10Gb/s光调制器InGaP/GaAs HBT驱动电路的研制

采用自行研发的4英寸InGaP/GaAs HBT技术,设计和制造了10Gb/s光调制器驱动电路.该驱动电路的输出电压摆幅达到3V_pp,上升时间为34.2ps(20~80%),下降时间为37.8ps(20~80%),输入端的阻抗匹配良好(S11=-12.3dB@10GHz),达到10Gb/s光通信系统(SONET OC-192,SDH STM-64)的要求.整个驱动电路采用-5.2V的单电源供电,总功耗为1.3W,芯片面积为2.01×1.38mm².     

2.5—10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数

对高速调制器驱动电路 HEMT IC中器件参数进行了研究 ,着重讨论了 HEMT器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响 ,给出了满足电路性能要求的器件参数范围 ;对 2 .5— 10 Gb/ s PHEMT IC光驱动电路进行了计算机仿真 ,眼图模拟结果表明满足 2 .5— 10 Gb/ s高速光纤通信系统需要     

2.5-10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数

对高速调制器驱动电路HEMTIC中器件参数进行了研究,着重讨论了HEMT器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响,给出了满足电路性能要求的器件参数范围;对2.5-10Gb/sPHEMTIC光驱动电路进行了计算机仿真,眼图模拟结果表明满足2.5-10Gb/s高速光纤通信系统需要.     

高速脉码调制OEIC光发送机驱动电路的设计

本文报道一种适合用现有工艺条件进行研制的OEIC光发送机的驱动电路。该驱动电路不仅对信号具有一定的整形能力,而且更适于高速脉码调制。同时,当制作工艺条件变化时具有较高的稳定性。对该电路进行计算机辅助分析和优化,得到该电路的上升、下降时间为120ps、140ps。     

DC-10Mb/s 0.5μm CMOS激光器驱动电路的实现

设计并实现了一种适用于DC-10Mb/s速率、兼容TTL和CMOS输入电平的激光器驱动电路.该电路通过片外电阻可以独立地设置激光器发送光脉冲的‘1’功率和‘0’功率,并以闭环方式实现稳定的‘1’,‘0’发送光功率.介绍了一种新颖的峰-峰值光功率检测的工作机制,并能得到稳定的峰-峰值光功率.整个电路采用CSMC 0.5μm混合信号CMOS工艺实现,芯片最大输出驱动电流为120mA,在不要求输入码型的情况下,发送光脉冲的消光比波动在-20- ＋80℃范围内小于0.6dB.     

DC-10Mb/s 0.5μm CMOS激光器驱动电路的实现

设计并实现了一种适用于DC-10Mb/s速率、兼容TTL和CMOS输入电平的激光器驱动电路.该电路通过片外电阻可以独立地设置激光器发送光脉冲的'1'功率和'0'功率,并以闭环方式实现稳定的'1','0'发送光功率.介绍了一种新颖的峰-峰值光功率检测的工作机制,并能得到稳定的峰.峰值光功率.整个电路采用CSMC 0.5μm混合信号CMOS工艺实现,芯片最大输出驱动电流为120mA,在不要求输入码型的情况下,发送光脉冲的消光比波动在-20～+80℃范围内小于0.6dB.     

背照式φ500μm InGaAs/InP探头

本文报导了一种采用平面工艺制作的背照式φ500μm InGaAs/InP探头。该探头的光谱响应范围为1.0～1.65μm,响应度在1.3μm处为0.65～0.8μA/μW,暗电流在-2mV下为10~(-11)～10~(-12)A,最小可探测功率优于-70dBm。     

1.5μm InGaAsP/InP分布反馈激光器

InGaAsP/InP分布反缋半导体激光器是为长距离光纤通信的需要而研制的光源,它可在高速调制时以单频振荡。     

驱动电路的安全性设计

大电流设备在生产中承担着重要的作用,其驱动电路是否安全关系重大,文章从驱动器件的选择、驱动方案的比较、抗干扰措施及智能控制几个方面对驱动电路的安全性设计问题进行了阐述,并给出一个实例进一步展开说明.     

