射频E类功率放大器并联电容技术研究

为了使E类放大器工作效率最大,需要得到并联电容的确切数值.分析了含线性并联电容E类放大器的和含非线性晶体管寄生输出电容E类放大器的不同特性,给出了不同的设计方法.指出了E类功率放大器设计过程中分析和计算并联电容的难点,阐述了E类功率放大器中并联电容对电路性能的影响,同时给出了考虑并联电容的E类功率放大器的设计方法.     

高效率E类射频功率放大器

研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理、存在问题以及解决的方法--差分和交叉耦合反馈结构,最后给出了E类放大器的实例.由于具有低成本、高集成度、多功用等优点,MOS工艺在射频功率放大方面有很大的发展潜力.在本文中,用0.6 u m CMOS工艺实现了E类放大器的设计.     

高效率开关F3/E类功率放大器

介绍了一种高效F3/E类功率放大器的设计方法,该放大器将F类功率放大器的谐波控制电路引入逆E类功率放大器的负载网络,以改善放大器性能。此电路结构提升了放大器的功率输出能力,降低了电路对功率放大器管器件漏极耐压特性的要求,增强了器件工作时的安全性。详细阐述了该放大器的设计过程,并给出了负载网络各器件的最佳设计取值方程。选用GaNHEMT器件研制了S频段F3/E类功率放大器测试电路。实测结果表明该放大器在驱动功率为27 dBm时,可获得40.3 dBm的输出功率,具有13.3 dB增益,工作效率高达78.1%,功率附加效率为75.2%。实测结果与仿真结果吻合,验证了设计方法的正确性。     

E类高频功率放大电路的分析

本文对 E 类高频功率放大电路进行了较详细的理论分析,并得到了对电路设计和调整有用的资料。1.引言 E类放大器是开关式放大器的一种,它的优点是:(1)集电极电流的上升与电压的下降不同时出现;(2)电容器与晶体管并联连接。这种电路有利于实现大功率中波广播     

高效率E类射频功率振荡器的设计

主要介绍了高效率E类射频功率振荡器的原理和设计方法,通过电路等效变换,E类射频功率振荡器最终转换成与E类放大器相同的结构,MOS管工作在软开关状态,漏极高电压、大电流不会同时交叠,大大降低了功率损耗,在同等工作条件下,能够获得与E类放大器相似的高效率。文中以ARF461型LDMOS做为功率器件,结合E类射频振荡器在等离子体源中的应用,给出了的设计实例。ADS仿真结果表明,在13.56MHz的工作频率下,振荡器输出功率46W,效率为92%,符合设计预期。     

精密放大器和低噪声失调电路技术

介绍了精密放大器的现状和实现精密放大器的低噪声失调电路技术,着重讨论了自稳零和斩波稳零电路技术,定量分析了这两类电路技术对电路噪声的影响,给出了各自的仿真结果。理论分析和仿真结果均表明,该两类电路技术能很好地抑制电路的失调和噪声,实现微弱传感器信号的精确放大。最后对精密放大器的未来发展空间作了展望。     

MEMSE类放大器

对采用 MEMS开关的 E类放大器进行了原型仿真 ,并且通过工艺流片制作 MEMS开关 ,搭建 E类放大器电路进行测试 .测试结果显示 ,这种机械式的放大器同样能实现有源放大器的功能 .测试得到的放大器实际效率与原型模拟结果一致 ,而放大器的功率增益高达 2 0 0 0 .     

MEMS E类放大器

对采用MEMS开关的E类放大器进行了原型仿真,并且通过工艺流片制作MEMS开关,搭建E类放大器电路进行测试.测试结果显示,这种机械式的放大器同样能实现有源放大器的功能.测试得到的放大器实际效率与原型模拟结果一致,而放大器的功率增益高达2000.     

采用E类峰值放大器的反向Doherty功放设计

为获得更高的功率附加效率,采用了E类峰值放大器代替传统反向Doherty功放中的C类峰值放大器.E类峰值放大器的负载网络由一个阻抗匹配电路和两个谐波抑制电路组成.通过分析,得出了功放的设计步骤,同时为了证明分析的有效性,设计了一个工作在1.96GHz,输出为38dBm的带E类峰值放大器的反向Doherty功放.仿真结果显示,在输出功率为38dBm时,与平衡AB类功放和传统反向Doherty功放相比,带E类峰值放大器的反向Doherty功放分别有11.5%和1.1%的功率附加效率的提升.当输出功率从24dBm到38dBm变化时,测得的二次和三次谐波抑制分别大于36dB和30dB.     

f_(max)/_f(min)>2.5超短波宽带高效率E类功放的理论与设计

根据负载网络的参数特性 ,提出一种新的 E类宽带放大器负载网络。给出了电路设计的优化方法。根据优化的结果设计出了一个工作于VHF 30～ 80 MHz频段、输出功率 8W、总效率大于72 %的试验功放电路。     

