共束声光可调滤光器研究

声光可调滤光器（ＡＯＴＦ）具有独特的光波长调谐功能，可望用于光通信的波分复用（ＷＤＭ）技术。而共束声光滤光器（ＣＢ－ＡＯＴＦ）兼顾了共线和非共线ＡＯＴＦ的优点。给出ＣＢ－ＡＯＴＦ的工作原理和设计方法。获得了在２０ｍＷ下９８％的衍射效率，旁瓣抑制优于３３ｄＢ和线宽０．８ｎｍ的结果。     

GaAs衬底层选择性腐蚀技术

本文在ＧａＡｓＧａＡｌＡｓ选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀ＧａＡｓ衬底层获得ＧａＡ／ＧａＡｌＡｓ外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了Ｃ３Ｈ４（ＯＨ）（ＣＯＯＨ）３．Ｈ２Ｏ－Ｈ２Ｏ２系选择性腐蚀液和Ｈ２ＳＯ４－Ｈ２Ｏ２系腐蚀液，获得了快速，可控制，重复性好的可全部可局部去除衬底的腐蚀方法。     

新型陶瓷刀具材料JX—2—I组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ２Ｏ３），ＡＰ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ），ＡＷ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）和ＪＸ－１（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ｉ具有较高的抗弯强度（σｂｂ）和断裂韧性ＫＩＣ，研究结果表明，在ＪＸ－２－Ｉ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强原协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的主要增韧机理是界面解离，裂纹偏转和晶须拔     

声光与光纤技术

２声光与光纤技术９５０７９声光可调同步滤光器的时间与波长分割多重存取功能一ＫｏｖａｃｅｖｉｃＭ，ＦｉｂｅｒＩｎｔｅｇｙＯｐｔ，１９９３：１２（２）：１１３～１３２大城市的网络通信采用无源光星形时间与波长分割多重存取（Ｔ／ＷＤＭＡ）方案。首先说明Ｔ／Ｗ...     

新型陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）、ＡＰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ）、ＡＷ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）和Ｊｘ－１（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ⅰ具有较高的抗弯强度（σ＿（ｂｂ））和断裂韧性Ｋ＿（Ｉｃ）；研究结果表明，在ＪＸ－２－Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。     

声表面波技术

１声表面波技术９５１２１采用ＳＡＷ卷积器的２．４５ＧＨｚ非同步扩频调制解调器的全双工传输──ＴｓｕｂｏｕｈｉＫ．ＩＥＥＥＴｒａｎｓＵｌｔｒａｓｏｎＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｅｒＦｒｅｑＣｏｎｔｒｏｌ，１９９３；４０（５）：４７８～４８２利用ＺｎＯ－ＳｉＯ＿...     

应用于频谱分析的高分辨率声光偏转器

介绍了应用于频谱分析的高分辨率声光偏转器，描述了偏转器的原理、设计，给出了光波长650nm，带宽50MHz，分辨率20kHz，峰值衍射效率74％（线偏振光）的实验结果。     

Er,O离子共注入GaAs的二次离子质谱的研究

在Ⅲ－Ⅴ族半导体ＧａＡｓ外延层上共注入Ｅｒ和Ｏ离子（ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ）．经面对面优化退火后，光致发光（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ－ＰＬ）谱中观测到对应Ｅｒ３＋第一激发态到基态４Ｉ１３／２－４Ｉ１５／２跃迁，其相对强度较单注入Ｅｒ的ＧａＡｓ（ＧａＡｓ：Ｅｒ）增强１０倍，且谱线变窄．从二次离子质谱（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎＭａｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ－ＳＩＭＳ）和卢瑟福背散射实验给出退火前后Ｅｒ在ＧａＡｓ：Ｅｒ样品中的剖面分布．ＳＩＭＳ测量分别给出Ｏ注入前后Ｅｒ和Ｏ在ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ中的深度剖面分布，分析表明Ｅｒ和Ｏ共注入后形成光学激活有效的发光中心．     

声光与光纤技术

２声光与光纤技术９４３１２集成式声光大体传感器──ＨｉｎｋｏｖＩ．ＳｅｎｓＡｃｔｕｔｏｒｓＢ．１９９３；１１（１／３）：２２７～２３１评价了集成式声光气体传感器的可能性。该传感器由集成的声光ＴＥ－ＴＭ模变换器构成。上面设置感应层，利用Ｔｉ扩散制成光通...     

声光偏转工作模式及其应用研究

从声光偏转器对光束产生偏转的原理进行了讨论.根据声光偏转器件的工作方式分别归纳和介绍了声光偏转器在各个领域的应用研究.并提出了利用声光偏转器实现时间域信号向空间域转换的新思想.     

He－Ne激光对玉米幼苗活性氧代谢的影响

用功率密度为２．８ｍＷ／ｍｍ２，３．８ｍＷ／ｍｍ２及５．４ｍＷ／ｍｍ２的Ｈｅ－Ｎｅ激光辐射干种子，辐射时间均分别为５，５０和５００ｓ。发现经激光辐射干种子的玉米幼苗中，过氧化物酶（ＰＯＤ）和过氧化氢酶（ＣＡＴ）活性均增高，抗坏血酸过氧化物酶（ＡｓＡＰＯＤ）活性下降，谷光甘肽（ＧＳＨ）含量增加。其综合效果是增强了植物体清除活性氧的能力。     

