元器件与组件

正低电容型瞬态抑制二极管阵列低电容型SP3014系列瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)可为可能经历破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。SP3014系列集成了两个通道的低电容控向二极管与齐纳二极管,可安全地吸收超过IEC61000-4-2国际标准中最高等级的反复ESD震击而性能不会下     

Littelfuse公司推出低电容型瞬态抑制二极管阵列

正Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,2014年8月其推出了低电容型SP2574NUTG瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管),旨在保护高速差分数据线免受因静电放电(ESD)、电缆放电(CDE)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损害。SP2574NUTG来自SP2574N系列瞬态抑制二极管阵列,     

使用BUS端口保护阵列实现有源ESD保护

许多便携式应用需要超过8kV的ESD保护，同时将电容保持在5pF以下。ZZ．极管能够单独满足这一要求，但当与开关或结型二极管等低电容PN二极管相结合时，它们可同时满足该应用的以下两种要求：低电容以及高ESD和浪涌抗扰性。     

使用BUS端口保护阵列实现有源ESD保护

许多便携式应用需要超过8kV的ESD保护,同时将电容保持在5pF以下。Z二极管能够单独满足这一要求,但当与开关或结型二极管等低电容PN二极管相结合时,它们可同时满足该应用的以下两种要求:低电容,以及高ESD和     

使用BUS端口保护阵列实现有源ESD保护

许多便携式应用需要超过8kV的ESD保护，同时将电容保持在5pF以下。Z二极管能够单独满足这一要求，但当与开关或结型二极管等低电容PN二极管相结合时，它们可同时满足该应用的以下两种要求：低电容，以及高ESD和浪涌抗扰性。     

元器件与组件

正高高可可靠靠性性、低低电电压压齐齐纳纳二二极极管管新型高可靠性ultra-sharp knee二极管器件瞄准国防、航天、工业和医疗市场中的低电压调节和瞬变保护应用,具有低额定电容和低额定泄漏电流特性,其反向泄漏电流低于50nA,工作电压为1～2.4V,测试电流为250μA时最高浪涌电流为25A,符合IEC 61000-42和IEC 61000-4-4标准的ESD和EFT保护。与标准齐纳二极管相比,这些产     

Littelfuse推出瞬态抑制二极管阵列

2015年3月17日,Littelfuse公司宣布推出了SLVU2.8-8系列2.8 V、30 A瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管),该产品专为保护低压CMOS设备免受ESD及雷击瞬态电压损害而设计。与市场同类解决方案相比,SLVU2.8-8系列能够为电路设计人员提供高出25%的电源处理能力,具有更高的电气安全系数。它还具有比其它解决方案低57%的电容,有助于保持信号完整性,并将数据丢失率降至最低。SL-     

Vishay发布新款超小型ESD保护二极管

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用超小型CLP0603硅封装的新款双向对称(BiSy)单路ESD保护二极管---VCUT05D1-SD0。VCUT05D1-SD0具有10 pF的低电容,可在便携式电子产品中保护信号和数据线路免受瞬态电压信号的侵扰,并大大节省PCB空间。     

Littelfuse推出ESD保护和共模EMI滤波相结合的瞬态抑制二极管阵列系列

正Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布推出了SP5001、SP5002和SP5003系列瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)。这些高度集成的共模滤波器(CMF)可为使用高速差分串行接口的系统同时提供静电放电(ESD)保护和共模滤波功能。它们可以保护和过滤两个(SP5001和SP5003)或者三个(SP5002)差分线对。上述产品采用符合RoHS规范的TDFN封装和紧凑型设计,与离散型解决方案相比可显著节约成本和空间。这些符合AEC-Q101标准的器件     

专为RS-485端口保护优化的瞬态抑制二极管阵列

正SM712系列瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)旨在保护具有不对称工作电压(-7~12V)的RS-485应用免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损坏。SM712系列可以在IEC61000-4-2国际标准规定的最高级别安全地吸收反复性ESD放电,且性能不会下降。并可在极     

NUP45V6系列：ESD保护二极管阵列

安森美推出采用超小SOT-953封装的新系列低电容ESD保护阵列NUP45V6系列。这些器件专为众多敏感设备而设计，可用于手机、PDA、数码相机及其他保护应用中。     

