并联IGBT的散热有限元计算分析及试验研究

为了了解并验证在恶劣工作环境下IGBT的结温,对并联运行的IGBT的散热系统进行了适当的模型简化,基于有限元软件ANSYS的模拟计算,求解其散热系统的温度场分布.通过与试验结果进行对比研究,表明计算结果满足工程运用所需的精度要求,可应用于复杂分布功率半导体器件的热分析中.     

风机串并联在电子设备散热中的应用研究

为了满足某雷达天线单元电子设备的热设计需求,提出了采用风机串并联的方法.采用Icepak热仿真软件,研究了风机的串并联对强迫风冷系统散热性能的影响,并进行了试验验证.试验结果表明:在风冷系统阻力较大的情形下,仅增加风机的数量并不能提高系统的散热性能,系统的散热性能与风机的排布形式有关;采用风机并联的形式,发热元件的温度没有明显降低;而采用风机串联的形式,发热元件的温度明显降低,满足热设计要求.     

电脑机箱散热性能优化问题的研究

介绍了用ANSYS软件对加装在电脑机箱表面的辅助散热风扇位置进行优化设计的方法。通过实验测试了空机箱情况下表面辅助散热风扇对CPU散热性能的影响,采用ANSYS软件对相同的情况进行了仿真,由两种方法的结果对比情况验证了用该软件仿真散热性能的可行性和准确性。并对实际的完整电脑机箱风冷散热系统的散热性能进行了软件仿真,根据仿真结果给出了风扇位置的优化建议,证实了用软件仿真方法进行电脑机箱散热性能优化设计的实用性。     

IGBT智能模块的PWM逆变器

本文介绍ＩＧＢＴ智能模块的特点及用它研制成功的ＰＷＭ逆变器电路与试验结果．     

IGBT连续激光器电源的设计

本介绍了为两只7K100C型高压氪灯设计的IGBT连续激光器电源,其主电路采用PWM工作方式,控制电路采用PID方式对整个电源系统进行调节和校正。该电源具有具有很高的稳流精度和良好的动态调节性能。     

IGBT原理及整流器故障分析

叙述了大功率高压电力电子器件IGBT变频传动装置整流器系统的原理,着重分析了故障原因及应吸取的教训。     

电动汽车用动力电池风冷散热仿真分析

锂离子电池因其具有的电压高、荷电保持能力强、储存和循环能力强、无记忆效应、安全性高、环境污染低等优势,是目前应用最为广泛的电动汽车动力电池,但其散热问题同样不容忽视.动力电池在工作时,产生的热量不断积聚,若不能及时排除,将会严重影响电池的正常工作甚至发生危险.风冷散热以空气作为散热介质,能够很好的兼顾散热效果与成本,目...     

基于IGBT新型消弧接地补偿装置仿真的研究

在消弧线圈接地补偿基础上,提出了一种基于IGBT新型消弧接地补偿装置.该装置采用跟踪型PWM技术对接地故障电流进行补偿,补偿速度快、范围宽,并克服了由于传统消弧线圈的引入对系统产生的不良影响,可以随时补偿,随时退出运行.用专业的PSCAD/EMTDCTM和MATLABTM对模型进行仿真.仿真结果表明,该方法可以有效地对接地电流补偿.     

电力电子装置强风散热模型简化方法及应用

为了提高热设计的设计效率,基于热传导、流体换热、流体力学理论,对典型强迫风冷散热系统进行精确建模,对精确模型进行简化方法的研究. 使用该简化热模型,可以对强迫风冷散热系统进行快速、准确的设计. 采用该简化热模型设计的380 V/50 kVar SiC-MOSFET静止无功补偿器（SVG）的工业化样机,散热器表面温升误差为4.1 ℃（满载条件）,满足工程化设计的要求.     

