高纯氧化铝陶瓷材料的焊接性能研究

分别采用Ti—Ag—Cu活性金属法、Mo—Mn高温金属化法及氧化物焊料法对高纯氧化铝陶瓷-金属进行焊接实验。结果发现，高纯氧化铝陶瓷的焊接性能较好，适应性较强，其焊接工艺可以采用目前较为成熟的95％Al2O3陶瓷焊接工艺。     

透明氧化铝陶瓷金属化与封接实验研究

本文采用传统的活化Mo-Mn法对透明氧化铝陶瓷进行了金属化与封接实验。结果表明,传统的活化Mo-Mn法可以实现透明氧化铝的金属化,并能够获得气密、可靠的陶瓷-金属封接件。金属化层与陶瓷之间的结合主要来源于金属化层中的玻璃态物质对陶瓷表面良好的润湿性。     

99％氧化铍陶瓷活化Mo-Mn金属化机理研究

采用活化Mo-Mn法对99％氧化铍陶瓷进行了金属化实验和抗拉强度实验.封接强度实验结果表明,活化Mo-Mn法适合99％氧化铍陶瓷金属化封接,其焊接强度与氧化铝陶瓷相当.通过对99％氧化铍陶瓷金属化层的显微结构及金属层中的元素在金属层及陶瓷中的分布情况分析,探讨了99％氧化铍陶瓷Mo-Mn金属化机理.研究发现,99％氧化铍陶瓷金属化时,在氧化铍陶瓷和Mo海绵骨架中间形成了一层约3μm的过渡层,金属化层的Mo海绵骨架结构通过过渡层与氧化铍陶瓷基体紧密连接.     

等静压电真空陶瓷管壳的研制与性能探讨

研究了不同氧化铝含量的电真空陶瓷管壳配方组成与性能的关系,分析了等静压工艺技术生产电真空陶瓷管壳的诸多因素,并对等静压工艺生产电真空陶瓷管壳的工艺控制、氧化铝含量与性能的关系以及对陶瓷金属化适应性进行了探讨.等静压成型工艺是提高电真空陶瓷管壳综合性能的必要手段,等静压电真空陶瓷管壳氧化铝含量对其机械性能、电性能、金属化适应性有直接影响.     

烧成制度对氧化铝陶瓷性能的影响

通过改变氧化铝陶瓷的烧成制度,对同配方的氧化铝陶瓷进行了体积密度、抗折强度、体积电阻率、金属化抗拉强度等试验,探讨了烧成制度对氧化铝陶瓷相关性能的影响,确定了一种适用于金属化的氧化铝陶瓷的烧成制度.     

高纯氧化铝陶瓷表面形貌对Mo-Mn法金属化封接强度的影响

本文通过不同烧结温度制备出两种显微结构的高纯Al2O3陶瓷,采用四种不同的加工方式,制备出不同表面状态的高纯Al2O3陶瓷样品.利用轮廓仪测量样品表面粗糙度,并利用扫描电镜对其表面显微形貌进行分析.然后,将各种不同表面形貌的高纯Al2O3陶瓷进行高温Mo-Mn法金属化,并用Ag焊料进行封接.最后,测试出不同表面形貌的高纯Al2O3陶瓷金属化封接强度,进而研究高纯氧化铝陶瓷表面形貌对其Mo-Mn金属化封接强度的影响.结果发现,表面未加工高纯Al2O3陶瓷金属化封接强度高、一致性最好.     

