浇带法制备具有密度梯度的SiC陶瓷骨架

通过对ＳｉＣ料浆稳定性和流变特性的控制条件、ＳｉＣ薄带的制备工艺、ＳｉＣ薄带烧结密度的影响因素等研究，采用配制ＳｉＣ料浆－浇带－剪切压制－无压力烧结工艺，制备出为理论密度５０－８５％的具有密度梯度的ＳｉＣ陶瓷骨架，使浇带法制备具有密度梯度的陶瓷骨架，进而制备其组分、结构和性能沿厚度方向呈阶梯变化的功能梯度材料的工艺路线成为可行。     

浇带法制备具有密度梯度的SiC陶瓷骨架

通过对ＳｉＣ料浆稳定性和流变特性的控制条件，ＳｉＣ薄带的制备工艺，ＳｉＣ薄带烧结密度的影响因素等研究，采用配制ＳｉＣ料浆－浇带－剪切压制－无压力烧结工艺，制备出为理论密度５０－８５％的具有密度梯度的ＳｉＣ陶瓷骨架，进而制备其组分，结构和性能沿厚度方向呈阶梯变化的功能梯度材料的工艺路线成为可行。     

SiC—Al梯度功能材料（FGM）的制备

研究了ＳｉＣ料浆的稳定性和流变特性、ＳｉＣ粉末的填实过程，ＳｉＣ薄带和骨架的制备技术、ＳｉＣ的固相烧结和骨架密度的控制，以及压力浸渗等科学问题和工艺问题。采用新提出的技术路线，即以“浇带法”和（或）”料８浆浇注法“制备其组成和结构递变的Ｓdisplay status     

碳化硅和氧化铝陶瓷的热等静压氮化

通过对无压烧结、热压烧结和热等静压烧结ＳＩＣ陶瓷以及热压烧结的ＳｉＣ粒子补强Ａｌ２Ｏ３基复相陶瓷（ＳｉＣｐ－Ａｌ２Ｏ３）和ＳｉＣ粒子与ＳｉＣ晶须共同增强的Ａｌ２Ｏ３基复合材料（ＳｉＣｐ－ＳｉＣｗ－Ａｌ２Ｏ３）在氮气氛中进行高温氮化处理，成功地实现了这些材料的开口气孔表面裂纹的愈合。研究表明：热等静压氯化工艺可以显著提高ＳｉＣ和Ａｌ２Ｏ３陶瓷的抗弯强度，对断裂韧性也有较大的改善作用。对于热等静压烧结ＳｉＣ陶瓷，在１８５０℃和２００ＭＰａ氮气压力下氯化处理１小时后，其抗弯强度和断裂韧性分别由５８２ＭＰａ和５．７ＭＰａ·ｍ１／２提高到９０７ＭＰａ和８．４ＭＰａ·ｍ１／２；对于热压烧结的ＳｉＣｐ－Ａｌ２Ｏ３复相陶瓷和ＳｉＣｐ－ＳｉＣｗ－Ａｌ２Ｏ３复合材料，在１７００℃和１５０ＭＰａ氮气压力下氮化处理１小时后，其室温抗弯强度分别由４６０和７０５ＭＰａ提高到８９５和１０３３ＭＰａ。     

添加Al2O3对SiC板粒／Y—TZP复合材料力学性能的影响

本以ＳｉＣ板粒、ＺｒＯＣｌ２·８Ｈ２Ｏ、ＡｌＣｌ３和Ｙ（ＭＯ）３为原料，利用共沉淀和热压烧结工艺，制备ＳｉＣ板粒／Ｙ－ＴＺＰ和（含Ａｌ２Ｏ３）ＳｉＣ板粒／Ｙ－ＴＺＰ复合材料。测试了材料的室温和高温力学性能。研究了添加Ａｌ２Ｏ３对ＳｉＣ板粒／Ｙ－ＴＺＯ复合材料的影响。结果表明，ＳｉＣ板粒／Ｙ－ＴＺＰ复合材料与Ｙ－ＴＺＰ复合材料与Ｙ－ＴＺＰ陶瓷相比，其室温强度和韧性出现明显下降，高温强度也没有改善；     

