专为RS-485端口保护优化的瞬态抑制二极管阵列

正SM712系列瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)旨在保护具有不对称工作电压(-7~12V)的RS-485应用免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损坏。SM712系列可以在IEC61000-4-2国际标准规定的最高级别安全地吸收反复性ESD放电,且性能不会下降。并可在极     

元器件与组件

正低电容型瞬态抑制二极管阵列低电容型SP3014系列瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)可为可能经历破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。SP3014系列集成了两个通道的低电容控向二极管与齐纳二极管,可安全地吸收超过IEC61000-4-2国际标准中最高等级的反复ESD震击而性能不会下     

Littelfuse公司推出低电容型瞬态抑制二极管阵列

正Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,2014年8月其推出了低电容型SP2574NUTG瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管),旨在保护高速差分数据线免受因静电放电(ESD)、电缆放电(CDE)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损害。SP2574NUTG来自SP2574N系列瞬态抑制二极管阵列,     

Littelfuse新增低电容型SP3014系列SPA二极管阵列

正Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前发布了低电容型SP3014系列瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管),为可能经历破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。SP3014系列集成了两个通道的低电容控向二极管与齐纳二极管,可安全地吸收超过IEC61000-4-2国际标准中最高等级的反复ESD震击而性能不会下降。相比类似硅解决方案,SP3014系列可将箝位电压降低50%以上,从而保护     

英飞凌电路保护二极管为千兆以太网数据接口提供浪涌和静电保护功能

英飞凌科技股份公司近日发布了一款全新瞬态电压抑制(TVS)二极管,用于保护千兆以太网接口,以防电压浪涌或静电放电(ESD)带来的损害。这款型号为TVS3V3L4U的二极管具备极低的电容,可满足目标应用对于信号完整性的高要求,同时还具备英飞凌应用广泛的保护器件产品系列所共有的强抗打击能力和电压钳位特性。     

Vishay新款SMD ESD保护二极管采用SMF封装，可抵御200W高浪涌

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布．推出采用低外形SMF封装的新系列表面贴装ESD保护二极管——SMFxxA系列器件．该系列器件可用于便携式电子产品．在10／1000μs条件下可承受200W的高浪涌。     

安森美推出静电放电保护二极管ESD5Z

安森美半导体（ON Semiconductor）日前推出全新高性能、微型封装的静电放电(ESD)保护二极管系列ESD5Z器件，专为便携式产品和电池供电应用中电压敏感元件提供单线保护而设计。     

无源与分立器件

瑞萨科技小型高ESD容忍度双向齐纳二极管瑞萨科技公司(RenesasTechnology)推出RKZ6.8T系列高ESD容忍度双向齐纳二极管,采用一个单芯片/2引脚封装实现了双向浪涌吸收和噪声限制器功能,可用于电子产品中的LED等器件等的正向和反向浪涌吸收。RKZ6.8TKK和RKZ6.8TKJ分别采用1.0×0.6     

英飞凌电路保护二极管为千兆以太陬数据接口提供浪涌和静电保护功能

英飞凌科技股份公司近日发布了一款全新瞬态电压抑制（TVS）二极管,用于保护千兆以太网接口,以防电压浪涌或静电放电（ESD）带来的损害。这款型号为TVS3V3L4U的二极管具备极低的电容,可满足目标应用对于信号完整性的高要求,同时还具备英飞凌应用广泛的保护器件产品系列所共有的强抗打击能力和电压钳位特性。     

飞利浦单线双向静电保护二极管

皇家飞利浦电子公司(Philips Electronics)推出系列单线双向静电保护(ESD)二极管，以防止静电和30kV以下的瞬时脉冲电压对MP3播放器和移动电话的损坏。飞利浦新的PESD5V0S1Bx系列包括保护二极管PESD5V0S1BL，具有超微型封装和出色的静电箝位功能。该设备占用极小主板空间，     

