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随着数模混合电路在无线应用领域的发展,三阱工艺噪声隔离优点引起设计师的广泛兴趣。RF技术必须把在P-衬底上的模拟、数字和RF电路进行隔离。本文主要讨论三阱(Triple-Well)工艺的电路单粒子闩锁问题。 相似文献
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在太空辐射环境中,总剂量辐射(Total Ionizing Dose,TID)效应和单粒子闩锁(Single Event Latch,SEL)效应严重影响存储器的可靠性.由此讨论了存储单元TID效应和SEL效应的原理,探讨了基于电路的加固技术(RHBD),设计了4种新的抗TID/SEL存储单元加固方案,并和现有几种方案进行对比,研究了这些加固方案的面积代价.研究结果表明,抗TID/SEL RHBD方案普遍会使存储单元的版图面积增加87.5%以上.提出了一种加固方案,可以在加固性能和面积代价上得到较好的折衷. 相似文献
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CMOS有源像素图像传感器的辐照损伤效应 总被引:3,自引:1,他引:2
互补金属氧化物半导体(CMOS)有源像素(APS)图像传感器作为光电成像系统的核心器件,被广泛应用在空间辐射或核辐射环境中,辐照损伤是导致其性能退化,甚至功能失效的主要原因之一。阐述了不同辐射粒子或射线辐照损伤诱发CMOS APS图像传感器产生位移效应、总剂量效应和单粒子效应的损伤物理机制。综述和分析了辐照损伤诱发CMOS APS图像传感器暗信号增大、量子效率减小、饱和输出电压减小、噪声增大以及暗信号尖峰和随机电码信号(RTS)产生的实验规律和损伤机理。归纳并提出了CMOS APS图像传感器辐照损伤效应研究亟待解决的问题。 相似文献
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对辐射感应闭锁窗口现象的解释 总被引:1,自引:0,他引:1
中、大规模CMOS器件受到瞬态辐射时,出现了闭锁单窗口、多窗口现象。为了获得闭锁窗口的出现原因,借助对窗口现象的有关参考文献的研究,利用计算机电路模拟软件,分析了CMOS器件多个闭锁路径之间的相互作用。在此基础上,提出了解释窗口现象的“三径”闭锁模型。应指出的是,该闭锁模型还需要试验上的进一步验证与支持。 相似文献
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通过对CMOS数字电路器件及RF脉冲扰乱效应的模拟分析,比较了注入不同频率与功率的RF扰乱脉冲时对CMOS反相器输出逻辑电平扰乱甚至翻转的效应过程。 相似文献
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A systemic solution for radiation hardened design is presented. Besides, a series of experiments have been carried out on the samples, and then the photoelectric response characteristic and spectral characteristic before and after the experiments have been comprehensively analyzed. The performance of the CMOS image sensor with the radiation hardened design technique realized total-dose resilience up to 300 krad(Si) and resilience to single-event latch up for LET up to110 MeV·cm2/mg. 相似文献