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静态随机存取存储器质子单粒子效应实验研究 总被引:6,自引:3,他引:6
描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。采用金箔散射法可以降低加速器质子束流五六个量级,从而满足半导体器件质子单粒子效应的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。提高了存储器单粒子效应长线测量系统的性能,保证了翻转数的准确测量。实验测得静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面为10^-14cm^2/bit量级,随质子能量的增大略有增大。 相似文献
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航空航天电子系统对电子器件选型评估时需考虑器件的多单元翻转(MCU)情况,而MCU信息提取面临的最主要困难是缺少器件的版图信息。本文提出一种基于概率统计的单粒子MCU信息提取方法,其可在无版图信息条件下以较高精度提取单粒子翻转(SEU)实验数据中的MCU信息。该方法通过统计分析SEU实验数据中不同翻转地址间的按位异或和汉明距离以提取MCU模板,然后利用该模板提取MCU信息。采用一款位交错SRAM器件的重离子实验数据对上述方法进行了验证,结果表明,该方法能以较高的精度提取实验数据中的MCU信息。该方法可省去对器件进行逆向工程的时间和成本,提高科学研究和航空航天器件选型效率。 相似文献
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65 nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转错误率预估 总被引:1,自引:0,他引:1
质子单粒子效应是纳米工艺集成电路空间应用面临的主要辐射问题之一。本文开展了一款商业级65 nm工艺4 M×18 bit随机静态存储器(SRAM)质子单粒子翻转实验研究。针对地球同步轨道、低地球轨道,使用Space Radiation 7.0程序,预估了低能质子、高能质子和重离子引起的错误率。错误率预估分析结果表明,不同轨道及环境模型下低能质子错误率占总错误率的比例范围为1%~86%,其中太阳质子事件、地球俘获带等环境模型中低能质子单粒子翻转引起的错误率占主导,建议空间应用的元器件对低能质子不敏感。 相似文献
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静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究 总被引:6,自引:3,他引:3
应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4~ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。实验结果表明 ,可以用 2 52 Cf源替代重离子加速器测量静态随机存取存储器的单粒子翻转饱和截面 相似文献
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基于北京HI-13串列加速器质子源及技术改进工作,获得2~15 MeV低能质子束流。针对商业级65 nm工艺4M×18 bit大容量随机静态存储器(SRAM),开展了质子单粒子翻转实验研究。实验结果表明,低能质子通过直接电离机制可在存储器中引起显著的单粒子翻转,其翻转截面较核反应机制引起的翻转截面大2~3个数量级。结合实验数据分析了质子翻转机制、LET值及射程、临界电荷及空间软错误率等,分析结果表明,实验器件翻转临界电荷约为0.97 fC,而低能质子超过高能质子成为质子软错误率的主要贡献因素。 相似文献
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应用^252Cf源和^60Coγ源进行单粒子翻转斋与γ累积剂量的关系研究,实验结果表明,静态加电和不加电状态下,γ累积剂量对单粒子翻转截面的影响不大,无明显的规律。动态测量状态下,在存储单元中写入相同数据时,器件的单粒子翻转截面随累积剂量的增加而增大。在实验中把存储单元中的数据相反,会使器件的单粒子翻转截面水经^60Coγ源辐照时的水平,甚至更低,从而抵消了累积剂量对单粒子翻转截面的影响。 相似文献
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通过测试基于静态随机存储器(SRAM)的现场可编程门阵列(FPGA)芯片的单粒子效应,研究脉冲激光的试验方法,评估脉冲激光试验单粒子效应的有效性。研究表明,激光光斑聚焦深度和激光注量是影响脉冲激光单粒子效应试验的重要因素。试验发现,脉冲激光在较高能量时,单个激光脉冲会触发多个配置存储位发生单粒子翻转,造成芯片饱和翻转截面偏大。激光辐照芯片时,观察到芯片的内核工作电流以1~2 mA的幅度逐渐增加,在此期间器件工作正常。试验获得了Virtex 2 FPGA芯片的静态单粒子翻转截面和翻转阈值。通过对比激光与重离子的试验结果发现,二者在测试器件单粒子翻转方面基本一致,脉冲激光可有效研究芯片的单粒子效应特性。 相似文献
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针对0.13 μm和0.35 μm工艺尺寸的两款商用SRAM器件进行了脉冲激光背部单粒子翻转效应试验方法研究。单粒子翻转效应主要测试单粒子翻转阈值和单粒子翻转截面,本文主要研究了激光聚焦深度、激光脉冲注量、测试模式和芯片配置的数据对测试两者的影响。试验结果表明:只有聚焦到芯片有源区才可测得最低的翻转阈值和最大的翻转截面,此时的结果与重离子结果基本一致;注量对翻转阈值测试无影响,但注量增大时翻转截面会减小,测试时激光脉冲注量应小于1×107cm-2;测试模式和存储数据对翻转阈值和翻转截面的影响不大,测试时可不考虑。 相似文献
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提出了Ep<3GeV能区质子反应同质异能态截面比的半经验公式.该公式仅含有1个系统学参数,适应于产物核质量数44≤A≤197、同质异能态自旋0.5≤Jm≤9.5和基态自旋0.5≤Jg≤7的质子反应.该半经验公式很好地再现了已有实验数据,能较好地预言无实验数据的同质异能态截面比或同质异能态截面. 相似文献