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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 156 毫秒
1.
研究了制备工艺与热处理对TiO2薄膜光响应的影响。用直流反应磁控溅射法在玻璃基片上制备TiO2薄膜,并分别在400℃与600℃下进行热处理,应用XRD、SEM、UV—Vis等分析方法对其进行表征。实验结果表明较高的温度与适当的氧分压可以提高薄膜的结晶度,随着温度的升高,薄膜晶粒粒径增大,其可见光透过率有所降低,而使薄膜的吸收阈值向长波方向移动。  相似文献   

2.
采用磁控溅射技术制备TiAlN、CrAlN及含Ti、Cr过渡层的TiAlN、CrAlN四种薄膜,并对其进行850℃大气热处理实验,通过激光共聚焦显微镜、纳米压痕仪对热处理后的试样进行测试。表征结果显示:热处理后的TiAlN薄膜及含有Ti过渡层的TiAlN薄膜硬度及弹性模量都大幅降低,前者比后者的表面粗糙度小、抗氧化性能更优;热处理后CrAlN薄膜的硬度和弹性模量大幅下降,而含Cr过渡层的CrAlN薄膜热处理后的硬度、模量相对较高,表面粗糙度也相对较小。  相似文献   

3.
多种因素对TiO_2薄膜折射率的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
用电子束蒸发法制备TiO2薄膜,详细研究了工艺参数和热处理对TiO2薄膜折射率的影响。得到镀制高折射率的氧化钛薄膜最佳工艺参数:基片温度200℃、真空度2×10-2Pa、沉积速率0.2nm/s。热处理可以提高TiO2薄膜折射率。  相似文献   

4.
采用Sol-gel法,在普通载玻片和Si(100)上使用旋转涂覆技术制备了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜。利用XRD和SEM研究了衬底和热处理温度对ZnO薄膜的物相结构、表面形貌和(002)定向性的影响。结果表明,sol—gel旋涂法制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,玻璃衬底上生长的ZnO薄膜为多晶形态,Si(100)衬底表现出更优取向生长特性。随着热处理温度的升高,c轴择优取向程度逐渐增强,晶粒尺寸逐渐增大,ZnO的晶格参数先增加后减小。当温度在700℃时长出明显的柱状晶粒。  相似文献   

5.
本文用溶胶—凝胶法在ITO导电玻璃上制备了WO3 薄膜 ,并在 1 5 0~5 0 0℃的空气环境中将薄膜进行了热处理 ,用SEM、XRD观察了薄膜的表面形貌 ,分析了薄膜的微观结构及热处理温度对薄膜的结构和电致色性质的影响 ,讨论了薄膜的致色机理。  相似文献   

6.
综述了溶胶—凝胶法制备择优取向铁电陶瓷薄膜的研究现状,主要介绍了制备过程中衬底材料、热处理工艺、前驱体以及掺杂等因素对铁电陶瓷薄膜择优取向的影响以及铁电陶瓷薄膜的择优取向与铁电性能的关系。  相似文献   

7.
综述了溶胶—凝胶法制备择优取向铁电陶瓷薄膜的研究现状,主要介绍了制备过程中衬底材料、热处理工艺、前驱体以及掺杂等因素对铁电陶瓷薄膜择优取向的影响以及铁电陶瓷薄膜的择优取向与铁电性能的关系。  相似文献   

8.
提拉法制备耐刮擦SiO2减反膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,采用碱/酸两步催化法制备出SiO2溶胶,在未钢化的玻璃表面经提拉法制备SiO2薄膜,利用玻璃的钢化过程对薄膜进行热处理.使用场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜、椭偏仪、傅立叶红外光谱、分光光度计等分析了薄膜的特性.实验结果表明经过玻璃的钢化后,薄膜反射率峰值为0.17%,在400-800 nm的波长范围内平均反射率较镀膜前下降了5%以上,同时薄膜具有较好的耐刮擦性能.  相似文献   

9.
用丝网印刷结合溶胶凝胶法制备了多孔TiO2薄膜,用溶液浸渍法制备了ZnO/TiO2复合薄膜;对薄膜的热处理制度、表面形貌、横断面结构、吸光度等进行了分析;组装电池,测试了电池的光电性能,结果表明:浸渍Zn(Ac)23 h,经过适当的热处理后,可以形成结晶良好,吸光度较好的ZnO/TiO2复合薄膜,电池的开路电压,短路电流以及光电转换效率均得到较大的提高。  相似文献   

10.
CeO2-Y2O3电解质薄膜等效电路研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
测量了采用溶胶-凝胶法制备的CeO2-Y2O3电解质薄膜的阻抗谱,结果表明阻抗谱与薄膜的热处理温度有关。根据阻抗谱的变化及薄膜的XRD图,提出了薄膜内部的模拟等效电路,并由此对不同热处理温度下薄膜的阻抗谱进行了分析。  相似文献   