镁铝尖晶石陶瓷的高温Mo-Mn金属化机理研究

采用活化Mo-Mn法对镁铝尖晶石陶瓷进行了金属化封接实验,并通过对镁铝尖晶石陶瓷金属化层的显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中分布情况的分析,探讨了镁铝尖晶石陶瓷的Mo-Mn金属化机理。研究发现,镁铝尖晶石瓷的金属化机理与目前较成熟的95%氧化铝瓷的金属化机理存在很大不同。镁铝尖晶石瓷金属化时,Mn元素沿晶界实现固相扩散迁移,固溶于瓷中,与镁铝尖晶石形成Mn:Mg Al2O4尖晶石相;同时,Mg元素沿晶界析出进入金属化层的玻璃相,填充于Mo海绵骨架中。     

氧化铝陶瓷Mo-Mn金属化探讨

参考相关文献报道,本文对氧化铝陶瓷钼-锰金属化工艺中,气氛和玻璃相迁移对金属化质量的影响进行了简单评述,并指出了批量金属化生产工艺和国内金属化研究需要注意的问题。     

95%Al2O3陶瓷的MoO3体系低温金属化机理研究

本文采用由MoO₃加活化剂组成的配方对氧化铝陶瓷进行低温金属化,通过对氧化铝陶瓷、金属化层的显微结构及元素的分布情况来探索氧化铝陶瓷的低温金属化机理。研究发现金属化层中大部分MoO₃还原成活性较好的Mo颗粒,Mo颗粒间相互烧结连通为主体金属海绵骨架,同时少量的Mo氧化物与MnO、Al₂O₃、SiO 2、CaO等形成玻璃熔体,MnO、Al₂O₃、SiO 2、CaO之间也会形成MnO-Al₂O₃-SiO₂-CaO系玻璃熔体,从而获得致密、Mo金属与玻璃熔体相互缠绕、包裹的金属化层。金属化层中的两种玻璃熔体先后渗透、扩散进入氧化铝陶瓷晶界从而实现陶瓷与金属化层之间的连接。金属化层中还原的Mo金属与Ni层之间形成Mo-Ni合金,从而实现Ni层与金属化层之间的结合。     

细钼粉对95%氧化铝陶瓷金属化质量的影响及存在问题的分析

根据细钼粉在95%氧化铝陶瓷金属化应用过程的实践经验,本文总结了细钼粉对氧化铝陶瓷金属化工艺和产品质量的影响,并对细钼粉应用过程出现的电镀镍层起泡问题的原因进行了探讨。     

高纯微晶氧化铝陶瓷的研制

选用超细高纯Al2O3粉为原料.分析了不同方法掺杂MgO添加剂及掺杂不同氧化物添加剂的Al2O3陶瓷显微结构.实验结果表明,利用包覆将MgO均匀加入到Al2O3粉体中,可以制备出致密细晶Al2O3陶瓷;此外,向Al2O3微粉中掺杂ZnO,也可以制备出细晶Al2O3陶瓷.而Y2O3掺杂及ZnO与Y2O3和MgO共掺杂的Al2O3陶瓷中有晶粒异常长大现象.     

A-96氧化铝陶瓷机电性能的改进

为了解决由氧化铝粉Na+含量较高导致的A-96氧化铝陶瓷产品性能较差的问题,在陶瓷的三元配方(Al2O3-MgO-SiO2)体系中加入了CaCO3。研究了Ca2+含量对A-96氧化铝陶瓷性能的影响。结果表明,Ca2+的引入抑制了陶瓷中Na+的迁移,从而明显改善了A-96氧化铝陶瓷的性能。在CaCO3质量分数为0.8%时,A-96氧化铝陶瓷基板的机电性能达到国标要求。当CaCO3质量分数为1.0%时,该陶瓷基板的机电性能最佳,体密度最大(3.72 g/cm3),但其颜色发黄,这可能是由于陶瓷中生成了黄色的钙长石。     

氧化铝透明陶瓷中Cr3+的发光性能

采用传统无压烧结工艺制备出透明性良好的掺Cr^3 氧化铝陶瓷;测定了陶瓷的吸收光谱、发射光谱和激发光谱。结果表明,氧化铝陶瓷吸收峰与红宝石单品一致,吸收截面大小与单晶相近;陶瓷中Cr^3 离子所处格位的晶体场强较单晶弱,但其发射谱仍有较好的锐线发射;陶瓷中微量添加剂以及品界的存在使得Al2O3晶胞发生畸变,造成其发射峰宽化。     

