TDI公司的GaN外延片生产取得突破

Technologies and Devices International(TDI)公司声称取得一项技术突破,制造出工业界第一块6英寸GaN外延材料。上述蓝宝石上GaN外延片的制造采用了该公司的专利氢化物汽相外延(HXPE)工艺及设备。GaN是一种高性能的化合物半导体材料,用于制造蓝光谱(蓝、绿、紫外及白光)LED、LD以及雷达、无线通信和空间电子设备用的高功率高频晶体管。尤其是白光LED更是开发的重点,其目的是取代传统的照明形式。蓝光LD则是即将到来的大容量DVD/CD和光驱的关键构件。据Strategies Unlimited调查公司的调查分析,GaN器件市场预计2007年将超过40…     

新加坡打造可互通NFC基础设施

新加坡资讯通信发展管理局(IDA)近日宣布,通过"合作征求计划",已选择7家公司组成的财团负责建立可互通的近距离无线通信(NFC)系统。这7家公司是智能卡制造商金雅拓,星展银行,花旗银行,付费卡供应商易通公司,和3家电信公司第一通、新电信及星和。     

Siltronic AG加入IMEC研究硅基GaN

世创电子材料公司Siltronic AG和比利时微电子研究机构IMEC达成一场协议,双方的合作属于IMEC氮化镓工业联盟计划(IIAP)中的一部分,目的是为下一代LED以及功率半导体原件提供能够在200 mm的硅晶片上生长的GaN层。     

以石墨烯实现GaN在硅(100)面上的生长

正西班牙Graphenea公司2014年7月25日宣布,与日本立命馆大学等共同实现了GaN结晶在硅(100)面上的生长。其要点在于用石墨烯作为中间层。;该技术的开发方为日本立命馆大学理工学部电子光信息工学科荒木努和名西Ya-sushi的研究室、美国麻省理工学院(MIT)、韩国首尔大学(SeoulNationalUni-versity)、韩国东国大学(DonggukUniversity)及西班牙Graphenea公司。在硅(100)面上直接生长缺陷少的GaN结晶时非常困难,几乎没有成功先例。以前在GaN-on-Si技术方面取得实用化进展的,主要是在硅(111)面上生长     

科锐、古河电工及松下位居GaN功率元件专利综合实力前三位

从事经营分析及专利分析等业务的日本Patent Result,公布了GaN类功率半导体元件(以下称GaN类功率元件)研发企业的相关调查结果。据该公司介绍,此次调查基于GaN类功率元件相关专利所获得的截止2011年1月底的Patent Score统计数据,从专利的质量与数量两个方面进行了综合评估。结果显示,美国科锐(Cree)在综合实力排名中位居首位,第二位是日本古河电     

爱立信与亚信签署战略合作备忘录

爱立信 (中国 )有限公司和亚信科技 (中国 )有限公司于今天签署了战略合作备忘录 ,两家公司将在与现有及未来的2G和3G网络技术相关的电信软件方面展开战略合作。该合作备忘录的签署标志着中外通信巨头在通信产业链内联手开始了更深层次整合的尝试。此次合作备忘录的签署 ,延续了两家公司于2000年在IP网络解决方案上合作的成功。2000年中国移动选择了爱立信作为其首个IP骨干网项目的系统提供商 ,而亚信则是该项目的系统集成商 ,两家公司自此建立起了良好的合作伙伴关系。爱立信与亚信签署战略合作备忘录     

Kyma推出非极性和半极性GaN衬底

被美国导弹防御暑SBIR/STTR计划挑选研制天然GaN材料和器件的KymaTechnologies公司对其半绝缘GaN衬底进行了改进,并新添了一种非极性和半极性GaN衬底产品系列。上述新的半绝缘GaN衬底的特点是电阻率均匀性高,电阻率超过105Ωcm。该公司优化了其半绝缘GaN球生长工艺,以有效地消除限制半绝缘GaN衬底电阻率均匀性的导电区。Kyma开发出新的非极性和半极性GaN衬底产品,以使业界能研制新的氮化物半导体器件。由于消除或减小了所生长的器件层中所存在的内建电场,这种非极性和半极性GaN衬底能够使包括蓝、绿、紫外激光二极管(LD)和发光…     

蓝宝石上生长GaN外延层的一种改良技术

斯坦福大学的科学家G.Solomen与美国CBLTechnologies及德国柏林的PaulDrude固体电子学研究所合作,将有机金属化学汽相淀积(MOCVD)和氢化物汽相外延(HVPE)两种方法相结合,在单一外延室中制备出蓝宝石上GaN外延片。这个研究小组称,这种工艺方法提供了一种制备GaN基外延层和GaN基器件的成本实惠且可行的手段,不必每一淀积步骤都要一个单独的反应室。采用这种方法,可通过MOCVD在500°C下生长出一层高品质的GaN缓冲层,接着用HVPE在1025°C下,以高得多的生长速率淀积一层厚的GaN层。这种混合反应室用一个内部衬底加热器(冷壁加热…     

一种新型C频段高效率移相GaN功率放大器

研制了一种性能优良的全固态C频段高效率移相氮化镓(GaN)功率放大器模块。介绍了该功放模块设计方案及工作原理,并给出了该功放模块技术参数实验测试结果。该模块输出功率30W,带宽10MHz,带有6位移相功能,具有C频段高频率、固态、小型化、高效率、高功率密度、高击穿电压特性,是一种目前国内外尚无类似集成设计的最新高性能氮化镓(GaN)功率放大器模块。因其功放模块输出末级采用了美国Cree公司第三代宽禁带GaN功放管优化设计,实现了固态C频段高效率功率输出。     

首批商用GaN集成功率级器件诞生

国际整流器公司(IR)日前推出行业首个商用集成功率级产品系列,采用了IR革命性的氮化镓(GaN)功率器件技术平台--GaNpowIR.据IR公司环球市场及企业传信副总裁Graham Rober介绍,GaNpowIR是一种革命性的GaN功率器件技术平台,与最先进的硅技术平台相比,能够改善性能指数(FOM)高达10倍,可以显著提高性能并节省能源消耗,该技术平台是IR经过5年的时间,基于其专有硅上氮化镓外延技术研究开发的成果.     