光发射机RF电路的设计与调试

随着有线电视的发展,对光机需求量越来越大。目前,国产光发射机的设计生产技术已基本成熟。但是,由于信号频带的增宽,对光发射机的指标要求越来越苛刻,很多厂家的光发射机在射频电路设计和调试方面花费了较多时间,光发射机与光接收机链路指标47～862MHz带内平坦度仍然很难做到±0.5dB,反射损耗很难≥16dB。如何使光发射机的指标进一步得到提高,从而得到有线电视网络的整体系统指标是众多厂家一直在研究的课题之一。本文结合再创通信技术有限公司的产品,就如何进一步提高国产光发射机的性能指标问题做一阐述。1再创通信技术有限公司的光发…     

实用化封装的1.5μm InGaAsP/InP激光器

本文介绍了实用化封装的1.5μm波长InGaAsP/InP激光器的制作及其主要光电特性。该器件采用了半导体致冷器,热敏电阻,PIN探测器进行温控、光控的组件封装结构。室温连续工作阈值电流一般小于140mA,外微分量子效率约30%,尾纤输出功率大于1mW,工作寿命≥10~4小时。     

LCD的通用驱动电路IP核设计

本文介绍了一种新型的LCD驱动电路IP核的总体设计,采用自顶向下的设计方法将其划分为几个主要模块,分别介绍各个模块的功能,用VHDL语言对其进行描述,用FPGA实现并通过了仿真验证。该IP核具有良好的移植性,可驱动不同规模的LCD电路。     

基于InGaAs/InP探测器的单光子探测电路研究

单光子探测技术利用单个光子作为信息载体,可以突破现有激光探测极限,是目前国内外应用基础研究的热点。采用InGaAs/InP APD(Avalanche Photodiode)探测1064 nm激光时,存在较大的暗计数和后脉冲概率,影响探测的准确率。对比分析了3种淬灭方式对单光子探测电路性能的影响,门控淬灭相比被动淬灭和主动淬灭有更小的死时间,对暗计数和后脉冲概率有更好的抑制作用。针对门控淬灭方式对比研究了正弦门控滤波法、自差分法、双APD平衡法和电容平衡法4种方案,以有效降低门控信号产生的尖峰噪声。通过对正弦门控滤波法探测电路的优化设计与调试,探测电路的死时间为9.3 ns,在9%的探测效率下暗计数率为1.64×10~(-6)/ns,后脉冲概率为3%。     

GJ331型1.5μm InGaAsP/InP激光器

GJ331—B型实用化封装1.5μm InGaAsP/InP激光器系电子部44所85年6月鉴定的科研成果项目之一。该产品是我所自行设计并研制的一种长波长激光器新产品。该产品采用了激光器与半导体致冷器、热敏电阻、PIN光电探测器组件封装的光纤耦合结构。该产品性能稳定可靠,结构紧凑,功能齐全,使用方便等优点。它主要用于中长距离,大中容量的光纤通信系统。     

IGBT驱动电路模块化设计

IGBT功率开关器件应刚广泛，本文针对可驱动不同等级1GBT模块的驱动电路进行了模块化设计。该驱动模块包括接口选择模块、功能选择模块、电源模块、驱动与保护模块以及功率补充模块。分析了各部分模块的内部电路原理及功能，并通过试验实现了各项功能，证明该模块设计的合理性。     

大功率数码管驱动电路的优化设计

对大功率数码管（LED）的功耗进行了分析和计算,指出大功率LED不能简单地用七段译码器进行驱动,而必须进行专门设计。以5英寸数码管为例,对其译码驱动电路进行了对比研究,指出在各种驱动电路中,基于数字芯片MC1413的驱动电路是最优设计。设计了实验电路,实验结果验证了理论分析的正确性和所提出方法的可行性。     

SiC MOSFET驱动电路的设计

本文对SiCMOSFET的驱动电路进行了优化设计,并采用Boost主电路对该驱动电路进行验证。结果表明,SiCMOSFET具有较快的开关速度。相比SiMOSFET,工作频率为100kHz,上升时间由70ns减小到40ns,下降时间由100ns减小到10ns。     

TFT-LCD周边驱动电路集成化设计

根据N沟道和P沟道多晶硅薄膜晶体管(poly SiTFT)的特性,使用Orcad作为辅助工具,设计了应用于132(RGB)×176TFT LCD的栅驱动电路和数据驱动电路。依据132RGB×176TFT LCD的参数对电路进行了模拟,实现了小尺寸液晶屏的p SiTFT周边集成驱动电路的设计。     

光纤LED驱动电路的设计

光纤作为一种数据传输媒介,由于其相对于铜介质链路的固有优点,在许多技术领域得到广泛的应用。本文为得到一个高性能价格比的用于点对点双工通信的光纤解决方案,在重点分析LED驱动电路对光纤通信性能影响的基础上,给出了一个简洁实用的LED驱动电路。     

OLED驱动电路的设计研究

文章依据OLED器件的结构和发光机理介绍了OLED的驱动电路,并讨论了各种驱动电路在使用中的一些问题,提出了它们的适用场合.