用于PDP的蓝色荧光粉的最新发展

作为一种发蓝光的荧光粉，只有BaMgAl10O17：Eu^2＋（BAM）被实际用于等离子体显示屏（PDP）。然而，BAM在显示屏制造和工作期间发生严重恶化，会导致发光效率和色纯度下降。本文回顾对BAM老化机理的研究。另外，讨论了用于等离子体显示屏的BAM改进和作为BAM替代物的新的蓝色荧光粉的现状。     

PDP用BAM蓝色荧光粉的制备及表面包覆

采用高温固相法制备PDP用BAM(BaMgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺)蓝色荧光粉,并用硅酸钠对其进行表面包覆。采用PDP真空紫外测试系统、SEM、IR和XRD等分析手段对荧光粉的光学性能、形貌、结构等进行表征。结果表明:Sr²⁺、Ce⁴⁺、Zn²⁺和Mg²⁺的掺杂有效提高了荧光粉的相对发光强度(约为50%);BAM蓝色荧光粉表面包覆了一层致密的硅氧化合物无机膜,经过表面包覆后,荧光粉的热稳定性显著提高,包覆后亮度衰减比例降低了10%。

     

一种新型的蓝色电致发光荧光粉—SrS：Cu粉

研制了一种新型高效蓝色电致发光ＳｒＳ：Ｃｕ荧光粉,改变共掺杂物,它的ＥＬ性能可以在很大的范围内变化,单掺杂时,ＳｒＳ：Ｃｕ薄膜电致发光器件发青蓝色的光,色座标ＣＩＥ在０．２７～０．３２之间变化。共掺杂Ａｇ时,ＳｒＳ：Ｃｕ薄膜电致发光器件发纯蓝光,色座标ＣＩＥｙ在０．１３～０．２２之间。ＳｒＳ：Ｃｕ,Ａｇ荧光粉的光效为０．１５～０．２４ｌｍ／Ｗ,比现有的蓝色电致发光荧光粉（ＳｒＣａ）Ｇａ２Ｓ４：Ｃｅ     

ACEL 荧光粉粉末 ZnS:Cu,X 的电荷陷阱的性质与其电致发光频谱之间的联系

ZnS:Cu,X(X = Cl,Br,I) ACEL 荧光粉的性质主要决定于 Cu 发光中心的电子发光复合、ZnS 点阵中电子的注入效率、诱捕电子和逃逸电子的比率.热致发光中的电子陷阱依赖于掺杂剂以及荧光粉制备方法.文章描述了 ACEL 荧光粉的退火过程对其电致发光性质的深远影响.从热释光发光曲线上,我们可以看到烧结条件对电子陷阱特征的作用.由于荧光粉的 ACEL 性质与电子陷阱有关,为了提高荧光粉的性能,对电子陷阱的成因和所起的作用的了解就显得尤为重要.     

有机电致发光器件退化机理的研究

介绍了“黑斑”和“气泡”造成的有机发光二极管失效的过程，对影响器件稳定性问题的诸多因素进行了分析。     

光电耦合器的CTR退化机理及其控制对策

研究探讨了光电耦合器电流传输比 (CTR)的退化现象及其退化机理 ,提出了控制CTR退化的主要技术途径。     

荧光粉电子激发恶化与阳极电压的关系

本文采用体积能量密度作为度量参数,提出了随阳极电压而变的荧光粉库仑恶化模型,以在３０ｋＶ时的松密度荧光粉恶化为基准,对其降致２ｋＶ时的库仑恶化进行了计算。这个模型的结果表明：在给定的电荷量下,恶化随阳极电压的降低而增加。考虑到工作在低压显示ＣＲＴ亮主时,有电荷量的积累,故只有适合于３０ｋＶ的荧光粉可用于低压。实验证实了对氧化物、硅酸盐以及硫化物荧光粉所预期的在４ＫＶ时的恶化。在４ｋＶ下测得的硫化锌     

化学共沉淀法合成YAG:Eu~(3+)红色荧光粉及其光致发光性质

采用化学共沉淀法合成YAG∶Eu3+红色荧光粉,利用XRD、荧光光谱和激光粒度仪等表征荧光粉晶体结构、光致发光、粒径分布等。结果表明,当煅烧温度为1000℃时,荧光粉YAG晶相趋于稳定,无中间相的形成,合成温度比传统高温固相法降低近500℃;随着煅烧温度升高,荧光粉光致发光峰强度增大,但峰值波长并不随煅烧温度升高而发生移动;前驱体中添加表面活性剂PEG后,荧光粉粒径为1.3μm左右,且粒径分布范围窄;助熔剂NaF能够显著提高荧光粉的光致发光强度,但过量则会出现浓度猝灭,其最佳添加量为4%。     

蓝相液晶技术的进步

为了解决蓝相液晶,特别是聚合物稳定蓝相液晶实用化所面临的瓶颈,业内人士对聚合物稳定蓝相液晶显示器的各个方面,例如：新的电极结构和形状、单体在聚合物网络结构中的分布、GTG响应时间和工作物理过程等方面作了许多研究,文章对此作了综合介绍。     