并联电容对DE类功率放大器的影响

DE类功率放大器既综合了D类和E类功率放大器的优点,继承了开关型功率放大器高效率的特征,又同时避免了D类和E类功率放大器的缺陷,使其成为了人们关注和研究的热点。随着工作频率的升高,MOSFET寄生电容在DE类功率放大器并联电容的计算中无法忽略。经过理论分析得到了MOSFET寄生电容的等效电容表达式,通过使用等效电容表达式,可以获得包含MOSFET寄生电容影响的并联电容的取值,提高了DE类功率放大器设计精度,保证了DE类功率放大器在高频时的高效率。通过SPICE模型仿真和电路实验验证了分析的有效性。     

E类放大电路中晶体管的功率损耗

在理想情况下,E类放大电路的效率可以达到100%,因此E类放大电路适用于高功率,高频率电路的设计,但在实际情况下,由于所有的器件都不是理想的。例如,电感、电容中会有寄生电阻的存在,晶体管的饱和电压,饱和电阻以及集电极电流的下降时间不为零,这些因素的存在都会导致E类放大电路的效率降低,但当电路的负载匹配且处于谐振状态,则引起电路功率损耗的主要因素也就是晶体管中的功率损耗。对E类放大电路中由晶体管引起的损耗进行分析,并得出简单的估算方法,并用实验的方法验证。     

一种设计宽带高效E类功率放大器的方法——"参数补偿压缩法"

本文首先分析了E类放大器负载网络的参数特性,提出了"参数补偿压缩法"的原理和改进型宽带负载网络.并且借助于电路优化设计理论实际制作出工作于30~90MHz、输出功率为7.6~10.2W、总效率为72%~84%功放电路,实验表明,测试结果与理论计算基本相符.     

MLE20/MJD20在甲类功率放大器中的应用

针对传统甲类功率放大器电路复杂、电路稳定性较差的缺点,设计开发了一种新的基于全对称互补差分放大电路的甲类功率放大器。该放大器采用MLE20/MJD20绝缘栅型场效应管作为电流放大管,通过对差分输入级、电压放大级、功率输出级中各元件参数的合理设计,降低了功率放大器的输出内阻,提高了电路的驱动能力及电路的稳定性。     

AB类功率放大器的设计与仿真研究

在比较A类、B类、C类和介于A类、B类中间的AB类四类功放电路各自优缺点的基础上,提出功率放大器工作点的选取以及通过阻抗匹配来实现高效率的方法。讨论了放大器输入回路阻抗变换电路、晶体管放大电路以及输出回路阻抗变换电路的设计思想,运用电报方程从理论上推导出用于信号源和晶体管之间阻抗变换的传输线变压器输入输出阻抗计算公式,由此设计出模拟信号处理电路中非常重要的AB类高功率放大器。仿真和实验结果表明,放大器在1MHz～50MHz的范围内,输入0．1w时输出为1w,其增益达到10dB,并且失真率非常低。     

线性化Doherty功率放大器的研究

阐述了线性化功率放大器的发展过程。利用ADS进行Doherty功放的仿真分析,设计了一种多个放大器并联的Doherty功放电路,并与经典的Doherty功放比较效率的高低。研究结果表明,此多级并联Doherty功放电路比传统功率放大器效率要高,并且有电路简单、成本低、工作稳定等优点。     

高效率音频功率放大器的设计

本文主要介绍的是通过普通电子元件设计出高效率音频功率发大器的方法.它不仅能够减少电路的成本,同时还能够将放大器的效率给提高.该设计中的PWM电路是由基本的运算放大器所构成,从而形成了能满足高效率,低失真要求的D类功率放大器.     

一种E类高效GaN HEMT功率放大器设计

功率附加效率是现代无线通信系统中一个重要的指标,较高的效率会大幅提高无线通信系统的运行时间,增强电池的续航能力,提高能源利用率,对移动通讯设备和移动安防设备而言,这几点尤为重要。文中以一款GaN HEMT功率放大器为基础,设计了一种简洁有效的E类功率放大器,用负载牵引技术和谐振器提高了器件的功率附加效率,在120～200 MHz近一个倍频程的工作频带内,实测功率附加效率均约达到74%,增益和输出功率分别约为13 dB和40 dBm。     

高效率E 类功放在遥测发射机中的应用

对提升PCM发射机工作效率的关键技术进行阐述。采用GaN器件设计了S频段具有谐波控制电路的逆E类功率放大器,输出功率10W,工作效率高达78%。将此高效功率放大技术用于PCM遥测发射机设计。实测结果表明,该发射机可适应码速率2Mbps的PCM信号,发射功率9.8W,整机效率可达57.6%。