高功率CO激光器窗口膜系优化设计

利用膜系设计软件TFCalc35,综合考虑膜系光学性能、驻波场、温度场、热应力场分布,通过调整膜系各层的厚度来调整膜系中电场峰值的位置,设计出了以ZnSe为基底,ZnSe与YF3作为高,低折射率膜料,具有较强激光破坏阈值的高功率CO激光器窗口膜系,窗口的一面反射率达95%,另一面则尽量增透,透过率达99.9%以上.     

反应磁控溅射制备SiOx渐变折射率红外梳状滤光片

梳状滤光片是一种特殊的非均匀光学薄膜器件,其膜层折射率渐变分布结构使它与常规均匀光学薄膜相比具有更好的光学和机械性能.利用反应磁控溅射工艺,改变沉积SiOx(0≤x≤2)膜氧化程度,获得折射率从2.74逐渐变化到1.58(λ=1550 nm)的SiOx渐变折射率薄膜材料.通过调制膜层折射率振幅和引入膜层-外部介质折射率匹配层,成功地设计并制备了具有较好光学性能的SiOx渐变折射率红外梳状滤光片光学薄膜器件.使用单一的硅溅射靶材,通过改变氧化程度获得可变折射率材料的方法,为特殊光学薄膜器件的制备提供了一种经济实用的工艺路线.     

傅里叶合成法设计渐变折射率薄膜

傅里叶合成方法是一种可以根据期望的光谱特性曲线设计渐变折射率薄膜的方法.叙述了该方法的原理和Q函数的选择.介绍了修正方法使设计膜层折射率在可获得薄膜材料折射率范围内和把膜层匹配到入射介质和基底两端界面的技术.并用该方法设计ZnSe基底3～12μm红外增透渐变折射率薄膜,在设计波段平均透射率达到95%.最后对该方法作了相关评论.     

高重复频率脉冲激光辐照光学薄膜的温升实验

光学薄膜是激光系统中最易损坏的薄弱环节.在高重复频率脉冲激光辐照下,光学薄膜表面温度急剧上升,导致膜层应力、结构发生变化,最后出现宏观的灾难性损伤.从实验上研究了重复频率10kHz脉冲激光辐照下光学薄膜元件的温度变化,分析了影响薄膜温度变化的众多因素.结果表明,在激光光斑确定的情况下,薄膜的温升主要取决于激光功率密度,其次是膜系最外层高折射率层的驻波场峰值,最后是膜系的吸收率及镀膜材料.     

非理想参数下193nm光学薄膜的设计

193nm光学薄膜是100nm步进扫描光刻机系统中主要用到的光学薄膜。分析了膜料光学常数的不确定性、高折射率膜材料消光系数、水吸收以及膜层表面粗糙度对薄膜光学性能的影响。结果表明，要镀制出反射率大于98．5％的高反膜．必须将高折射率材料的消光系数k控制在0．0034以内，同时膜层表面的粗糙度σ控制在1nm以内。膜层性能同时还受其使用环境中水气含量及其水气中杂质含量的影响，要减少膜层水吸收的影响．就必须提高薄膜的致密度．采用离子成膜技术．或者改变膜层的使用环境。在考虑相关因素的前提下，设计了在光刻机曝光系统中主要用到的增透膜、高反膜．并分析了其实际性能与设计结果存在差别的原因。     

高反射镜膜层应力耦合研究

为了控制高损伤阈值高反射镜膜层的应力,研究了沉积过程中沉积倾角、充氧量对高、低折射率单层膜应力大小的影响.研究发现这两个参数对控制薄膜应力有很大影响,SiO2薄膜在沉积倾角较小和充氧量增大时应力都逐渐减小,SiO2薄膜应力为压应力;HfO2薄膜在充氧量增大时薄膜应力变小,HfO2薄膜应力为张应力.因此,根据SiO2和H...     

