InGaAsP/InP双异质结激光器相对折射率差和能量限制因子的测量

测量了激射波长为1.1微米的 InGaAsP/InP 双异质结激光器的远场分布图。用图解法计算了有源层的折射率、有源层与限制层的相对折射率差和能量限制因子。测量结果与一些作者的报道相符合。用测量结果对有源层内的吸收耗损进行了估算,发现目前制作的激光器中的吸收耗损较大。     

InGaAsP/InP双异质结激光器相对折射率差和能量限制因子的测量

测量了激射波长为1.1微米的InGaAsP/InP双异质结激光器的远场分布图。用图解法计算了不同厚度的有源层的折射率、有源层与限制层的相对折射率差和能量限制因子。测量结果与一些作者的报道相符合。用测量结果对有源层内的吸收损耗进行了初步估算,发现早期制作的激光器其吸收损耗较大。     

THz量子级联激光器跃迁速率的数值求解及验证

THz量子级联激光器(QCL,quantum cascade laser )有源区载流子的跃迁速率是研究激光器内部输运特性,模拟激光器特性和优化设计的关键 参数。本文针对跃迁速率的计算问题,在连续介质模型下提出了一种运用自洽方法和费米黄 金法则计算THz QCL有源区载流子跃迁速率的方法。方法考虑了包括电子-纵向光声子散射 、电子-电子散射机制以及电子-光子散射对跃迁速率的影响。利用本文方法对已报道的TH z QCL进行了数值模拟,讨论了温度参数和注入掺杂浓度参数对跃迁速率的影响并进行了模 拟分析,分析结果与已报道的理论和实验结果一致,验证了方法的适用性和准确性。本文方 法的提出为运用速率方程法进行THz QCL有源层的建模和优化设计提供了基础。     

光通信用快速高辐射度发光二极管

制成了用于光通信的快速、高辐射度GaAs/GaAlAs双异质结发光二极管(DHLED)。该器件带有光波导结构并具有适当掺杂和有源层厚度。其频响大于60MHz。最高辐射度为1017W/sr·cm~2。在150mA下尾纤输出功率达118μW,与光纤的耦合效率为11％(纤维芯径为φ=60μm,数值孔径为NA=0.17)。     

关于GaAs多层外延结构C-V曲线的理论分析与实际应用

本文对GaAs FET所用的多层结构外延材料的C-V曲线进行理论分析,以求解释在科研与生产中出现的一些现象.我们提出了有源层以及有源层(A)与缓冲层(B)间界面过渡区C-V曲线的分布函数,并对这些函数及一些影响因素进行了讨论.     

Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片的Zn扩散研究

利用石英闭管法,对Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片进行Zn扩散,分析了扩散温度和时间2个参数对Zn扩散的影响.采用光致发光(PL)谱和电化学蒸涂(ECV)方法研究了Zn扩散产生的影响.PL谱结果表明,Zn扩散引起了AlGaInP/GaInP多量子阱(MQW)有源层的组分无序,使PL谱的峰值蓝移,最大蓝移为54 nm,约175 meV.ECV测量结果显示,Zn已经扩散到MQW有源区,MQW区域的p型载流子浓度为4.4×1017 cm-3.     

GaAs功率MESFET输出线性度的改进

为了提高GaAs功率MESFET的输出线性度,器件有源层掺杂分布的改进是一种 有效的手段。本文探索了有源层掺杂分布与器件输出线性度之间的关系,提出了非均匀有源层掺杂分布模型。该模型将有源层划分成A,B两层,分别用N_dA(y)和N_dB(y)函数描述A,B层的掺杂分布,分布函数表示为: 结合GaAs FET分析模型,完成了有源层理论分布的计算、器件直流I—V特性的计算以及器件其它参数的计算,以便实现最佳的有源层掺杂分布。结果表明:双层尖峰型有源层掺杂分布是制造高输出线性度GaAs功率MESFET理想的掺杂分布。根据分析结果,在器件制造中用VPE生长方法获得了这种掺杂分布的外延材料,并设计制造了总栅宽为1200μm的GaAs功率FET。器件的直流I—V特性与理论分析结果相吻合,与均匀掺杂分布的器件相比较,实验器件的输出线性度得到了明显的改善,获得了良好的微波性能。微波性能测试结果为:     

