随机静态存储器HM628128及应用

HM628128系列随机静态存储器是日本日立公司的新产品,其容量是128K×8bit。本文介绍HM628128系列存储器的性能特点及应用。它非常适用于数据存储容量要求大于64KB、用后备电池保存存储信息的单片机应用系统中。     

CMOS超大容量静态随机存储器研究

本文介绍了一种应用于特殊领域,符合用户特殊要求的CMOS超大容量静态随机存储器,同时介绍了该电路的主要功能和相关的设计、制造、测试技术.     

基于负阻效应的高灵敏度电容传感器电路研究

电容传感器灵敏度较低,特别是在传感器本体的初始电容量较大、而测量过程中的增量电容量又较小时,系统的相对灵敏度常常会低至无法准确得出被测参数的变化情况.结合负阻效应逆转正电容的原理,对传感器的初始电容进行负向补偿以降低初始电容量,就能够以很低的电路成本实现系统分辨率与灵敏度的提高.     

RRAM的阻变特性研究

阻变存储器（RRAM）是一种基于阻值变化来记录存储数据信息的非易失性存储器（NVM）,RRAM具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低等诸多优点,因而受到广泛关注。主要从三方面论述 RRAM的阻变特性。     

用负阻原理设计高稳定度VCO

介绍了利用负阻原理、采用改进型克拉泼电路设计的高稳定度LC压控振荡器(VCO),其频率范围为180MHz～210MHz。用ADS进行了仿真,最后给出了测量结果,实际表明它们是一致的。该电路采用相角补偿,提高了频率稳定度,降低了相位噪声。该方法设计简单、调试方便、成本低。     

X波段负阻振荡器设计

基于负阻振荡理论设计了一款X波段负阻振荡器,设计旨在提高振荡器的工作效率和加强二次谐波抑制。通过对晶体管直流偏置状态与振荡器工作效率关系的研究,选择合适的直流偏置状态提高了振荡器的工作效率。在输出匹配网络中加载一段1/8工作波长的开路线、选择一个合适的隔直电容,有效抑制二次谐波。实测结果表明,该X波段负阻振荡器振荡频率为10.81 GHz,输出功率为8.02 d Bm,二次谐波抑制度为48 d Bc,振荡器的效率为45%,偏离振荡频率100 k Hz和1 MHz处的相位噪声分别为-91.90 d Bc/Hz和-123.43 d Bc/Hz。该实测结果论证了上述设计方法的有效性,对负阻振荡器的设计提供了一定的参考意义。     

基于单片机的复杂可编程逻辑器件快速配置方法

介绍基于SRAM的可重配置CPLD的原理,通过对多种串行配置的比较,提出了由单片机和FLASH存储器组成的串行配置方式,并从系统复杂度、可靠性和经济性等方面进行了比较和分析。     

FPGA中嵌入式存储器模块的设计

本文设计了一种基于0.13微米CMOS工艺的FPGA芯片中的嵌入式存储器模块.该容量为18Kh的同步双端口存储模块,可以配置成为只读存储器或静态随机存储器,每个端口有6种数据宽度、3种写操作模式可供选择.采用行为级与晶体管级协同仿真的方法,同时完成模块的功能验证和时序参数的提取.全定制的核心版图经过自动布局布线工具的包装,最终产生适用于特定FPGA芯片的完整版图.     

用单片机实现可编程逻辑器件的配置

介绍基于SRAM的可重配置PLD的原理;通过对多种串行配置的比较,提出单片机与存储器串行配置方式;从系统复杂度、可靠性和经济性等方面进行比较和分析。     

基于Nios II的井下静态随机存取存储器管理

针对测井仪器中高速数据缓存的问题,提出了一种基于Nios II的静态随机存储器（Static Random-Access Memory,SRAM）控制器的IP核的设计方法,详细介绍了IP核的设计和实现过程并基于一定的硬件平台对SRAM控制器IP核的稳定性进行了测试。测试结果表明,所设计的SRAM控制器IP核能够在高温环境下实现对SRAM的有效管理而且通过修改配置参数就可应用在不同位宽和容量的SRAM上且运行稳定。该设计不仅实现测井仪器中高速数据缓存的管理,也提供了一套SRAM选型测试系统。另外设计介绍的可编程片上系统（System-on-a-Programmable-Chip,SOPC）开发流程对其它SOPC系统开发也具有一定的参考价值。     

用负阻法实现S波段低相噪压控振荡器设计

采用分布式微带电路结构和负阻振荡法设计了频率范围为2．4—2．8GHz的压控振荡器（VCO）,根据ADS软件进行建模并仿真,确定了VCO的电路参数,同时对振荡器的相位噪声和输出功率等关键参数进行了仿真优化。最终通过对实际制作出的VCO测量,验证了该模型的准确性,频段内的相位噪声达到-90dBc,Hz@10KHz,输出功...     

