液晶显示器背光源及面板(CCFL)简介及维修资料(三)

2.LED背光源LED的基本结构是一块发光半导体材料,其核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层,称为PN结。发光二极管的伏安特性与普通二极管相似,只是死区电压比普通二极管要大,约2V。它除了具有普通     

日本TDK公司推出新型衬底：LED亮度提升10％

TDK公司开发的陶瓷衬底,不但可以保护LED,并使其亮度提升10％。该衬底在像半导体的晶片里面加工与制造,并与变阻器具有相同的功能。变阻器被用来防止静电,但是通常不能与LED同用。     

LED芯片制造相关专利简介

1一种结构改良的LED芯片公开(公告)号:CN102148309A摘要:本发明涉及LED制备技术领域,尤其涉及一种结构改良的LED芯片。本发明所述的一种结构改良的LED芯片,包括有从下至上依次层叠设置的衬底、N型半导体层、有源层以及P型半导体层,所述衬底的下方层叠设置有反     

发光材料

LED用荧光粉【专利】／同和矿业／／CNl683470A。本发明提供了对从发蓝光或紫外光的发光部发出的紫外～可见（300-550nm）波长区域的光具有激发不定期的高效荧光物质。本发明的解决方案是，准备Ca的氮化物、A1的氮化物、Si的氮化物、Eu的氧化物，按各元素的摩尔比Ca：Al：     

欧司朗研发成功硅衬底LED芯片

欧司朗光电半导体的研发人员成功制造出高性能蓝白光LED原型，其氮化镓发光层生长于直径为150mm的硅晶圆上，获得了与蓝宝石衬底LED芯片同样优异的质量。这款以硅代替目前常用的蓝宝石衬底的全新LED芯片已经进入试点阶段，将在实际条件下接受测试，这表示欧司朗光电半导体的首批硅衬底LED芯片有望在两年内投放市场。     

GaN衬底材料的研究与发展

GaN同质外延衬底的研制对发展氮化物半导体激光器、大功率高亮度LED,以及高功率电子器件等是非常重要的。本文介绍了宽禁带氮化物半导体衬底材料研究方面技术原理、新方法以及所取得最新进展。大量创新性的衬底技术的应用,给自支撑GaN衬底在半导体微电子器件和光电子器件等领域大规模生产和应用提供了可能。     

2010-2011年全球半导体投资额达830亿美元

<正>国际半导体制造装置材料协会(SEMI)近期公布了有关半导体生产线的预测。该预测分析了在2010年和2011年两年内,包括MEMS、LED、离散半导体、LED和MEMS在内的大规模量产以及少量生产用生产线的新建计划和设备投资计划。最终SEMI认为,全球有150多项半导体生产线投资计划正在推进,其总额估计将达到830亿美元。     

抗太阳光的大面积LED显示屏罩壳设计

引言 发光二极管(LED)是近几十年来迅速崛起的半导体光电器件,作为一种能量转换效率较高的固体发光器件,LED具有低功耗、亮度高、长寿命、小型化和发光响应速度快等优点,已经发展成为新型的照明光源.随着晶片技术和封装工艺的日趋成熟,使得LED的发光效率大为提高,产品的开发成本和制造费用也大幅下降,LED广泛使用成为可能.     

石墨烯能大幅降低蓝光LED成本 IBM已投资30亿美元

<正>世界上几乎所有的半导体技术研究机构都在尝试制造单层石墨烯(graphene),并将其视为优于硅的新一代IC材料;不过目前IBM的研究人员却发现石墨烯材料的另一种优势,能大幅降低采用氮化镓(Ga N)制造的蓝光LED成本。由于IBM公司Kim的实验室制作的Ga N薄膜是成功重复利用Si C晶圆片上的石墨烯长成,这是可利用石墨烯大幅降低半导体组件制造成本的全新方式,也为在石墨烯上生长高质量单晶半导体元件提供了一个通用准则。将     

多层印刷线路板的制法

发明的详细说明: 本发明是关于以玻璃纤维为基材,聚酰亚胺类树脂为粘合剂的层压板,作为耐热、耐燃及高可靠性的多层印刷线路板的制造方法。用通孔镀复金属方法制作的多层印刷线路板,其绝缘体一般是选用玻璃纤维环氧复