极板间距对反应溅射Ge_xC_(1-x)薄膜的影响

利用射频磁控反应溅射法,以Ar、CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1－x薄膜,研究了极板间距对沉积的影响。结果表明,随极板间距的减小,沉积速率增大,薄膜的均匀性变差,薄膜中Ge／C的原子比增加.     

电容耦合等离子体化学气相沉积系统二维射频放电及薄膜制备工艺的研究

通过建立二维自适应模型,对等离子体化学气相沉积系统反应室中SiH4/H2在射频辉光放电条件下的多物理场进行仿真模拟,模拟结果显示：当射频功率和硅烷体积分数增大时,极板间电子密度增大,薄膜沉积速率也随之加快,但沉积的均匀性变差。结合利用该PECVD设备制备的薄膜微结构和沉积速率测试结果,得出射频功率为80W,SiH4体积分数为1%时,薄膜的平均晶粒大小和晶化率最大,薄膜沉积速率较快且均匀性较好。     

类金刚石薄膜的高红外透过率研究

类金刚石薄膜最主要应用在光学领域,尤其在红外领域,它非常适合于作红外窗口材料的增透兼保护膜。本文采用电容耦合射频外加直流设备,裂解碳氢化合物产生等离子体,进行离子增强化学气相沉积,制备类金刚石薄膜。采用平板式电极,衬底样品放在阴极极板上。所用气源为     

极板因素对种子低频电流处理的影响

对种子低频电流处理技术中，极板因素包括极板间距，极板面积和极板材料等对种子低频电流处理效果的影响问题，进行了理论分析和实验验证。     

基于正交试验方法的相邻电容传感器优化设计

基于正交试验方法,针对极板面积固定与极板面积不固定的双极板相邻电容传感器分别进行了参数设计实验,并分析各参数对传感器信号强度的影响.引入正交试验设计方法提高实验效率达33%,并能有效分析各设计参数对传感器信号强度影响的主次性.实验结果表明:相邻电容传感器设计参数对极板面积固定的传感器性能影响权重由高到低为间距宽度比、极板长宽比、激励频率;极板面积不固定的传感器影响权重依次为极板间距、极板长度、极板宽度、激励频率.利用COMSOL进行数值仿真,与实验测量结果吻合.     

单颗粒层纳米金刚石薄膜的疏水性与黏性研究

采用热丝化学气相沉积法(CVD)制备单颗粒层纳米金刚石薄膜,研究颗粒分布状态对薄膜疏水性与黏性的影响规律.结果表明:对于疏水性而言,当颗粒间距大于1500 nm时,颗粒间距对疏水性起主导作用,颗粒间距越小,疏水性越好;当颗粒间距小于1500 nm时,颗粒尺寸对疏水性起主导作用,颗粒越大,疏水性越好;颗粒几乎连续后,三维...     

辅助加热PCVD-TiN薄膜的制备及影响因素

研究了反应气体对辅助加热ＰＣＶＤ ＴｉＮ薄膜制备的影响。结果表明,提高反应气体中ＴｉＣｌ４的含量可以提高薄膜的沉积速率,而且对薄膜内的氯含量没有影响。提高反应气体中的Ｖ（Ｈ２）／Ｖ（Ｎ２）可以略降低薄膜内的氯含量,在Ｖ（Ｈ２）／Ｖ（Ｎ２）＝２,ＴｉＣｌ４的体积分数为１０％左右时ＴｉＮ薄膜的硬度最高。随着反应气压的升高,沉积速率呈正比上升而显微硬度却下降。     

多排热丝沉积大面积金刚石薄膜中热丝参数的影响

根据热丝化学气相沉积法制备大面积金刚石薄膜工艺中热丝与衬底之间的几何关系,建立了该系统的热传递模型,利用计算机辅助数值解方法,给出了衬底温度与衬底表面的热辐射能量密度随热丝数量、热丝与衬底间距变化的关系．并利用该方法设计了沉积面积为100mm×100mm的金刚石薄膜的最佳热丝几何参数．     

超细涤纶静电植绒工艺的研究

研究超细涤纶用于植绒的可行性,通过试验探讨植绒参数变化对植绒密度的影响.结果显示:0.53 dtex超细纤维的最佳绒毛长度为0.6 mm和0.8 mm;0.6 mm绒毛的最佳极板间距为8 cm、极板电压为60 kV;0.8 mm绒毛的最佳极板间距为10 cm、极板电压为60 kV;还得出其最佳植绒时间为11 s,粘合剂最佳涂覆量为140 g/m2.     

