具有极低导通电阻的20V N通道功率MOSFET

SiR440DP系列功率MOSFET在20V额定电压时具有低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积,在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2．0mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1．55mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是DC／DC转换器应用中MOSFET的关键优值（FOM）,在4．5V时为87。SiR440DP将在同步降压转换器以及二级同步整流及OR—ing应用中用作低端MOSFET。其低传导及切换损耗将确保稳压器模块（VRM）、服务器及使用负载点（POL）功率转换的诸多系统实现功效更高且更节省空间的设计。     

IR全新30V DirectFET同步MOSFET-IRF6612 30V

功率半导体供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出了全新IRF6612 30V同步MOSFET,新器件采用IR专有的表面贴装DirectFET封装.IRF6612兼具低导通电阻(4.4mOhms@VGS=4.5V)和低封装电感,体现最佳性能组合,可用作非隔离直流-直流转换器中的同步整流器,大幅提升笔记本电脑和服务器的效率.IRF6612还可用于隔离式直流-直流转换器的付边同步整流,适用于网络及通信领域.     

NCP1030：适用于小功率直流变换的单片开关稳压器

NCP1030和NCP1031小型高电压单片开关稳压器系列．内含200V功率开关和启动电路。NCP103x系列在单个IC中提供多种开关稳压器应用(如次级端偏压电源或低功率直流-直流转换器)所需的全部有源功率、控制逻辑和保护电路。为小功率直流转换提供了高效的集成解决方案。NCP103x系列可用于隔离直流-直流转换器的次级端偏压电源及独立的低功率直流-直流转换器。NCP1030使用功率为3W，     

新型升压转换器TPS6103X系列

德州仪器 (TI)公司日前宣布推出一个具有集成场效应晶体管 (FET)的同步升压型转换器系列。这种新型转换器节省了PCB板空间 ,提高了功率转换效率并能够为媒体播放机、个人数字助理 (PDA)及其他以单节锂离子 (Li -Ion)电池、锂聚合物 (Li-Pol)电池、或两节碱性电池或镍氢 (NiMH)电池为电源的应用提供高电流。(敬请访问 power.ti.com/sc03063)TI的TPS6103x系列升压型转换器能够提供高达96 %的功率转换效率 ,并可在输入电源电压低至1.8V的条件下提供高达1A/5V的输出电流。TPS6103x系列器件中具有输出电压固定型和可调型 (可利用一个…     

EPC的eGaN要替代MOSFET和IGBT

宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation,EPC)是氮化镓(GaN)功率晶体管先行者。EPC称,其率先推出的商用增强型(enhancement-mode)硅基板氮化镓(GaN-on-Silicon)功率晶体管器件,产品性能高于传统硅功率MOSFET数倍,可适用于服务器、基站、笔记本电脑、手机、LCD显示器、D类功率放大器等。     

SiR476DP：功率MOSFET

Vishay推出新型25Vn通道器件SiR476DP,从而扩展了其Gen Ⅲ TrenchFET功率MOSFET系列。SiR476DP在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOSFET的关键优值（FOM）,在4．5V时为89．25nC。     

富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件

<正>富士通半导体(上海)有限公司近日宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5 kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率     

GaN HEMT器件封装技术研究进展

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其宽禁带材料的独特性能,相比硅功率器件具有击穿场强高、导通电阻低、转换速度快等优势,在智能家电、交直流转换器、光伏逆变器以及电动汽车等领域有着广泛的应用前景.但GaN HEMT器件的高功率密度和高频工作特性,给器件封装带来了极大挑战,要使其出色性能得以充分发挥,其封装结构、材...     

用于工业、消费和电信应用的MOSFET

OptiMOS3 40V,60V和80V N沟道MOSFET系列可在导通电阻等重要功率转换指标方面提供业内领先的性能,使其能够在采用标准TO（晶体管外形）封装的条件下,降低30％的功耗。     

简易直流电子负载的设计

直流电子负载是一种通过电子电路实现欧姆定律的受控有源电阻电路,主要91于直流稳压源的智能化检测。直流电子负载通过控制内部功率器件MOSFET或晶体管的导通量,使功率管消耗功率,可以模拟各种不同的负载状况,一般具有定电流、定电压、定电阻、定功率、短路及动态负载等多种模式。简易直流电子负载系统设计以c8051F350单片机为控制核心,使用芯片内置的24位AD转换电路实现模拟电压和电流信号的数字化测量、控制与显示,外围电路主要包括恒流电路、电压电流取样电路、LCD显示电路等。主要性能有：能设定恒流电流值,显示被测电源的输出电压值、电流值以及电源的负载调整率等。其恒流电子负载的电流设置范围为100mA～1000mA,分辨率为10mA。在电子负载两端电压变4g10V时,输出恒流变化的绝对值小于0．1％。系统具有过压保护功能,过压阈值保护电压为10V到30V可设。     

EPC的eGaN FET实现更高的功率密度水平

美国国家半导体(NS)近日推出了业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100V半桥栅极驱动器LM5113,宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion,EPC)创始人之一兼首席执行官AlexLidow表示:"NS的LM5113桥式驱动器与我们的eGaNFETs配合使用,可以大幅     