数字式晶体管特性图示仪的设计

利用SPCE061A单片机与LabVIEW软件相结合,设计了一种数字式晶体管特性图示仪。由SPCE061A为核心构成数控电压（电流）驱动与测量的下位机,测量数据由PC机采集并进行图示处理。图示仪设计采用功能集成的思路,能精确地测试常见类型晶体管（场效应管）集电极电流I/_c（漏极电流）与集射极电压V_ce（漏源电压）的变化曲线以及放大倍数（跨导系数）与集电极电流（漏极电流）的变化曲线等。实测表明,仪器精度好,方便易用,且性价比高。     

基于图片问答的静态重启随机梯度下降算法

图片问答是计算机视觉与自然语言处理交叉的多模态学习任务.为了解决该任务,研究人员提出堆叠注意力网络(stacked attention networks, SANs).研究发现该模型易陷入不好的局部最优解,引发较高的问答错误率.为了解决该问题,提出基于图片问答的静态重启随机梯度下降算法.实验结果和分析表明：它的准确率比基准算法提高0.29%,但其收敛速度慢于基准算法.为了验证改善性能的显著性,对实验结果进行统计假设检验.T检验结果证明它的改善性能是极其显著的.为了验证它在同类算法中的有效性,将该算法和当前最好的一阶优化算法进行有效性实验,实验结果和分析证明它更有效.为了验证它的泛化性能和推广价值,在经典的Cifar-10数据集上进行图像识别实验.实验结果和T检验结果证明:它具有良好的泛化性能和较好的推广价值.     

晶体管放大特性的交互设计

在传统的电子学教学过程中,晶体管的输出特性曲线分析是一个难点,往往会影响对晶体管放大器的进一步教学和学习,原因是这些曲线都是静止的,不可操作的,很难反映电路中各种参数的变化对放大特性的影响.该文提出了一个便于计算机绘图的晶体管输出特性曲线近似模型,并借助多媒体交互技术,将晶体管的输出特性曲线和晶体管的放大特性随各种参数变化的情况,即时反映在计算机的浏览器中,使原来一成不变的内容变成使用者可参与操作,从而使难以掌握的内容一下子变得容易起来.     

基于PD SOI工艺的8 Kb抗辐照静态存储器

SOI工艺具有内在的抗辐照能力,因此被广泛地应用于航天、军事等高可靠领域。本文基于我国目前最先进的0.5μm的PD SOI工艺设计了8Kb的SRAM,并且采用体引出、环形栅等多种技术对其进行了抗辐射加固。模拟表明该SRAM的读写时间小于20ns,50MHz下平均功耗小于55.8mW。     

基于Temporal rule的忆阻神经网络电路

忆阻器是一种动态特性的电阻,其阻值可以根据外场的变化而变化,并且在外场撤掉后能够保持原来的阻值,具有类似于生物神经突触连接强度的特性,可以用来存储突触权值。在此基础上,为了实现基于Temporal rule对IRIS数据集识别学习的功能,建立了以桥式忆阻器为突触的神经网络SPICE仿真电路。采用单个脉冲的编码方式,脉冲的时刻代表着数据信息,该神经网络电路由48个脉冲输入端口、144个突触、3个输出端口组成。基于Temporal rule学习规则对突触的权值修改,通过仿真该神经网络电路对IRIS数据集的分类正确率最高能达到93.33%,表明了此神经系统结构设计在类脑脉冲神经网络中的可用性。     

基于LabVIEW和FPGA的存储器测试系统设计

为满足多种存储器的测试需求,基于LabVIEW和FPGA设计了一套存储器测试系统;系统分为上位机及下位机两个部分,其上位机部分采用LabVIEW开发测试控制器,完成系统的测试控制、测试数据的采集与存储及对传统仪器的程序控制;下位机部分采用FPGA实现测试所需要的测试激励生成,经实测验证了系统可以对专用存储器进行自动化监控测试,具有测试成本低测试灵活及可扩展性强等特点。     

矩阵键盘驱动电路的高阻设计

矩阵键盘是人机交互的重要设备。实际应用场景中,用户通过键盘按键产生激励信号,经过驱动电路送到扫描电路,最终传给处理器电路,从而完成人机交互。在这个过程中,驱动电路负责传递信号,驱动电路的设计决定着整个系统能否正常工作。在驱动电路中引入高阻设计后,可以避免多个按键同时按下时矩阵键盘内部电路发生短路的情况,能让整个驱动电路更加可靠。     

基于逻辑等效模型的快速功能仿真验证

随着集成电路设计技术的发展,集成电路的规模越来越大,这使得在设计的各个阶段设计验证越来越重要,验证耗时的缩短也成为了SOC设计的关键。介绍了基于逻辑等效模型的快速功能仿真验证的方法和技巧,首先研究了验证的策略和方法,然后阐述了采用NC-Verilog进行快速功能仿真验证所使用的逻辑等效模型,最后给出了该方案的仿真结果和结论,证明该技术不仅能达到功能仿真验证的目的,而且有效地缩短了仿真周期,显著地提高了仿真效率。