6.5 MHz双模陶瓷滤波器

本文介绍化学通式为Pb[(Sn_(1/3)Nb_(2/3))_A(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_BTi_CZr_D〕O_3的四元系压电陶瓷及用此材料制作的滤波器.同时介绍该滤波器所采用的直接耦合双模结构电极图案的设计和主要工艺.利用上述陶瓷基片和电极图案,以简易的光刻工艺制成了B≤6dB,△B<1dB,△f_(-3dB)≥±110kHz,△f_(-20dB)<630kHz,B_z>30dB的电视伴音中频电路用6.5MHz陶瓷滤波器.     

FS型无调谐低损耗滤波器研制成功

<正> 南京大学研制成功的FS型单相无调谐低损耗声表面波滤波器,已于今年上半年通过江苏省电子厅技术鉴定。该产品插入损耗小于5dB;中心频率为10MHz～500MHz;相对带宽为2%～5%;边瓣抑制大于40dB;远瓣(2f_0、3f_0……)抑制大于60dB。其主要技术指标已超过国外同类产品。产品质量一致性好,便于工厂大批量生产。     

宽带声表面波滤波器的制作

本文报导采用两个换能器都进行了切趾加权和一多条耦合器结构的声表面波带通滤波器.滤波器的中心频率(f_0)为56MHz,相对带宽(△f_(3dB))为41%,矩形系数(3dB和40dB的带宽比)为1.41,带内波纹(△R)为±0.6dB,阻带抑制(SS)为-42dB和插入损耗(IL_(min))为27dB.为了使宽带滤波器具有很低的矩形系数,采用了衍射损耗补偿技术.改进的滤波器的性能参数为f_O=50MHz,△f_(3dB)=47.6%,矩形系数(3dB和30dB的带宽比)=1.12,△R=±0.7dB,SS=-37dB和IL_(min)=31dB.     

一种低功耗双模式有源RC复数滤波器

基于g_m/ID设计方法和电流复用型折叠共源共栅运算放大器结构,采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种应用于卫星接收机的低功耗可自动调谐双模式有源RC复数滤波器。引入了调零电阻,补偿由非理想运算放大器引起的Q值升高导致的通带纹波性能恶化。同时,引入了全集成调谐电路模块,补偿无源器件在IC制造中因工艺偏差导致的频率响应偏移。仿真结果表明:滤波器分别工作在GPS-L1和BD-B1模式,中心频率为4.092 MHz(带宽2 MHz)和6 MHz(带宽4 MHz)时,镜像抑制比分别为65 dB和61 dB,增益分别为2 dB和-1 dB。滤波器芯片面积为0.6 mm²,在1.8 V电源电压下,功耗仅为1.75 mW。     

小型超高频低噪声FET放大器的设计和性能

本文报道了UHF频段小型低噪声GaAs MESFET放大器的设计考虑、射频性能和试验结果。采用特殊的匹配网络和CAD技术使电路达到小型化和最佳化。设计的二级700MHz和三级1000MHz放大器均制作在50600.8mm3的陶瓷基片上。其射频性能分别为:功率增益GP为25dB(最佳29dB)和30dB,噪声系数NF低于1.1dB(最佳0.8dB)和1.2dB,带宽W约为40MHz(3dB)和100MHz(1dB)。用700MHz放大器装成的卫星直播电视接收机,接收图像清晰,伴音音质良好。     

S波段低噪声放大器仿真设计

介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理,分析了影响放大器稳定性、噪声系数、功率传输的主要因素,运用Agilent公司的EDA软件ADS仿真设计了两级级联结构的放大器。仿真结果表明放大器在2150～2 400MHz的频率范围内,噪声系数<0.5dB,输入驻波比<1.4,输出驻波比<1.14,增益为(26.2±0.5)dB,并且在全频带内无条件稳定。     

LE3500放大器开关电源原理及检修

LE3500型放大器是优力公司专为干线设计的功率倍增式干线双向放大器,模块采用飞利浦的BGY787(750MHz)和BGD702(750MHz)双模块放大,放大器增益28dB含ALC电路,标称输出电平可达95dB,该放大器具有以下特点: (1)双向放大器。顺向750MHz,反向5～30MHz和5～65MHz可选,正向增益有24dB及28dB两种选择。 (2)最新式防水咬合设计。放大器永处密     