添加Al_2O_3对SiC板粒／Y－TZP复合材料力学性能的影响

本文以ＳｉＣ板粒、ＺｒＯＣｌ２－８Ｈ２Ｏ、ＡｌＣｌ３和Ｙ（ＭＯ）３为原料，利用共沉淀和热压烧结工艺，制备ＳｉＣ板粒／Ｙ－ＴＺＰ和（含Ａｌ２Ｏ３）ＳｉＣ板粒／Ｙ－ＴＺＰ复合材料．测试了材料的室温和高温力学性能．研究了添加Ａｌ２Ｏ３对ＳｉＣ板粒／Ｙ－ＴＺＯ复合材料的影响．结果表明，ＳｉＣ板粒／Ｙ－ＴＺＰ复合材料与Ｙ－ＴＺＰ陶瓷相比，其室温强度和韧性出现明显下降，高温强度也没有改善；而在ＳｉＣ板粒与Ｙ－ＴＺＰ复合的基础上，添加Ａｌ２Ｏ３可明显提高材料的强度和断裂韧性，同时，材料的高温强度也获得显著改善．     

碳化硅陶瓷及其复合材料的热等静压烧结研究

本文通过采用热等静压（ＨＩＰ）这一先进的烧结工艺，研究了Ａｌ２Ｏ３添加量对ＳｉＣ陶瓷之显微结构与力学性能的影响。并成功地制备出Ｓｉ３Ｎ４粒子以及ＳｉＣ晶须补强的ＳｉＣ基复合材料，结果表明：Ａｌ２Ｏ３是ＨＩＰ烧结ＳｉＣ陶瓷及其复合材料的有效添加剂，当添加３ｗｔ％Ａｌ２Ｏ３时，采用ＨＩＰ烧结工艺在１８５０℃温度和２００ＭＰａ压力下烧结１ｈ就可获得密度分别高达９７．３％、９９．４％和９７．０％的ＳｉＣ的     

Al2O3／SiC纳米复合陶瓷与配副在熔融锌中的磨蚀

本文将Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣ纳米复合陶瓷分别与Ｃｒ２５Ｎｉ５合金,Ｃｏ－Ｃｒ－Ｗ合金及烧结Ｗ环三种配制材料在４６５℃的熔融锌液中进行环－块腐蚀磨损实验。结果表明耐锌腐蚀是各种材料耐磨的前提。Ｗ（环）与Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣ纳米复合陶瓷（块）是最佳的摩擦副。     

(Si-,Al-)陶瓷化木材的化学方法

以 ＡｌＣｌ３．６Ｈ２Ｏ为原料,制备高盐基度碱式氯化铝 Ａｌ２（ＯＨ）ｎＣｌ６－ｎ,作为催化剂及网络形成剂参与陶瓷前驱体中ＴＥＯＳ、ＧＰＴＭＳ的水解、缩聚反应．将其注入木材并热处理,得到高性能的（ＡＩ－, Ｓｉ－）陶瓷化木材     

Si对SiC－Al系统浸润行为的影响

用液滴技术（Ｔｈｅ　Ｓｅｓｓｉｌｅ　Ｄｒｏｐ　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）、ＳＥＭ、ＥＤＳ等研究了Ｓｉ对ＳｉＣ－Ａｌ系统浸润行为的影响，结果表明，在较低温度下，Ｓｉ在熔融Ａｌ合金中的含量不明显影响Ａｌ对ＳｉＣ的浸润行为，然而，在高温下ＳｉＣ和Ａｌ的接触角θ值随时间而减小的速率随Ｓｉ含量的增加而增大；ＳｉＣ－Ａｌ系统从非浸润到浸润的转变温度随Ｓｉ含量的增加而降低；Ｓｉ的添加引起Ａｌ合金在ＳｉＣ表面扩展和向ＳｉＣ基体渗透，而且扩展和渗透的程度随Ｓｉ含量增加而增大。说明在Ａｌ合金中添加Ｓｉ可促进对ＳｉＣ的浸润。本研究还证实了基体参加反应可增强金属Ａｌ对ＳｉＣ陶瓷的浸润能力。