美高森美发布用于高压工业应用的创新SiC MOSFET系列继续保持在碳化硅解决方案领域的领导地位

正致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation)推出全新碳化硅(Silicon Carbide,SiC)MOSFET产品系列─1200V解决方案。该系列创新SiCMOSFET器件设计用于效率至关重要的大功率工业应用,包括用于太阳能逆变器、电动汽车、焊接和医疗设备的解决方案。美高森美拥有利用SiC半导体市场增长的良好条件,据市场研究机构Yole     

功率模块核心技术与光伏产业发展趋分析

2008年受经济危机的影响,全球的经济形势受到重创.欧洲作为光伏最大的市场,受到的影响最为显著.不少欧洲国家缩减了光伏电站的开支,甚至取消了光伏产业的投资计划.中国作为世界上最大的太阳能电池产地,对出口有较强的依赖性,以消化产能.     

英飞凌650V混合SiC IGBT单管助力户用光伏逆变器提频增效

1、前言户用光伏每年装机都在高速增长,单相光伏逆变器功率范围基本在3~10kW,系统电路示意框图如图1所示,从光伏电池板经过逆变器中DC/DC,DC/AC电路实现绿电的能量转换,英飞凌能提供一站式半导体解决方案包括650V功率器件、无核变压器CT技术驱动IC、主控制MCU和电源管理芯片等。     

光伏系统储能中的匹配电路拓扑与功率半导体

正由于近期法规和标准有所变化,储能有望成为光伏设备——特别是30k W以下系统的一个越来越有趣的功能。各种电路拓扑可被电池充电阶段所采用,它们都需要不同数量的半导体、不同电压等级的电源设备,某些情况下还要使用变压器。电路拓扑的决定性因素包括电池的电气参数和电池组与逆变器之间所需的隔离等。本文介绍了为实现高效和紧凑的