氧化铝陶瓷的Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂金属化工艺研究

用Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂金属化两种氧化铝陶瓷材料。封接强度实验结果表明,Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂不适宜高纯Al2O3陶瓷的金属化封接,而比较适宜95%Al2O3陶瓷的金属化封接。用该膏剂金属化95%Al2O3陶瓷,其焊接强度最高值可达150MPa以上。通过显微结构分析发现,高纯Al2O3陶瓷的金属化机理与95%Al2O3陶瓷金属化的机理不同,前者中玻璃相仅仅通过高温熔解-沉析与表面的Al2O3晶粒反应,后者金属化层内玻璃相与陶瓷内玻璃相相互迁移渗透。     

提高95瓷性能及低温烧成的途径

综述了提高９５瓷（９５％Ａｌ２Ｏ３瓷）性能及低温烧成的途径，并探讨了其作用机理。研究结果表明，晶粒细小、闭口气孔率低且结构均匀的致密瓷件。其抗酸性、抗热震性、耐磨性和电学性能均佳；可通过添加适量改性添加剂，来提高９５瓷性能；９５瓷的烧结温度可降至１４００～１５００℃。     

掺杂MgO和La2O3对Al2O3陶瓷性能的影响

以高纯硫酸铝氨分解的无定形Al2O3为原料,MgO、La2O3为烧结助剂,在N2气氛下热压烧结制备Al2O3陶瓷。研究了MgO和La2O3掺杂量对所制Al2O3陶瓷的相组成、显微结构、烧结性能、力学性能、热导率和介电性能的影响。结果表明：随着MgO或La2O3掺杂量的增加,Al2O3晶粒尺寸均逐渐减小而抗弯强度逐渐升高...     

Nb_2O_5对氧化铝陶瓷显微结构及性能的影响

研究了SiO2-MgO-CaO-BaO-TiO2-WO3烧结助剂作用下Nb2O5对氧化铝陶瓷性能和显微结构的影响(烧结温度1350℃),并用扫描电子显微镜观察了不同Nb2O5含量的氧化铝陶瓷的显微结构。结果发现:未加入Nb2O5时氧化铝的抗弯强度为365MPa,加入质量分数为0.4%或0.6%的Nb2O5后氧化铝陶瓷中晶粒出现异向生长,抗弯强度明显提高,超过400MPa。     

Al2O3陶瓷生产工艺中的若干问题

介绍了Al2O3陶瓷生产中的若干问题，特别是国内外在Al2O3陶瓷原料制备，配料，成型与烧结等方面的生产情况和研发动向，同时提出了自己的看法。     

几种电子陶瓷材料的研究与思考

给出了氧化铝陶瓷、微波陶瓷及PTC热敏陶瓷等几种电子材料的一些研究成果。发现95%~97%Al2O3陶瓷的机械强度不仅和晶体大小,而且和形貌及分布有关。制备的(Zr,Sn)TiO4微波陶瓷的?r为35~41,?f为(-14~+20) ×10-6℃-1和Q0≥5 000 (10 GHz)。采用化学共沉淀法制备了超细 (Ba,Sr,Pb) TiO3粉并获得了高性能PTC热敏陶瓷。对研究成果产业化进展提出若干思考问题并进行了探讨。     

电真空器件用氧化铝陶瓷的介电性能

对影响氧化铝陶瓷介电性能(介电常数、介电损耗和介电强度)的各种因素进行了较为系统的评述,并对相应的影响机理进行了分析和探讨.希望能为电真空用氧化铝陶瓷的质量控制和检验提供理论依据,同时也为工艺方法(包括材料工艺和电真空器件工艺)的选择提供有益的技术参考.