元器件与组件

ESD保护二极管和肖特基二极管，优化汽车应用的低压MOSFET，4通道LVDS缓冲器／中继器，小型高电流负载开关系列，新系列家电AC开关     

0201规格封装的ESD保护二极管

ESDALCxx-1U2系列ESD保护二极管产品比上一代缩小67％,能够承受最严格的IEC61000-4—2标准的ESD测试脉冲,低钳位电压特性有助于提高对调制解调器等低压芯片的保护性能。新系列包括ESDALC3V9-1U2、ESDALC6V1-1U2和ESDALC14V2-1U2三款产品,击穿电压分别为3．9V、     

英飞凌发布面向低电压应用的最新防静电二极管

2012年7月16日,英飞凌科技发布了一系列可用于改善静电防护性能的瞬态电压抑制(TVS)二极管。静电放电(ESD)可能对敏感的消费电子系统造成损害。全新±3.3 V双向二极管系列拥有行业领先的箝位电压和静电吸收率,可以防止电尖峰脉冲对系统的音频输入端口或触屏接口电路等部位造成冲     

Littelfuse推出瞬态抑制二极管阵列

2015年3月17日,Littelfuse公司宣布推出了SLVU2.8-8系列2.8 V、30 A瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管),该产品专为保护低压CMOS设备免受ESD及雷击瞬态电压损害而设计。与市场同类解决方案相比,SLVU2.8-8系列能够为电路设计人员提供高出25%的电源处理能力,具有更高的电气安全系数。它还具有比其它解决方案低57%的电容,有助于保持信号完整性,并将数据丢失率降至最低。SL-     

TI推出ADS1271工业用模数转换器

飞利浦日前推出了一系列单线双向静电保护(ESD)二极管，以防止静电和30kV以下的瞬时脉冲电压对MP3播放器和移动电话的损坏。．飞利浦新的PESD5VOSlBx系列包拮业内极小的保护二极管PESD5VOS1BL，具有超微型封装和出色的静电箝位功能。该设备占用极小的主板空间，为设计工程师提供了设计灵活性。     

系统级ESD激励源模型研究进展

芯片级和系统级静电放电(ESD)协同设计可以有效地应对电子设备面临的ESD风险,但需要对整个ESD防护网络进行建模,特别是建立精确的系统级ESD激励源模型。文章阐述了静电枪、浪涌等两种常用ESD激励源模型的基本原理、建模和仿真方法。分析了已有模型在仿真预测中面临的挑战和存在的问题。最后,指出了系统级ESD激励源模型的发展趋势。     

高浪涌能力FlatPower封装的TVS二极管

SOD123W TVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系列二极管提供400W额定峰值脉冲功率(10/1000μs),单位PCB面积的浪涌能力约为67W/mm2。该二极管旨在保护电压     

Littelfuse推出ESD保护和共模EMI滤波相结合的瞬态抑制二极管阵列系列

正Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布推出了SP5001、SP5002和SP5003系列瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)。这些高度集成的共模滤波器(CMF)可为使用高速差分串行接口的系统同时提供静电放电(ESD)保护和共模滤波功能。它们可以保护和过滤两个(SP5001和SP5003)或者三个(SP5002)差分线对。上述产品采用符合RoHS规范的TDFN封装和紧凑型设计,与离散型解决方案相比可显著节约成本和空间。这些符合AEC-Q101标准的器件     

一种系统级封装的ESD保护技术

介绍了一种系统级封装(SiP)的ESD保护技术.采用瞬态抑制二极管(TVS)构建合理的ESD电流泄放路径,实现了一种SiP的ESD保护电路.将片上核心芯片的抗ESD能力从HBM 2 000 V提升到8 000 V.SiP ESD保护技术相比片上ESD保护技术,抗ESD能力提升效果显著,缩短了开发周期.该技术兼容原芯片封...     

CMOS集成电路中ESD保护技术研究

分析ESD失效的原因和失效模式,针对亚微米CMOS工艺对器件ESD保护能力的降低,从工艺、器件、电路三个层次对提高ESD保护能力的设计思路进行论述。工艺层次上通过增加ESD注入层和硅化物阻挡层实现ESD能力的提高;器件方面可针对电路的特点,选择合适的器件(如MOS,SCR,二极管及电阻)达到电路需要的ESD保护能力;电路方面采用栅耦和实现功能较强的ESD保护。