11.
以SnCl2·2H2O为原料,采用压缩喷雾热分解的方法在玻璃衬底和石英片衬底上制得氧化锡薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)分别对薄膜的内部结构和表面形貌进行了表征。研究表明,500℃下制备的薄膜比较致密平整;320℃下,喷雾50min制得的薄膜的X射线衍射峰强度较强;相同喷雾时间下,当温度达到380℃时,X射线衍射峰的强度大幅度提高。  相似文献   

12.
半导体器件钝化层Si3N4薄膜的制备及特性研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用热分解法在硅衬底上制备了Si3N4薄膜,根据在制备过程中薄膜生长速度随颜色的变化,研究了衬底温度和薄膜沉积速率之间的关系,分别利用AFM对薄膜表面进行观测,C—V法对薄膜和硅片界面态进行了测试。结果表明:所制备的Si3N4薄膜在硅片上以无定形方式存在,在Si3N4薄膜和硅界面之间存在着大量的表面电荷,由于这种高密度表面电荷的存在,导致Si3N4薄膜不适于直接作为半导体器件的表面钝化层。  相似文献   

13.
用丝网印刷结合溶胶凝胶法制备了多孔TiO2薄膜,用溶液浸渍法制备了ZnO/TiO2复合薄膜;对薄膜的热处理制度、表面形貌、横断面结构、吸光度等进行了分析;组装电池,测试了电池的光电性能,结果表明:浸渍Zn(Ac)23 h,经过适当的热处理后,可以形成结晶良好,吸光度较好的ZnO/TiO2复合薄膜,电池的开路电压,短路电流以及光电转换效率均得到较大的提高.  相似文献   

14.
该文采用RF磁控溅射工艺制备了射频薄膜电感用的铁氧体薄膜。为了降低铁氧体薄膜在高频下的涡流损耗、剩余损耗等,通过对铁氧体材料的磁特性分析,研究了不同的温度、成分掺杂对铁氧体磁性能的影响,获得了矫顽力为5.619 6Guss的铁氧体薄膜,并采用SEM、XRD对铁氧体薄膜表面结构进行了表征,采用VSM对薄膜磁性能进行了测试。  相似文献   

15.
Zn0.8Cd0.2O thin films prepared using the spin-coating method were investigated. X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and UV-Vis spectrophotometry were employed to illustrate the effects of the pre-heating temperature on the crystalline structure, surface morphology and transmission spectra of Zn0.8Cd0.2O thin films. When the thin films were pre-heated at 150 °C, polycrystalline ZnO thin films were obtained. When the thin films were pre-heated at temperatures of 200 °C or higher, preferential growth of ZnO nanocrystals along the c-axis was observed. Transmission spectra showed that thin films with high transmission in the visible light range were prepared and effective bandgap energies of these thin films decreased from 3.19 eV to 3.08 eV when the pre-heating temperature increased from 150 °C to 300 °C.  相似文献   

16.
本实验是研究退火温度对MgB2超导薄膜的影响。在多晶Al2O3衬底上,以B2H6作为硼源,化学气相沉积先驱硼薄膜,采用Mg扩散方法,在不同退火温度条件下制备了MgB2超导薄膜;还采用了测量电阻-温度曲线、X射线衍射分析和扫描电子显微镜形貌观测方法。结果表明,退火温度对MgB2薄膜的超导特性、晶体结构和相纯、表面形貌有影响。退火温度高,生成的MgB2晶粒较大,晶形好,正常态电阻也增大,杂相越少。  相似文献   

17.
采用过氧钛酸溶胶凝胶法(sol-gel)制备 TiO2溶胶,并用浸渍-提拉法在304不锈钢(304SS)上制备TiO2薄膜。利用X射线衍射仪(XRD),原子力显微镜(AFM )和紫外-可见分光光度计(UV/Vis)表征了 TiO2晶型、薄膜表面形貌以及光吸收性能。通过极化曲线法分别研究了在暗态和光照条件下TiO2薄膜对304SS的防腐性能。结果表明:在暗态下,镀膜厚度为240.7 nm ,表面粗糙度为3.64 nm的 T iO2薄膜有最佳的机械防腐性能,腐蚀速率可从6.32×10-6 mm/a降低到5.65×10-9 mm/a;在光照条件下,膜厚294.3 nm ,处理温度为400℃,只有单一锐钛矿晶型的TiO2薄膜,对304SS的阴极保护性能较好,腐蚀电位可由-130 mV降到-319 mV。  相似文献   

18.
以Zn(NO3)2·6H2O为前驱体,采用超声喷雾热解法在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外光谱仪(UVS)等对所得ZnO薄膜进行表征,研究了沉积温度对ZnO薄膜的结构、微观形貌及光学性能的影响。结果表明,沉积温度为500℃时所制备的薄膜质量最佳,形成的是六角纤锌矿ZnO结构,且薄膜沿(002)晶面择优取向生长显著,薄膜表面光滑致密,晶粒细小均匀,尺寸在50~60nm。薄膜表现出良好的光学性能,可见光透过率可达87%。  相似文献   

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