不同退火过程对紫外HfO2/SiO2,Y2O3/SiO2多层膜性能的影响

采用直升式和阶梯式加热法对电子束热蒸发镀制出的HfO2/SiO2,Y2O3/SiO2多层膜进行了400℃的退火处理,发现采用阶梯式加热法退火后多层膜在190～300 nm范围内的峰值反射率均得到提高,说明此种后处理方法可能会改善膜层在紫外波段的光学性能.再对HfO2,Y2O3的单层膜进行相应的退火处理,发现退火后HfO2膜层的物理厚度减小从而发生监移现象;直升式退火使Y2O3膜层的折射率变小引起蓝移.阶梯式退火使得Y2O3膜层的物理厚度减小引起蓝移.对退火前后样品的微结构进行X射线衍射(XRD)法测量发现,退火可以使材料进行品化,并且采用直升式加热法后材料的结晶度更大,从而膜内散射变大,会引起膜层反射率的轻微降低.     

光学增透膜

本文就1973～1980年间发表的几篇美、英、西德专利介绍数种光学增透膜。其中有四种是全可见光波段用,其它是可见光区间的单波长用。衬底有一种是人造树脂,其它均为折射率在1.42～1.85的玻璃。膜材料用MgF_2、SiO_2、ThF_4、LaF_2、NdF_3、BeONa_3(AlF_4)、Al_2O_3、CeF_3、LaF_3、LiF,折射率为1.32～1.62。中等折射率膜材料用MgO、ThO_2H_2、InO_2及MgO-Al_2O_3混合料,折射率为1.7～1.9。能用的高折射率膜材料有CeO_2、ZrO_2、TiO_2、Ta_2O_5、ZnS、ThO_2,折射率为2～2.3。膜层是2～9层。有一种1/4波长结构四层膜系,最佳反射在500nm波长处为0.06％,在440～620nm波段处为0.14％。另一种膜系,最差反射在500nm波长处为0.5％。     

Gires-Tournois负色散镜误差分析

负色散镜的色散补偿性能对设计和制备的精度要求都非常高,折射率和薄膜物理厚度是其性能准确实现的必要参数.实验设计并镀制了Gires-Tournois(G-T)镜,结合电场强度分布及薄膜的群延迟色散(GDD)、扫描电镜的测量结果,从材料折射率、膜层厚度、敏感膜层的变化及界面粗糙度等主要因素对Gires-Tournois镜群延迟色散性能的影响进行了分析.研究表明:设计时采用的材料折射率要根据实际实验计算得到;群延迟色散量随着总的膜层厚度和腔的厚度增加而增加;电场强度的分布决定色散补偿能力及敏感膜层的位置,最薄的膜层不一定是最敏感的膜层,敏感膜层对沉积厚度控制精度要求非常高;薄膜的界面粗糙度和不均匀性也是误差产生的重要原因.     

BaxSr（1—x）TiO3多层膜椭偏光谱研究

用溶胶－凝胶技术在Bi(100）衬底上制备了单层和渐变型多层的BaxSr(1-X)TiO3薄膜，其膜层组分分别为：Ba0.7Sr0.3TiO3,Ba0.8Sr0.2TiO,Ba0.9Sr0.1TiO3,BaTiO3，对生长制备出的多层BaxSr(1-X)TiO3薄膜进行了变角度椭偏光谱测量，通过椭偏光谱解谱分析研究，首次得到了BaxSr(1-X)TiO3多层膜结构不同膜层的膜厚和光学常数，其结果显示：椭偏光谱分析得到的不同膜层的膜厚与卢瑟福背向散射测量得到的结果基本相符；渐变型多层膜中BaTiO3薄膜的折射率比单层BaTiO3薄膜折射率大许多，与体BaTiO3的折射率相接近，这说明渐变型多层膜中BaTiO3薄膜的光学性质与体材料的光学性质接近。     

the Good,the Bad and the Ugly

《Sat Magazine》,2012年11月刊对于当红的有效载荷商业搭载(Hosted Payload)业务,由十余家知名航天企业组成的"有效载荷搭载联盟"(HPA)显然颇具发言权。在最新一期Sat Magazine杂志上,HPA的代表撰文细数了有效载荷搭载业务最近面临的"善、恶、丑":"善"——美国总统奥巴马在向国会提交的2013财年预算申请中为与有效载荷     