用于LTE的宽带有源RC低通滤波器设计

本文介绍了一种高线性带宽可配置(10/50MHz)的低通滤波器。该滤波器为六阶切比雪夫-Ⅰ有源RC结构。采用了一种新型的运算放大器补偿技术,使得滤波器在合理的功耗和较高截止频率(50MHz)下仍有很好的邻带抑制特性。采用0.18um CMOS工艺流片验证,测试结果表明：在10MHz截止频率下,12.5MHz处邻带抑制15.3dB;在50MHz截止频率下,60MHz处邻带抑制8.3dB,3倍频带外抑制大于60dB,带内纹波小于1dB。     

基于LTCC的超宽带巴伦滤波器小型化设计

该文设计了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的小型化超宽带巴伦(Balun)滤波器。该巴伦滤波器由一个五阶带通滤波器和基于Marchand巴伦改进型巴伦级联组成,带通滤波器采用耦合谐振式的设计方法,设计成宽带高抑制巴伦滤波器,在二阶、三阶和四阶谐振之间创新采用电感级联的拓扑结构,使相对带宽在48%以上。巴伦输入与输出之间的耦合采用一种并联堆叠式耦合螺旋传输线,增强了传输线之间的耦合,并拓宽了巴伦的带宽。结果表明,该巴伦滤波器通带为1.71～2.76 GHz,插损均小于2.3 dB;在50～669 MHz,抑制大于35 dB;在669～1 245 MHz,抑制大于17 dB;在3 205～3 400 MHz,抑制大于27 dB;在3 400～6 000 MHz,抑制均大于30 dB。两个输出端口信号的相位差和幅度差分别为180°±15°(1 710～2 340 MHz)、180°±10°(2 500～2 760 MHz)和±1.0 dB,具有较高的通用性和良好的应用市场。     

基于LTCC工艺的小型化可调频带通滤波器的设计

设计了一款基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的小型化带通滤波器。采用两谐振器之间的耦合效应,减小了器件的尺寸。在HFSS中建立滤波器模型并仿真,滤波器的中心频率为1.07 GHz,带宽为428 MHz,回波损耗大于22 dB,2 f_0处抑制大于45 dB,整体尺寸仅为6.5 mm×4 mm×0.9 mm。在此滤波器上模拟表贴变容二极管来调节两个谐振器中的电容实现中心频率可调。结果表明,滤波器的中心频率在1.05~1.23 GHz内连续变化,在中心频率变化过程中插损始终小于1 dB,回波损耗始终大于15 dB,2f_0处抑制大于45 dB。     

电磁寄生参数在高频SAW滤波器设计中的应用

在设计高频声表面波(SAW)滤波器的过程中,若只考虑封装壳和键合线的电磁寄生参数而忽略汇流条的电磁寄生参数,则SAW滤波器的实际性能易受汇流条寄生参数影响而出现通带波动和驻波增大等问题。该文拟用电声-电磁联合仿真方法设计高频SAW滤波器以解决汇流条寄生参数对SAW滤波器性能的影响。通过此方法研制的滤波器通带插入损耗小于1 dB,波动0.5 dB,通带内驻波最大值2.1,-1.5 dB带宽75.7 MHz,-3 dB带宽84 MHz (相对带宽为4.8%),-30 dB带宽112 MHz,BW_{-3 dB}/BW_{-30 dB}矩形系数1.33。包含封装壳、键合线及汇流条的寄生参数的理论仿真结果与实验测试结果吻合较好,表明了采用此模型设计高频SAW滤波器的可行性。     

基于齿状缺陷地的宽阻带交叉耦合SIW滤波器

提出了一种齿状缺陷地低通传输线结构,该低通传输线由多级齿状缺陷地构成,通过调节齿状缺陷地枝节长度,可以有效调节低通和阻带频率范围。利用该齿状缺陷地结构,级联交叉耦合扇形基片集成波导(SIW)滤波器,该文设计了一款高带外抑制的宽阻带滤波器,与传统SIW带通滤波器相比,其矩形系数K_{40 dB}=2,阻带范围大于2倍的中心频率,具有较好的通带和阻带选择特性。测试结果表明,滤波器的中心频率为10.35 GHz,3 dB和40 dB带宽分别为507 MHz和1.05 GHz,插入损耗优于1.47 dB,与仿真结果基本一致。     

一种新耦合结构的介质滤波器的设计与仿真

设计并研究了一种电容负载型的同轴介质滤波器,它采用新颖的耦合结构,以及高介电常数低损耗的微波陶瓷材料,大大减小了同轴介质滤波器的体积。同时用HFSS软件对其进行仿真,讨论了部分结构参数对滤波器性能的影响,最后设计出性能良好的带通滤波器,其中心频率f0=999MHz,插入损耗Li=1.489dB,3dB带宽B=17MHz,带外抑制在f0±30MHz时>20dB。     