Yb:YAG蓝色激光输出

报道了Yb：YAG晶体的蓝光激光输出。在InGaAs激光二极管的泵浦下,掺杂浓度为6％的Yb：YAG晶体,得到485nm的蓝光激光输出。激光腔为平凹腔,腔长39mm。在1w功率泵浦下,输出功率38．5μw,光束发散角为10mrad,阈值为410mw。激光输出峰值波长为485．81nm,半宽度为1．1nm,其它还有几个次峰位于471．90nm、494．63nm、460．23nm和480．38nm。分析了激光产生的机理,认为是Yb^3 对的合作吸收和发射,或是Yb^3 与Tm^3 的合作上转换发光。     

蓝相液晶材料的研究进展及其应用

蓝相液晶作为一种新型的液晶显示材料,具有宽视角、响应速度快、制作工艺简单等优点,从而成为光电显示领域的一个研究热题。文章介绍了蓝相液晶的最初发现及其相关性质,总结了近年来国内外蓝相液晶的研究现状,并对蓝相液晶材料在平板显示领域中的应用成果和未来发展趋势做了评估。     

Ce:KTP晶体的生长及其相干和频蓝光的产生

采用熔盐法生长了光学质量的 Ce:KTP晶体。透过曲线表明 ,Ce:KTP在紫外截止波段附近的吸收比普通 KTP低约 10 %。采用 KTP晶体的倍频以及 Ce:KTP和频的组合 ,利用 Nd:YAG激光器的 1.32μm单一输出线束作抽运 ,实现了 0 .4 4μm相干蓝光的有效发生 ,其总效率约为2 .5%。     

白光LED的实现及荧光粉材料的选取

主要介绍了目前主流白光LED的封装方法,简述了各种方法的原理及优缺点。重点介绍了蓝光芯片与黄光荧光粉混合实现白光LED的机制。通过测试芯片发射谱、不同荧光粉材料的激发和发射谱,重点研究了蓝色芯片与黄色荧光粉材料的光谱匹配性,讨论了荧光粉材料的选取对器件的电学、光学性能的影响。     

液晶中的蓝相Ⅲ

蓝相Ⅲ（BPⅢ）是液晶中蓝相的一个子相。它是具有特殊性质的相态。它的结构和性质不同于BPⅠ和BPⅡ。近年来，BPⅢ的理论和实验研究有了很大的突破。在理论上BPⅢ的研究主要体现在其结构和相变上。不同的BPⅢ结构模型的建立，为它的结构的确定提供了很好的研究方法。BPⅢ—ISO相变为热力学相变。相变临界点的存在对BPⅢ的物理性质的研究有着重要的意义。实验上，通过各种手段（光的反射与选择性光散射、电场等）对液晶BPⅢ的结构研究证明和否定了理论上所主张的一些BPⅢ的结构模型，但是有些实验结果很难处理。目前，关于BPⅢ的结构之谜还不能被揭开。由BPⅢ理论和实验研究的简要论述，可以引发出BPⅢ结构研究的新的理论方法。BPⅢ的织构呈无规则形状，这就有可能在理论上从特定的模型出发建立起非线性方程，计算所得方程的结果可能存在混沌解。     

蓝相液晶晶体结构与结构色

蓝相液晶具有许多不同寻常的光学特性,如快速的响应速度(亚毫秒量级),可见光范围的布拉格反射,光学各向同性等。这些特性使得蓝相液晶在电光器件领域有着广泛的应用前景。近年来,除显示领域以外,蓝相液晶在聚合物蓝相液晶薄膜、晶格结构、结构色,以及可调谐方面取得了一系列新的进展。这些进展不仅深化了人们对蓝相液晶制备和基本结构认知,同时也极大扩展了其应用范围。本文侧重阐述近年来蓝相液晶在晶格结构以及结构色方面的研究进展。首先介绍蓝相液晶薄膜的制备方法和进展;其次介绍蓝相液晶晶格结构,包括单畴晶格、单晶晶格和结构色方面的研究进展;最后介绍可调谐的蓝相液晶晶格结构,主要包括电场、光场对蓝相晶格的调控作用。     

纳米TiO_2光催化降解次甲基蓝的影响因素研究

以TiCl4为原料,采用水解沉淀法,并在空气气氛下于不同温度煅烧2h,制备得到纳米TiO2。采用XRD、TEM及UV-Vis对样品进行表征。在卤钨灯照射下,研究了不同煅烧温度、不同pH值以及H2O2的加入等因素对TiO2光催化降解次甲基蓝的影响。结果表明:以水解沉淀法制备的纳米TiO2,随煅烧温度的提高,在600℃开始向金红石相转变,1000℃时全部转变为金红石相,并且TiO2粒子长大,吸收带边向长波方向移动。锐钛矿相与金红石相共存的纳米TiO2比纯锐钛矿相和金红石相有更优异的光催化活性,在卤钨灯下照射90min,对次甲基蓝的降解率达到97%。     

Y2O3:Eu电致发光膜的制备与结构表征

采用电子束蒸发和射频磁控溅射技术沉积了Y2 O3 :Eu电致发光薄膜 ,对膜进行了不同温度的大气热处理。用原子力显微镜 (AFM)观察了Y2 O3 :Eu膜的表面形貌 ,用X射线 (XRD)分析了Y2 O3 :Eu膜的结构 ,并对两种Y2 O3 :Eu膜的微结构和表面形貌进行了比较。结果表明 ,射频磁控溅射Y2 O3 :Eu膜与电子束蒸发Y2 O3 :Eu膜相比 ,结构更致密 ,表面更平滑 ,而且 ,在 90 0°C高温热处理后 ,溅射膜呈现单斜晶系结构 ,具有该结构的Y2 O3 :Eu膜适宜于作电致发光膜。