利用全光纤自外差系统研究光纤光栅半导体激光器的线宽

以带光纤尾纤引出式微体声光移频器（ＡＯＦＳ）为基础,用全光纤结构的延迟自外差激光器线宽测量系统（分辨率为５０ｋＨｚ）,其中声光移频器插入损耗仅为２．９ｄＢ,大大提高了信噪比。采用该系统对窄线宽１．３μｍ光纤光栅半导体激光器（ＦＢＧ－ＬＤ）进行了测量,测得激光器线宽的典型值为１．５ＭＨｚ,同时分析了测量系统近端反射光对线宽测量精度的影响以及ＦＢＧ－ＬＧ的线宽压窄特性,最后验证了ＦＢＧ－ＬＤ 输出线宽     

CO2激光雷达的线性调频脉冲压缩技术

用声表面波色散延迟线和声光调制器对ＣＯ２激光进行线性调频脉冲压缩（ＬＦＭ／ＰＣ），线性调频信号带宽为Δｆ＝２０ＭＨｚ、持续时间Ｔ＝８μｓ，经压缩后的脉宽缩短到８０ｎｓ。这种技术成功地用于相干式ＣＯ２激光成象雷达，实验成功了３．１ｋｍ远处建筑物的清晰雷达像。     

MOCVD生长大功率单量子阱激光器

本文介绍了ＭＯＣＶＤ生长的高质量ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ材料以及（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ分别限制单量于阱激光器．ＧａＡｓ材料的７７Ｋ迁移率为１２２，７００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ具有均匀陡变的界面．激光器的最大光输出功率为４Ｗ，平均光功率密度达４ＭＷ／ｃｍ２，斜率效率为１．２Ｗ／Ａ，在１Ｗ恒功老化４０００小时电流增加小于１０％，预计寿命可超过两万小时．     

GaAs（100）表面钝化和Mg／S／GaAs界面的SRPES研究

应用同步辐射光电子谱（ＳＲＰＥＳ）表征了一种新的ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液体系处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与ＧａＡｓ的新界面，这说明ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液处理的ＧａＡｓ（１００）表面具有明显的钝化作用．钝化表面退火处理后，发现ＡＳ的硫化物不稳定，分解或反应生成Ｇａ－Ｓ成分和元素态Ａｓ；室温下，Ｍｇ淀积硫钝化的ＧａＡｓ表面的实验结果表明，Ｍｇ置换ＧａＳ的Ｇａ成为金属Ｇａ偏析到表面，而硫以ＭｇＳ     

具有均匀强度响应的扫描声-电-光偏转器

本文介绍一种声光偏转器,相对于扫描角来说,其偏转输出光束强度是均匀的.此偏转器所依据的原理是用声-电-光效应来控制声光偏转器的相位失配.报道了该偏转器的实验结果.     

GaAs表面钝化的新方法：S_2Cl_2处理

本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的表面ＡＥＳ谱显示含有Ｓ，Ｇａ，ＡＳ，Ｃ和少量Ｃｌ原子而不含Ｏ原子．ＸＰＳ谱说明Ｓ原子和Ｇａ、Ａｓ原子都成键．与（ＮＨ４）２Ｓ处理的比较结果显示，几秒钟的．Ｓ２Ｃｌ２处理即可达到或超过几十分钟（ＮＨ４）２Ｓ处理的钝化效果．     

先进的全硅BiCMOS转移阻抗放大器

飞利浦半导体日前宣布推出一套新型ＢｉＣＭＯＳ转移阻抗放大器（ＴＩＡ）系列。该系列器件拥有片上自动增益控制（ＡＧＣ）电路 ,专为高性能光纤通讯链路及高速数据网络中的数字光纤接收器而设计。该系列全硅放大器可以满足网络市场在更大的数据传输带宽及大幅降低成本两方面的需求。该新品系列包含ＴＩＡｓ、ＴＺＡ３０３３、ＴＺＡ３０２３、ＴＺＡ３０４３及ＴＺＡ３０１３等型号 ,分别为１５５Ｍｂｐｓ（ＳＴＭ１／ＯＣ３）、６２２Ｍｂｐｓ（ＳＴＭ４／ＯＣ１２）、１．２Ｇｂｐｓ（吉比特以太网）及２．５Ｇｂｐｓ光纤网而设计。其输…     

GaAs、GaP、InP、InGaAsP、AlGaAs、InAlGaAs的化学腐蚀研究

为研制全集成光开关、微片式激光器等，对ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＡＩＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ等材料的化学腐蚀进行了实验研究。为了研制ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ微片式激光器，开发了Ｈ３ＰＯ４／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ薄层腐蚀液和ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ选择性腐蚀液；为了研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰＴｂａｒ型光波导，开发了ＨＣｌ／Ｈ３ＰＯ４／Ｈ２Ｏ２薄层腐蚀液和ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２选择性腐蚀液；为了研制ＧａＰ、ＩｎＧａＰ光波导，开发了ＨＣｌ／ＨＮＯ３／Ｈ２Ｏ薄层腐蚀液。它们都具有稳定、重复性好、速率可控、腐蚀后表面形貌好等特点。除此之外，蚀刻成的ＧａＰ光波导侧壁平滑无波纹起伏。此种结果尚未见报导。     

单晶、薄膜及其它功能材料

４单晶、薄膜及其它功能材料９５１０５热处理条件对用等离子体ＣＶＤ法蒸发的Ｔａ２Ｏｓ薄膜特性的影响一ＢａｅｋＹＫ，ＪＫｏｒｅａｎＩｎｓｔＴｅｌｅｍａｔＥｌｅｃｔｒｏｎ２Ａ（ＫＯＲ），１９９３：３０（８）：６２４～６３１观察了热处理条件对利用钽乙盐醇和氧...