An LP/CBP reconfigurable analog baseband circuit for software-defined radio receivers in 65 nm CMOS

A low pass (LP) and complex band pass (CBP) reconfigurable analog baseband circuit for software-defined radio (SDR) receivers is presented. It achieves 1–15 MHz LP bandwidth, 2–8 MHz CBP bandwidth and 0–36 dB gain range with 1 dB step. Nulling-resistor Miller feed-forward (NRMFF) differential-mode compensation, passive left half-plane (LHP) zero common-mode compensation and Quasi-Floating Gate (QFG) technique are proposed to improve the high frequency performance and driving capability of the embedded fully differential operational amplifier (Op-Amp). The analog baseband circuit has been implemented in 65 nm CMOS. It achieves 15.2 dB m/27.1 dB m IB/OB-IIP3, −2 dB m IP1dB and 71 dB m IIP2 while consuming 3.6–9.1 mW from a 1.2 V power supply and 0.75 mm² chip area.     

30-100-MHz NPN-only variable-gain class-AB instantaneous compandingfilters for 1.2-V applications

Two variations of a continuous-time instantaneous companding filter were integrated in a 25 GHz bipolar process. Their -3-dB frequencies are tunable in the ranges of 1-30 and 30-100 MHz. The DC gains are controllable up to 10 dB. The measured dynamic ranges for a 1% total harmonic distortion are 62.5 and 50 dB, for the 30 and 100 MHz filters, respectively. At maximum cutoff frequencies, the filters dissipate 6.5 mW from a 1.2 V supply     

L,S波段高性能窄带有源滤波器的研制

本文研究了一种直接利用晶体管或场效应管来模拟高Ｑ值电感，并利用此电感来制作Ｌ波段和Ｓ波段窄带有源滤波器的方法。利用此方法制作了两个高性能的窄带有源带通滤波器：一个中心频率为２．３ＧＨｚ，其带宽为９０ＭＨｚ左右，带内插入损耗为０ｄＢ；一个中心频率在１．５ＧＨｚ左右，并且中心频率可调，其带宽为８０ＭＨｚ左右，带内有１０ｄＢ的增益     

LTCC抗EMI滤波器研制

采用低温共烧陶瓷(low temperature co-fired ceramics,LTCC)集成技术研制出小型的抗电磁干扰(EMI)滤波器,同时通过在滤波器带外引进一传输零点,增加了滤波器的带外陡度。结果表明:该滤波器的截止频率为84 MHz(3dB),带外抑制≥30 dB(250~2 500 MHz),达到设计要求。其外形尺寸为2.00 mm×1.25 mm×0.80 mm,远小于传统的同类型滤波器。     

高频低损耗声表面波滤波器研制

回顾了低损耗声表面波滤波器的主要设计方法，介绍了镜像阻抗连接换能器结构中调整滤波器带宽的设计技术，给出了在９６０ＭＨｚ高频下的两种试验结果，相对带宽分别为１％和２％，插入损耗小于５ｄＢ，阻带抑制优于５０ｄＢ。     

基于LTCC技术的手机天线开关滤波器

采用LTCC工艺进行手机天线开关滤波器的设计,用于手机天线开关发射端GSM850/900MHz、GSM1800/1 900MHz。整个LTCC滤波器体积为2.5mm×3.2mm×0.75mm,其中包含两个低通滤波器,用于二次谐波和三次谐波的抑制。GSM850/900通带插损小于0.75dB,带内二次谐波抑制度大于23dBc,三次谐波抑制度大于40dBc;GSM1 800/1 900通带插损小于0.7dB,带内二次谐波抑制度大于26dBc,三次谐波抑制度大于28dBc。     

A fully integrated 33.8-dBm bulk CMOS T/R switch with a negative-voltage switch controller

This paper presents a single-pole double-throw CMOS transmit/receiver (T/R) switch in a standard 0.18 μm CMOS process. The T/R switch uses 6-stacked body-floated N-MOSFETs to enhance linearity, and a negative-voltage controller integrated on a single die with the power switch cell. A complementary DICSON charge pump is employed to generate the negative voltages and three-step level shifters are used to control the switch cell. The fabricated T/R switch has P_1dB of 33.8 and 32.6 dBm at 900 and 1,800 MHz from a 2 V supply, respectively. The insertion losses of TX are 0.7 and 1.1 dB at 900 and 1,800 MHz, respectively. The isolations from TX to ANT and RX to ANT are >25 dB at both frequencies, and the return losses are >20 dB. The proposed T/R switch shows comparable or better performance compared to the previously reported T/R switches without the switch controller.