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美国著名的大功率直热式发射三极管100TH是球体造型,功耗为100W,该管特性与大功率直热三极管805、808等相似。采用100TH大功率三极管制成的单端A类双声道功率放大器,音乐韵味特别浓郁,谐音丰富,低音浑厚有力,高音穿透力强,声场再现能力出色,其输出功率为28W×2。 相似文献
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东芝(Toshiba)813为直热式大功率束射四极管,其性能与RCA813、Russia 4813和国产FUl13相同。该功放管的最大功耗为220W。将大功率束射四极管东芝改为高保真三极管接法以后,其特性与大功率直热三极管211、845、STC4212E相近。采用东芝813制成的单端A2类功放输出功率强劲,音乐韵味浓郁,高低音分明,音域宽广,最大输出功率为21W。 相似文献
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采用1~3W大功率LED来取代φ5小功率LED做各种照明灯具不仅仅输出功率大,并且可靠性好。因此近年来相应开发出各种大功率LED驱动器或LED驱动控制器IC以满足市场的需要。如果采用大功率LED驱动器模块则更为方便,并且可靠性更好,效率更高。本文介绍RECOM公司开发的RCD-24系列1~3W大功率LED功率驱动模块系列。 相似文献
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美国著名的CARY SL1—80电子管功率放大器,是一款输出功率强劲的合并式功放,采用美式大功率束射四极管6550(KT88),其最大输出功率可达80W 80W,该功放机造型新颖,性能卓越,深受国际音响界人士的好评。 相似文献
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提出采用 自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题.基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通过在AlN陶瓷基板上生长隔离金属岛制备自隔离散热基板.采用多胞串并联网络结构设计大功率倒装单片集成LED芯片,芯片尺寸为1.5 mmx4.5 mm.在200 mA的驱动电流下,大功率倒装单片集成LED芯片的正向电压为8.3 V,反向漏电流小于100 nA.当输入电流为2 A时,大功率倒装单片集成LED芯片的输入功率为20W,其最大光输出功率为8.3 W,插墙效率为42.08%,峰值热阻约为1.23 K/W,平均热阻约为1.17 K/W. 相似文献
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采用双管芯推挽工作,积木功率模块、大功率微带合成电路以及有效的热设计,在L波段可获得100W的输出功率,为设计更大功率的全固态功率放大器打下了良好基础。 相似文献
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采用超薄贴合技术,通过改进封装散热结构来解决大功率倒装发光二极管(LED)芯片散热和电学绝缘之间的矛盾。采用串并联的内部拓扑结构和三角电极原理开发了一款尺寸为5 mm×5 mm的单片集成大功率倒装LED芯片。使用起芯片电学延伸作用的金属片和绝缘导热凸台这一散热结构对LED芯片进行封装。在驱动电流为0.1 A时,芯片的开启电压为29 V,芯片可正常发光。在2 A的恒流电源驱动下,芯片到散热器的峰值热阻为0.44 K/W,平均热阻为0.38 K/W。加装透镜后,蓝光LED的插墙效率达到42%,白光LED的光效达到86.19 lm/W。使用超薄贴合技术成功地制备了75 W单片集成大功率倒装LED,为开发单片集成大功率LED提供了有效的途径。超薄贴合技术对单片集成大功率倒装LED的发展具有一定的推动作用。 相似文献
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美国无线电公司的RCA810大功率直热式三极电子管,该管特性与805、833等大功率三极管相似,该管的功耗为150W。
采用RCA810大功率三极管制成的单端A类功率放大器,其最大输出功率可达45W。该功放谐音丰富,音乐韵味浓郁,低音强劲有力,中音声底厚实,高音穿透能力强。 相似文献
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本文为了验证大功率功率放大器在强迫风冷散热方式下的散热效果,设计了一款基于推挽式结构的大功率放大器,通过理论分析计算散热方案,使用ICEPAK散热软件仿真验证理论计算结果。考虑到功放耗散功率较大,最终采用强迫风冷和热沉的散热方式对功放进行散热。本文设计基于LDMOS功率管型号为MRF13750H,仿真设计在单频点915 MHz,输入功率35dBm时,输出功率达615W,效率为74%,耗散功率约达290 W,理论计算所需风机的风量大小为2.54 m3/min。ICEPAK软件进行仿真在耗散功率在300 W时,功率管温度为71.25℃,风机工作点为3.86 m3/min,工作静压力为201 Pa。仿真验证满足设计要求。 相似文献
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为满足大功率组件中功率合成的需求,设计加工了一款表贴式超宽带大功率电桥。该电桥采用蛇形带状线,优选低损耗、高热导率的介质板(SJ9350H),降低介质厚度等方法,极大地减小了器件尺寸。同时采用多节定向耦合器结构,利用各节耦合器反射波彼此抵消原理,实现了超宽带特性。在电桥端口处进行半开帽处理,可将内部热量通过介质传导和空气对流方式散发出去,提升了电桥的耐功率能力。文中还采用COMSOL多物理场软件对大功率工作状态下电桥的电场与温度进行了电热联合仿真。测试结果表明,该表贴式超宽带大功率电桥的工作频带为0.2~1.0 GHz,电压驻波比小于1.3,插损小于0.6 dB,平均抗烧毁功率大于350 W。 相似文献
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