中科院提出金属陶瓷超材料薄膜制备新方法

正中国科学院宁波材料技术与工程研究所的研究人员提出了一种金属陶瓷超材料薄膜制备新方法,其采用传统的射频共溅射沉积工艺,辅以衬底偏压,制备出了定向排布Ag金属纳米线/氧化铝陶瓷复合超材料薄膜。该薄膜中的纳米线间距(轴心到轴心)进入5nm以下区间,阵列中纳米线的平均直径约为3nm;纳     

化学方法实现GaAs表面Cu的沉积

用一种简单的化学方法在ＬＥＣ ＧａＡｓ晶体表面实现了Ｃｕ的沉积，沉积的Ｃｕ层均匀性、牢固性良好，厚度达到无限源扩散的要求。本文介绍了化学镀铜液的配制及镀铜工艺，并对化学镀铜的机理进行了讨论。     

电化学处理改善污泥脱水性能的参数优化

以毛细吸水时间(CST)及泥饼含固率(DS)作为污泥脱水性能指标,以石墨板为阴、阳电极板对污泥进行电化学处理。采用L9(34)正交试验法对电压、极板间距、处理时间、插入深度等4个因素进行优化研究。结果表明,4个因素对污泥脱水性能影响大小顺序为:电压>极板间距>处理时间>插入深度。最优条件为电压20 V,极板间距2 cm,处理时间20 min,插入深度6 cm,与原污泥相比,此时污泥CST下降19.6%,DS上升5.85%。     

化学气相沉积技术对碳化硼硬质颗粒表面改性及在电沉积技术中的应用

利用化学气相沉积技术对碳化硼颗粒表面进行改性,Ｘ－射线衍射证实在碳化硼颗粒表面形成碳化铬和硼化铬混合物的薄膜．利用电沉积技术制备了 Ｎｉ－Ｗ－Ｃｏ－Ｂ４Ｃ（ＣＶＤ）表面复合材料,油润滑条件下的磨损实验结果表明 Ｂ４Ｃ颗粒的表面改性取得了良好效果, Ｂ４Ｃ（ＣＶＤ）颗粒与表面金属结合紧密     

微波电子回旋共振等离子体溅射法沉积ZnO薄膜

ＺｎＯ薄膜具有强的压电和光电效应，广泛用于制作各种声电和声光器件中．本文报道了用微波ＥＣＲ等离子体溅射法沉积了ＺｎＯ薄膜，并研究了该法制备ＺｎＯ膜的工艺．结果表明，所形成的ＺｎＯ膜的性质强烈地依赖于溅射沉积条件．     

三维电极体系中粒子电流的测定方法

研究了三维电极体系粒子电流的测定方法,即用两个小极片模拟粒子,借鉴腐蚀微电流的测定,用电化学工作站对粒子电流进行测定.测定时,设定了适当的仪器参数,保证模拟粒子平行于主极板、铅直放置,固定模拟粒子间距、与主极板的间距等,并在搅拌下实验.     

醋酸纤维素薄膜固定GOD催化及影响因素研究

通过对影响固定化葡萄糖氧化酶催化剂的诸因素：醋酸纤维素薄膜的厚度、孔径大小、等的分析，得出ＣＡ膜固定化ＧＯＤ获得最大催化速率的途径是ＣＡ薄膜必须具有适当的孔径、适当的厚度，较好的孔径连通性。     

电气浮工艺去除富营养化水体中蓝藻的试验研究

采用电气浮工艺对富营养化水体进行处理,利用正交试验考察了极板间距、电流强度、反应时间和pH对电气浮去除富营养化水体中CODMn和Chl-a效果的影响。试验结果表明,电流强度是一个重要的影响因素。在电流强度为1.2A,极板间距为0.6cm,反应30min,对富营养化水体中CODMn和Chl-a的平均去除率分别为79.57%和88.4%。     

三维电极体系中填充粒子的工作机理

为探究三维电极在实际应用中的影响因素,构建了电解槽的模型装置.实验采用自制的有机玻璃电解槽,阳极板选用Ti/RuO2 IrO2,阴极板选用1Gr18Ni9Ti.用一对钛平板电极作为模拟粒子,通过改变主极板电压和粒子间距来测量粒子电流、虚拟槽电压和主极板电流,研究粒子电流的影响因素.实验结果表明,主极板电压和模拟粒子间距是影响粒子电流的主要因素,在电压一定的情况下,模拟粒子电化学反应产物的增加以及主极板电化学产物的增加产生了一个综合效应,三维电极电化学反应器比二维电极电化学反应器能量效率高.     

电沉积Cr_2O_3氧化膜对Fe_3Al氧化性能的影响

通过电沉积－反应烧结方法在Ｆｅ３Ａｌ表面制得了均匀致密无鼓泡等缺陷的Ｃｒ３Ｏ２薄膜，这种薄膜在室温下呈非晶态，本文用ＴＥＭ，ＥＤＡＸ，ＳＥＭ和ＸＲＤ等手段研究了这种薄膜对Ｆｅ３Ａｌ在９００℃空气中氧化行为的影响，发现表面沉积这种薄膜可以使氧化层晶粒细化并促进Ａｌ的选择性氧化，从而提高了的抗高温氧化性能。     

化学气相沉积技术的研究及在无机材料制备中的应用进展（续完）

在上期中对化学气相沉积（ＣＶＤ）技术的基本原理、特点等进行了论述［１］。本文对化学气相沉积（ＣＶＤ）技术在无机材料的合成与制备中的应用，尤其是在制备金刚石薄膜及最近几年发展起来的梯度功能材料方面的应用进行了阐述；对ＣＶＤ技术在材料制备应用方面的发展趋势及所面临的课题也进行了简要论述。