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续竞存 《固体电子学研究与进展》1996,16(3):254-258
用电荷控制及热电子弹道运动模型计算InAs/InP0.7Sb0.3热电子晶体管的截止频率fT及最高振荡频率fmax。结果表明,fT、fmax分别达到280GHz及600GHz。并指出,通过生长GaSb中间层,InAs/InP0.7Sb0.3HET可在GaAs衬底上实现单片集成。 相似文献
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本文报道了D波段单片振荡-倍频链的设计、MMIC制作及测试。该电路用亚微米(0.1μm)InAlAs/InGaAsHEMT制造,且芯片上有稳定偏压电路,一个集成的E场探针将信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为130.5GHz至132.8GHz,输入功率为-12dBm,设计的HEMT小栅宽为45μm。这是首次报道的用InP基HEMT制作的D波段单片振荡-倍频链。 相似文献
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介绍了以栅宽1.2mm GaAsFET器件为基础的两级GaAs功率单片集成电路的设计、制作及其性能,该两级单片集成电路在10 ̄11GHz频带内,输出功率1W,增益10dB。 相似文献
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报道Ka频段GaAs单片平衡混频器的设计和研究结果。用自行开发的“TUMMIXER”软件进行电路设计,工艺以半绝缘GaAs为衬底,采用NbMo/GaAs接触形成肖特基势垒二极管,以SiO2和聚酰亚胺双介质为保护膜,增强了工艺的成功率。研制成功的芯片尺寸为:2mm×3mm×0.2mm,在f=31~36GHZ范围内NFSSB≤10dB,最佳点f=32.2GHzNF.SSB=8.7dB[fIF=1.2GHz]。 相似文献
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分析研究了一种新型12GHzGaAsMESFET单片混频器,这种混频器采用级联FET作为混频元件。射频(RF)和本振(LO)信号分别通过各自的匹配网络进入混频电路,在中频输出端用中频缓冲放大器代替通常的中频匹配电路。电路在厚0.2mm,面积1.5mm×1.2mm的GaAs基片上实现。设计的MMIC混频器在本振11GHz,射频11.7~12.2GHZ频率范围内的最大变频增益1.8dB。这一结果使进一步研究单片微波接收机成为可能。 相似文献
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在71—163K的不同稳定温度下,对GaAs-Al0.3Ga0.7As调制掺杂异质结构界面的光激发过剩电子的浓度,作了10-5-103秒时间范围的瞬变测量.一个包含了热声子辅助隧穿,Si掺杂的AlxGa1-xAs层DX中心俘获势垒分布和隧穿后电子的能量弛豫过程的理论计算可以定量地解释实验结果. 相似文献
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报道了一种源耦合反馈单片有源环行器的研究结果、该单片电路采用实测FET的S参数进行微波CAD优化设计,内部包含有3个300μm栅宽的FET,芯片面积1.7mm×1.9mm。采用GaAs的离子注入平面工艺,芯片电路具有良好的均匀性、一致性。在3.5~4.5GHz内,电路插入损耗约7.5dB,隔离度为21~26dB,驻波比基本小于2。 相似文献
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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 相似文献
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本文报道我们率先研制出的3~5.3μmInxGa1-xAs/AlyGa1-yAs/AlzGa1-zAs非对称台阶量子阱红外探测器的制备和性能.该探测器具有光伏特征,77K温度、±7V外偏压下的500K黑体探测率达到约1.0×1010cm·Hz1/2/W,并且,与1→2子带间跃迁相对应的光电流峰值响应波长可随外偏压在中红外(3~5.3μm)波段作适当调谐.运用平面波展开法,依据样品的阱、垒结构参数,计算了InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs/AlzGa1-zAs非对称台阶量子阱1→2子带间跃迁的Sta 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
新结构高性能In_(0.3)Ga_(0.7)As/In_(0.29)Al_(0.71)As/GaAsHEMT研究证明,InGaAsHEMT的结构优于GaAsMESFET和习用的AlGaAs/GaAsHEMT。在GaAs上制备的赝配结构HEMT(PM-HE... 相似文献
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GaAs/Al_0.33Ga_0.67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化 总被引:1,自引:0,他引:1
利用高压光致发光方法在液氮温度下和0—35kar的压力范围内对不同层厚的GaAs/Al0.33Ga0.67As短周期超晶格以及具有相近组份的Al0.3Ga0.7As体材料进行了系统的研究.测得Al0.3Ga0.7As体材料的Γ谷和X谷的压力系数分别为8.6meV/kbar和-.57meV/kbar.在一定的压力范围内同时观测到了短周期超晶格中与类Γ态和类X态相关的发光峰,从而得到了类Γ态能级和类X态能级随压力的变化关系.首次获得了有关GaAs/Al0.33Ga0.67As短周期超晶格能带不连续性(包括价带 相似文献
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InxGa1—xAs/AlyGa1—yAs多量子阱的高压光致发光研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用金刚石对顶砧压力装置在浓氮温度下和0~4GPa的压力范围内测量了不同阱宽(1.7~11.0nm)的InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs(x,y=0.15,0;0.15,0.33;0,0.33)多量子阱的静压光致发光谱,发现在In0.15Ga0.85As/GaAs多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小,在In0.15Ga0.85As/ 相似文献
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用金刚石对顶砧压力装置在液氮温度下和0~4GPa的压力范围内测量了不同阱宽(1.7~11.0nm)的InxGa(1-x)As/Al(1-y)Ga(1-y)As(x,y=0.15,0;0.15,0.33;0,0.33)多量子阱的静压光致发光谱,发现在In0.15Ga0.85As/GaAs多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小,在In0.15Ga0.85As/Al0.33Ga0.67As和GaAs/Al0.33Ga0.67As多量子阱中相应发光峰的压力系数随附宽的增加而增加.根据Kroniy-Penney模型计算了发光峰能量的压力系数随阱宽的变化关系,结果表明导带不连续性随压力的增加(减小)及电子有效质量随压力的增加是压力系数随阱宽增加而减小(增加)的主要原因. 相似文献
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兆铮 《固体电子学研究与进展》1996,(2)
140GHz工作的放大IC据《日经》1995年第626期报道,美国TRWInc.的EkctronicsSystemsandTechnologyDivision已制成工作频率140GHz的InAIAs/lnGaAs/InPHEMT两级单片放大IC,可用... 相似文献