新型60V DirectFET MOSFET

国际整流器公司日前推出一款新型60V DirectFET功率MOSFETIRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0mΩ(VGS=10V),传导损耗较同类解决方案低出三成。IRF6648适用于电讯及网络系统中的隔离式直流-直流转换器。若把IRF6648用于一个经调节的48V输入、12V输出和240W隔离式转换器的二次侧,功率密度可由每平方72W再增15%。IRF6648是一项多功能器件,可用于36V至75V输入的隔离式直流-直流转换器的二次侧同步整流插座;一次侧半桥及全桥隔离式直流-直流总线转换器;24V输入的一次侧正向主动钳制电路,和48V输出的交流-直流主动ORing系统。I…     

业界动态

Intersil推出集成高效直流转换器Intersil公司宣布推出高效四通道直流/直流转换器,该产品可用于电视或桌面监视器等的大屏(19英寸或更大)TFT-LC D(薄膜晶体管液晶显示器)。Intersil的EL7585A的特点是具有业界最大的集成3.5A FET(场效应晶体管),可为大型显示屏提供可能的最高输出功率。EL7585A的特点是具有一个PW M(脉宽调制)升压转换器,其输入为3～5V,输出达到16V。集成的FET是业界最大的集成FET,可工作在3.5A下,为较大的显示屏提供更高的输出功率。一对LD O(低压差)控制器可调节门驱动器,同时提供高达36V的正电源和低至-20V…     

低阻大电流功率MOSFET

美国IXYS公司发售的LXTM50N10型低阻大电流功率MOSFET,栅压10V时的最大导通电阻为0.03Ω,额定电压为100V,额定电流为50A,可用于开关电流及电机驱动电路等。为了降低导通电阻而将每平方英寸(6.45cm~2)的FET数增大到100万个;     

IR StrongIRFET MOSFET新增60 V器件

正全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。全新60 V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低频应用性能的超低导通电阻(RDS(on))、极高的电流承载能力、软体二极管,以及有助于提高噪声免疫力的3V典型临界电压。该系列的每款器件都完全通过业界最高雪     

Vishay Siliconix推出首款TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET(?)功率MOSFET—ThunderFET~(TM)SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK(?)SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5 mΩ、6.7 mΩ和5.9 mΩ的超低导通电阻。在4.5 V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优     

高性能高压功率MOSFET

超结型MDmeshV系列功率MOSFET晶体管拥有极低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度;新产品STW88N65M5MDmeshVMOSFET又将重要的能效指标提高23％以上,对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路,如电子照明控制器、消费电子电源和太阳能光电转换器,新产品的推出在节能技术领域是一次巨大飞跃。     

信息园

IR最新 30 V MOSFET降低导通电阻达 50 %全球功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司 ( International Rectifier,简称 IR) ,推出全新的30 V IRL 371 3系列 HEXFET功率 MOSFET,提供D2 Pak、TO- 2 62及 TO- 2 2 0等封装选择。采用D2 Pak封装的 IRL 371 3S元件 ,最大 RDS( on)值仅为 3m Ohm。相较于上一代面积相同的元件 ,导通电阻低出一半 ,却可在离散式 DC- DC转换器中展现高出 1 .5 %的效率。IRL371 3系列元件经过特别优化 ,适用于 48V输入离散式 DC- DC转换器的次级侧同步整流器( second- side synchronous recti…     

Vishay新型升压转换器芯片

VishayIntertechnology宣布推出两款新型升压转换器芯片,通过提供85%的直流到直流转换效率,以及通过0.85V的低电池电压运行,这两款器件可最大程度地提高从单芯或双芯镍氢或碱性电池组中获得的电能。两款新型IC可在1mA～500mA的宽泛电流范围内提供高效率,提供2V、3.3V及5V(SiP12502)固定输出电压或2V～5V可调(SiP12503)输出电压选择,输入电压范围介于0.85V～5V。内部低电阻功率MOSFET开关可在0.85V的低输入电压时启动,从而最大程度地提高从电池中获得的有用电能。该集成MOSFET在输入电压为3.3V时的额定阻抗低至0.24W。抗振铃控…     

IRF711W/IRF7822高效HEXFET功率MOSFET

由IR公司(国际整流公司,International Rectifier)研制出的IRF7811W/IRF7822两款新型HEXFET功率MOSFET将降压式及隔离式直流-直流拓扑结构的效率提高了3%。采用新型带状沟槽工艺,能去耦器件导通电阻及电容,成功解决了要求极低导通电阻及栅电荷的功率MOSFET的制造问题。 IRF7811W控制场效应管及IRF7822同步场效应管,能使高电流降压变换器拓扑结构的元件数量减少25%～50%。而且能在更低温度下运行直流-直流变换器,还大大提高了功率密度。 在输入电压为12V、输出电压为1.4V、每管脚工作频率为700kHz的多相降压变换器中,可改善效率达3%,还大大减少了元件数量。将两个并联的IRF7822作为同步场效应管,两个IRF7811W作为控制场效应管,可在SO-8封装MOSFET中获得每管脚35A的输出电流。 在集成电路驱动的拓扑结构中,同时采用IR最新的IRF7822同步MOSFET及IR1176同步整流集成电路,隔离式变换器可在40A及1.5V输出电压环境下,并实现了85%的效率。