唯产业是根唯亮点是本--回眸"中国信息安全战略与趋势"高层研讨会4年之履

引言四季轮回,大自然总是不偏不倚地遵循着这一守则,使人类感受着异样的景观和不断的期待。《信息安全与通信保密》杂志社感受自然恩泽的同时,也期盼着能为信息安全产业界带来四季如春的新意与生机。 二零零一年始办的“中国信息安全发展趋势与战略”高层研讨会已经走过了4个年头,承蒙主管领导、专家学者及广大安全企业和行业用户之关照与呵护,4年后的今天依然能够站在产业的前沿,架设各方之间的桥梁,领略产业风景。此心情不敢独有,现就产业发展之线,连贯研讨会4年的历程,与各方人士共飨。     

电磁脉冲参数对二极管击穿特性的影响分析

为研究电磁脉冲作用下p-n-n+型二极管的击穿及损伤情况,文中结合Si基p-n-n+型二极管,采用漂移—扩散理论结合热流方程,建立了二极管的二维电热模型。仿真结果表明,电压信号的上升时间和幅值对二极管是否击穿有直接影响,上升时间越短、初始偏压越高,则二极管越容易击穿。损伤及烧毁阈值随电压幅度的增加而升高,随上升时间的增加而降低。     

Comparing the Impacts of the Capillary and the Molded Underfill Process on the Reliability of the Flip-Chip BGA

In the assembly process for the conventional capillary underfill (CUF) flip-chip ball grid array (FCBGA) packaging the underfill dispensing creates bottleneck. The material property of the underfill, the dispensing pattern and the curing profile all have a significant impact on the flip-chip packaging reliability. Due to the demand for high performance in the CPU, graphics and communication market, the large die size with more integrated functions using the low-K chip must meet the reliability criteria and the high thermal dissipation. In addition, the coplanarity of the flip-chip package has become a major challenge for large die packaging. This work investigates the impact of the CUF and the novel molded underfill (MUF) processes on solder bumps, low-K chip and solder ball stress, packaging coplanarity and reliability. Compared to the conventional CUF FCBGA, the proposed MUF FCBGA packaging provides superior solder bump protection, packaging coplanarity and reliability. This strong solder bump protection and high packaging reliability is due to the low coefficient of thermal expansion and high modulus of the molding compound. According to the simulation results, the maximum stress of the solder bumps, chip and packaging coplanarity of the MUF FCBGA shows a remarkable improvement over the CUF FCBGA, by 58.3%, 8.4%, and 41.8% (66 $mu {rm m}$), respectively. The results of the present study indicates that the MUF packaging is adequate for large die sizes and large packaging sizes, especially for the low-K chip and all kinds of solder bump compositions such as eutectic tin-lead, high lead, and lead free bumps.      

澳洲插头产品的法规要求及标准解析

介绍了澳大利亚插头产品的法规要求及插头的型式、尺寸、参数和测试要点,分析了插头的电流额定值和配线之间的关系,强调了插销绝缘套的要求。对重要的试验项目,如弯曲试验、插销绝缘套的耐磨试验、温升试验、高温压力试验进行了说明。     

3G中移动台主呼接入过程中安全问题分析

本文对当前3G反向链路呼叫及通话过程中的安全问题做了分析,并分别从MS和BS相互之间的AKA、信令完整性保护和数据保密、入侵检测等进行了讨论。另外,在讨论中适当地将安全与移动性管理相结合,并根据实际应用中的安全问题提出了一些新的设想和解决的方法。     

宇航元器件应用验证指标体系构建方法研究

通过分析宇航元器件应用验证指标体系的特点,建立了一套面向宇航元器件应用验证的指标体系构建方法,该方法分别应用专家遴选系统、头脑风暴法和德尔菲法,解决了宇航元器件应用验证指标体系构建中的专家遴选、因素识别和指标体系构建问题。最后,应用该方法建立了宇航元器件应用验证综合评价指标体系基本结构。     

乙未岁风好正扬帆

送走驰骋追梦的马年,迎来了风好正扬帆的羊年.羊祥开泰千家喜,春满神州万物荣.值此辞旧迎新之际,《印制电路信息》杂志社的全体工作人员怀着诚恳的感恩之心,向在印制电路行业各个岗位上为把行业做大更要做强奉献自己的才智、孜孜不倦地工作、默默奉献的印制电路同仁一年来对《印制电路信息》报刊的关注、出谋划策、陪伴和支持表示衷心感谢!