Vishay新款SMD ESD保护二极管采用SMF封装，可抵御200W高浪涌

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布．推出采用低外形SMF封装的新系列表面贴装ESD保护二极管——SMFxxA系列器件．该系列器件可用于便携式电子产品．在10／1000μs条件下可承受200W的高浪涌。     

英飞凌电路保护二极管为千兆以太网数据接口提供浪涌和静电保护功能

英飞凌科技股份公司近日发布了一款全新瞬态电压抑制(TVS)二极管,用于保护千兆以太网接口,以防电压浪涌或静电放电(ESD)带来的损害。这款型号为TVS3V3L4U的二极管具备极低的电容,可满足目标应用对于信号完整性的高要求,同时还具备英飞凌应用广泛的保护器件产品系列所共有的强抗打击能力和电压钳位特性。     

0201规格封装的ESD保护二极管

ESDALCxx-1U2系列ESD保护二极管产品比上一代缩小67％,能够承受最严格的IEC61000-4—2标准的ESD测试脉冲,低钳位电压特性有助于提高对调制解调器等低压芯片的保护性能。新系列包括ESDALC3V9-1U2、ESDALC6V1-1U2和ESDALC14V2-1U2三款产品,击穿电压分别为3．9V、     

元器件与组件

静电放电保护二极管静电放电保护二极管PESD3V3L2UM和PESD5V0L2UM采用无引线超小SOT883表面封装,尺寸为1.0mm×0.6mm×0.5mm,具有16pF的低电容、超低的漏电电流,以及3.3V和5.0V的反向承受电压。可承受20kV的静电放电脉冲,符合IEC61000-4-2(第四级)标准,如将多个二极管保护器件集成在一个设备上,可保护7条传输或数据线免受由ESD脉冲造成的损害。Philipshttp://www.semiconductor.philips.com双路数控电位计双路非挥发线性数控电位计(XDCP)X93425在单一封装内提供两路低功耗的XDCP,两路数控电位计有单独的32个滑片,并有独立的…     

Littelfuse推出新型瞬态抑制二极管阵列

正Littelfuse公司日前宣布推出SPHV(单向)和SPHV-C(双向)系列200W分立瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管);相比早期技术,这两个产品系列能够更好地保护敏感设备免遭静电放电(ESD)和其它过压瞬变造成的损坏。SPHV和SPHV-C系列可安全吸收超出IEC61000-4-2国际标准中最高值的反复性ESD震击,而不会引起性能下降,并能以非常低的箝位电压耗散高达8A的感应浪涌电流。由于采用SOD882封装,非常适合替代汽车电子产品、LED照明     

工艺参数对低电容TVS器件耐压的影响

分析了低压低电容TVS器件的击穿原理,从NPLUS集电极区杂质浓度、杂质注入能量及退火激活温度三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响,最终优化选择了工艺参数并制作了低压TVS器件。低压低电容TVS器件采用集成工艺将低电容二极管与TVS管集成在同一芯片上,解决了实际应用中低电容的需求。通过传输线脉冲测试器件展现了优良的抗ESD能力,有利于对主器件实施更可靠的保护。     

安森美半导体超低电容技术扩充ESD保护产品系列

安森美半导体(ON Semiconductor)扩充高性能片外静电放电(ESD)保护产品系列,推出两款业界一流的器件——ESD7L5.0D和NUP4212。这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计,提高了钳位电压性能,同时保持低电容和小裸片尺寸。     

英飞凌电路保护二极管为千兆以太陬数据接口提供浪涌和静电保护功能

英飞凌科技股份公司近日发布了一款全新瞬态电压抑制（TVS）二极管,用于保护千兆以太网接口,以防电压浪涌或静电放电（ESD）带来的损害。这款型号为TVS3V3L4U的二极管具备极低的电容,可满足目标应用对于信号完整性的高要求,同时还具备英飞凌应用广泛的保护器件产品系列所共有的强抗打击能力和电压钳位特性。     

VCUT05D1．SD0：单路ESD保护二极管

Vishay Intertechnology推出采用超小型CLP0603硅封装的新款双向对称（BiSy）单路ESD保护二极管VCUT05D1一SD0。VCUT05D1-SD0具有10pF的低电容，可在便携式电子产品中保护信号和数据线路免受瞬态电压信号的侵扰，并节省PCB空间。