拌质量的影响，并确定了该机型叶片型式及数量。     

Ka频段宽带镜频抑制谐波混频器的设计

介绍了一种在Ka频段具有镜频抑制功能的四次谐波混合集成电路混频器的设计与实现.该混频器主要采用微带混合集成电路,由薄膜陶瓷基片制作.经测试,当中频固定在70 MHz,在射频大于4 GHz带宽内,变频损耗小于11.2 dB,镜频抑制度大于20 dB.     

A Low-Noise, High-Gain Single-Ended Input Double-Balanced Mixer

A noble single-ended input, double-balanced mixer topology is proposed. The mixer adopts a transconductance stage that amplifies the input and then converts it into differential currents leading to overall performance advantage compared to prior CG(common-gate)-CS(common-source)-based transconductance-stage mixer topologies without requiring additional power dissipation or extra transistor. The key specifications are compared with those of reported similar topologies, based on simulations.     

An ultra-broadband distributed passive gate-pumped mixer in 0.18μm CMOS

A broadband distributed passive gate-pumped mixer(DPGM) using standard 0.18μm CMOS technology is presented.By employing distributed topology,the mixer can operate at a wide frequency range.In addition,a fourth-order low pass filter is applied to improve the port-to-port isolation.This paper also analyzes the impedance match and conversion loss of the mixer,which consumes zero dc power and exhibits a measured conversion loss of 9.4—17 dB from 3 to 40 GHz with a compact size of 0.78 mm~2.The input referred 1 dB compression point is higher than 4 dBm at a fixed IF frequency of 500 MHz and RF frequency of 23 GHz,and the measured RF-to-LO, RF-to-IF and LO-to-IF isolations are better than 21,38 and 45 dB,respectively.The mixer is suitable for WLAN, UWB,Wi-Max,automotive radar systems and other millimeter-wave radio applications.     

一种基于0.18-μm CMOS 工艺的超宽频带分布式无源栅注入混频器

本文介绍了一种基于0.18-μm CMOS 工艺的宽带无源分布式栅注入混频器。通过采用分布式拓扑结构,该混频器具有很宽的工作频带;中频输出端口使用了一个4阶低通滤波器,从而极大地提高端口之间的隔离度。此外,文中还分析了混频器的阻抗匹配与转换损耗。测试表明：该混频器在3GHz到40GHz频率范围工作时的转换损耗为 9.4 ~ 17 dB,零直流功耗,其芯片面积为0.78 mm2。在射频频率为23GHz固定中频频率为500MHz时的输入参考1dB压缩点大于4dBm。在整个工作频带内,其射频到本振端口、射频到中频端口及本振到中频端口的隔离度分别大于21dB, 38dB,45dB。该混频器适用于WLAN,UWB,Wi-Max,车载雷达系统和其它毫米波射频的相关应用。     

一种鳍线混频器的设计

研究一种用于近程雷达的毫米波混频器的设计,电路结构上采用简单易于实现的单端混频器结构,通过环行器来实现本振和信号的输入,环行器的功率分配可根据雷达的作用距离来进行设计,采用鳍线结构来实现混频器的匹配输入,通过一个滤波电路来实现中频输出,尽可能地减小混频损耗.经测试,当工作频率为30 GHz时,变频损耗仅为6 dB.     

High‐Gain Double‐Bulk Mixer in 65 nm CMOS with 830 pW Power Consumption

A low‐power down‐sampling mixer in a low‐power digital 65 nm CMOS technology is presented. The mixer consumes only 830 µW at 1.2 V supply voltage by combining an NMOS and a PMOS mixer with cascade transistors at the output. The measured gain is (19 °1 dB) at frequencies between 100 MHz and 3 GHz. An IIP3 of ?5.9 dBm is achieved.     

微混合器研究进展

微混合器作为微全分析系统重要的组成部分,是目前微机电系统(MEMS)领域内的研究热点。文章介绍了微混合器的设计要求与目标、加工方法与材料的选择、微混合的特点与混合机理。微混合器一般可分为主动混合器与被动混合器,基于此分类方法,文章综述了微混合器的国内外研究现状,并讨论了目前研究中存在的一些问题,展望了微混合器的研究前景。     

混频器双音交调特性分析

分析了混频器的双音交调特性,提出混频器的双音无虚假动态范围受双音四阶交调虚假中频信号的限制。实验验证了理论分析。     

数字电视前端系统总混合与分配改造探讨

分析数字电视前端系统总混合、分配架构,解决了设计上的缺陷和优化了数字电视网络结构,提高了数字电视系统信号传输的安全性。