电子机箱强迫风冷时PCB板局部表面传热系数的研究

摘要：电子机箱采用轴流式风机进行强迫通风散热是电力电子元件比较常用的散热方式,通过对轴流式风机出口截面空气流速的分析,可以推论出空气以类似螺纹状形态在机箱内流动,从而猜测电路板位置不同时局部表面传热系数（ ）变化规律也是不同的。采用实验分析与仿真模型相结合的办法对 的变化规律进行了研究。实验结果与仿真结果基本吻合,结果表明,当只改变电路板竖直方向的位置时局部表面传热系数 分布规律也会发生改变。当电路板平行散热风扇中心轴水平放置,且电路板的长边与散热风扇中心轴平行时, 沿电路板的长度方向的变化是先减小后增大的,电路板竖直方向位置的改变主要影响 沿电路板宽度方向的变化规律,且随着距离轮毂中心距离的增大,电路板上元器件温度较高的位置沿电路板的宽度方向由电路板的中间位置不断向边缘移动。此研究能够为散热风扇安装位置以及电路板的热设计提供重要的依据,对电子设备的热设计具有重要的意义。     

基于MC33153的IGBT驱动电路设计

在分析IGBT的保护设计要求和MC33153的驱动特性基础上,设计一种基于MC33153的IGBT驱动电路。该电路采用光电隔离、延时消隐和负载检测等方法使其具有短路保护和自锁功能,既能满足IGBT的外围保护设计要求,又能克服MC33153内部无隔离电路、存在保护盲区和短路不能自锁的不足。实验结果表明,该驱动电路能够对IGBT进行有效驱动和保护。     

基于CPLD的IGBT驱动信号封锁保护电路设计

介绍了一种基于复杂可编程逻辑器件(CPLD)的绝缘栅双极晶体管(IGBT)驱动信号封锁保护电路的设计, 该电路以ALTERA公司MAX Ⅱ系列CPLD芯片为核心, 采用了EDA软件Quartus Ⅱ对电路进行了软件仿真, 并在永磁同步电机三相逆变调速控制试验平台上进行了功能验证实验, 结果表明该电路设计符合实际工作需求.该电路设计方案具有开发快、集成度高、抗干扰能力强、响应速度快和可靠性好等特点.     

大功率IGBT模块的驱动电路及参数选择

根据IGBT模块的工作特性介绍了三种栅极驱动电路，即分立元件组成的驱动电路、集成元件组成的驱动电路、混合驱动电路，并讨论了栅极驱动正向电压、反向关断电压及RG参数的合理确定。     

IGBT过电流保护电路的研制

分析了电力电子电路中常规的ＩＧＢＴ过电流保护方式及存在的问题,提出新的ＩＧ－ＢＴ过电流保护电路,分析其工作原理,指出适用范围     

逆变焊机IGBT驱动及保护电路的比较分析

通过对逆变焊机IGBT驱动及保护电路的分析与改造,提高了焊机的性能,大大降低了IGBT模块的损坏几率。     

PWM控制回路的设计

围绕三相异步电动机的变频调速,运用电子技术,构造了一种PWM控制模式,并以此为依据实现了高频率、大范围和精密控制的无级调速．     

IGBT栅极驱动电路的特性分析和应用

分析了功率绝缘栅双极性晶体管IGBT对驱动电路的特殊要求以及设计驱动电路应该考虑的问题，概述了IGBT驱动电路的常用类型，并给出了几个具有实用意义的典型电路。     

600V槽栅IGBT优良性能的机理分析

槽栅结构对功率绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBT)的影响主要是n-漂移区的电导调制而不是对沟道电阻的改善,为了论证这一问题,采用仿真工具Sentaurus TCAD,针对600 V的Trench IGBT和Planar IGBT两种结构的阻断特性、导通特性和开关特性等进行仿真分析,重点研究了2种结构在导通态时n-漂移区和沟道区各自所占的通态压降的比例以及n-漂移区内的过剩载流子数量.结果表明:2种结构的沟道区压降所占比例较小且相差很少,槽栅结构的n-漂移区内载流子数量远超平面栅结构,电导调制效果更好,即槽栅结构主要是对n-漂移区的电导调制的改善.同时研究了2种IGBT结构的Eoff-VCE(on)折中曲线,发现槽栅IGBT具有更低的通态压降和关断损耗.     

超强磁破甲弹磁头装置的磁路设计

介绍了超强磁破甲弹磁头装置的工作原理.通过对磁头装置的磁路设计,提出了磁头装置的工作点应选在有用回复能最大的位置上,并给出磁力计算方法和公式.