数据分析与影视

正Twitter新收购两家欧洲电视数据分析公司今年4月初,Twitter宣布已经收购两家欧洲电视数据分析公司,一家是总部位于法国的Mesagraph,另一家则是总部位于英国的SecondSync。Twitter同时还表示,该公司将扩展与广告调研和咨询公司Ka rtar Media的合作关系,合作在海外推出电视节目和媒体评分服务(TV Ratings)。Twitter此前已与尼尔森合作,在美国、意大利和澳大利亚市场推出了电视节目评分服务。Twitter把电视节目和媒体评分服务推向海外市场,旨在参与逐渐升温的社交电视之争。(腾讯科技)     

爱立信与亚信签署战略合作备忘录

爱立信与亚信科技(中国)有限公司于近日签署了战略合作备忘录,两家公司将在与现有及未来的2G和3G网络技术相关的电信软件方面展开战略合作。该合作备忘录的签署标志着中外通信巨头在通信产业链内联手开始了更深层次整合的尝试。 此次合作备忘录的签署,延续了两家公司于2000年在IP网络解决方案上合作的成功。2000年中国移动选择了爱立信作为其首个IP骨干网项目的系统提供     

雷声公司氮化镓半导体技术通过关键测试

美国《空间站日报》2007年1月12日报道,雷声公司综合防务系统部(IDS)开发的氮化镓(GaN)半导体电路通过了关键测试,展现了该技术在军用雷达、通信、电子战和导弹系统中的广泛应用前景。雷声GaN半导体单片微波集成电路(MMIC)的运行测试已成功达到8000h。本次测试是在特殊环境下进     

多层荧光盘片接近实用化

C3D公司(位于美国纽约)是一家开发大容量信息存储器技术的公司,最近与在世界上处于第三位的磁盘存储器制造商,Lite-On公司(位于台北),签订了正式的合作意向书。C3D公司提供其多层荧光盘片(FMD)技术的使用权,与Lite-On公司合作生产FMD驱动器。两家公司将合作设计,并开发以FMD技术为基础的光盘驱动器。     

Tensilica就钻石系列与多家设计中心达成合作

美国Tensilica公司日前宣布与其当前4家设计中心合作伙伴签署针对钻石系列产品的设计合作协议。该四家公司分别为D-Clue Tech- nologies、EL＆Associates、Genesis Technology,Inc．(GTI)和Magellan     

高品质引领华仪走向精品之路

华仪电子由电源供应器起家,是台湾第一家变频器及变流器专业制造厂。目前已成为安规仪器的国际领导者,并与欧美安规知名大厂Associated Research公司(USA)及与日本KG(Keisoku Giken株式会社)公司的ODM且取得信赖的合作关系,将EXTECH的产品顺利推向欧美及日本,甚至于南美洲     

100mm直径硅衬底上MOCVD外延生长无裂纹GaN

为实现在100 mm直径硅衬底上金属有机物化学气相外延(MOCVD)生长无裂纹GaN,系统研究了预铺铝时间参数对AlN成核质量的影响、不同厚度条件下AlN层对GaN生长的影响以及Al组分渐变的AlGaN缓冲层对GaN裂纹抑制的效果。实验结果表明,适当的预铺铝时间可以显著提高AlN成核层晶体质量,合理的AlN层厚度有助于上层GaN的生长,AlN与GaN之间AlGaN缓冲层的引入可以有效抑制GaN裂纹的产生。最后,采用高分辨率X射线衍射(HRXRD)测试了MOCVD外延生长的无裂纹GaN材料,得到AlN(002)面、GaN(002)面和GaN(102)面的衍射峰半峰宽(FWHM)分别为1 382,550和746 arcsec。     

前处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN薄膜

采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量.分析结果表明,GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;对蓝宝石衬底进行前处理可以大大改善GaN薄膜的晶体质量和光学质量,其(0002)面及(1012)面XRD半高宽(FWHM)分别降低到208.80"及320.76"     

前处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN薄膜

采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量.分析结果表明,GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;对蓝宝石衬底进行前处理可以大大改善GaN薄膜的晶体质量和光学质量,其(0002)面及(1012)面XRD半高宽(FWHM)分别降低到208.80"及320.76"     

江海股份铝电解电容器竞争力升至全球第五名

<正>2015年2月17日,江海股份(002484)在投资者关系互动平台上表示,铝电解电容器行业的竞争力前几位是日本三家和欧美一两家,公司已提升前五名,持续的研究开发和与客户的密切交流与合作及良好的品质和服务是公司的优势。该公司还表示,超容公司虽然起步较晚,但在材料选用、技术工艺开发、流程控制