机载杂波测量雷达的有源绝对校准技术研究

雷达系统的精确校准是保证地海杂波测量数据可靠性的关键问题.本文利用地面有源雷达校准器(ARC)对L波段HH极化机载杂波测量雷达进行绝对校准,通过ARC设计、目标提取以及坐标系变换技术,充分考虑了校准场地背景杂波、载机姿态和GPS误差等因素对雷达系统常数、时延和天线方向图的影响.分析结果证明了这一技术的有效性.     

一种基于有源定标器的电离层对星载SAR定标影响校正方法

针对电离层对低频星载合成孔径雷达(Synthetic Aperture Radar, SAR)定标的影响,该文提出一种基于有源定标器的电离层对星载SAR定标影响校正方法,主要针对由电离层群延时导致的距离向位置偏移和由电离层色散效应引起的脉冲展宽所导致的分辨率下降进行了分析,利用SAR内外定标相结合的方法,精确测量出电离层引起的脉冲时间宽度变化量,利用测量结果对电离层的影响进行校正。给出校正前后以及无电离层影响的有源定标器距离向成像仿真结果,结果表明通过校正可以很大程度上改善有源定标器距离向点目标图像质量,提高了定标测量精度,验证了校正方法的正确性。     

Ga_(1-x)Al_xAs DHLED的讨论

本文参照国外研制的几种具有代表性的光纤通信光源——双异质结发光二极管(DHL-ED),结合我们研制工作中的体会,分析了 DHLED 的结构,载流子限制,输出功率,截止频率,波长和谱宽。选择了一种较为合理的结构,功率效率高,其有用功率占80%以上。并对这种结构的特点以及提高 DHLED 性能,改进线性度进行了考虑。     

1.3μm波长(In、Ga)(As、P)反向肋形波导激光器里的光波导

反向肋形波导(IRW)激光器已表现出极好的工作特性,而且还不会涉及到再生长和严格的腐蚀工艺。器件结构如图1所示。波导机理的理论分析以往一直未同实验进行比较,本文将做此项工作,并将表明它与给出的理论非常接近。经过改进的单个有效振荡器模型用来计算有关层的介电常数。四层结构的波动方程解给出了有效介电常数值,它是有源层和波导层厚度的函数。图2示出了这种计算的结果。为了说明注入载流子对有源层介电常     

掩埋弯月形InGaAsP/InP激光器稳态特性研究

本文对掩埋弯月形InGaAsP/InP激光器的稳态特性作了数值计算和理论分析。对有源层栽流子浓度分布的剖面形状给予解释,并分析了结构参数对激光器阈值电流的影响。计算结果和实验符合较好。     

薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究

本文研究了薄ａ－Ｓｉ：Ｈ有源层结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的特性，实验结果表明，当ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度小于一个临界值时，ａ－Ｓｉ：Ｈ厚度的变化对ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ静态特性的影响明显增大，本文中详细分析了有源层背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ特性的影响，从表面有效空间电荷层的概念出发，从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系，计算的临界有源层厚度为１３０ｎｍ，这与实验结果基本一致。     

a-IGZO/IZO厚度比对TFT特性的影响研究

利用Silvaco TCAD软件中的Atlas模块,对底栅结构的双有源层a-IGZO/IZO 薄膜晶体管(TFT)进行了仿真与模拟,研究了双有源层厚度比对TFT特性的影响。结果表明,该TFT的特性与有源层的厚度比密切相关。在给定参数条件下,当有源层的厚度比为20∶20时,该TFT的电学性能最优。阈值电压、亚阈值摆幅分别为-2.05 V、91 mV/decade,最大开关电流比为4.12×10¹⁴。双有源层a-IGZO/IZO TFT的场效应迁移率可达20.2 cm²/V·s,优于单有源层a-IGZO TFT。     

用深能级瞬态谱法测量GaAS MESFET中的深能级

本文介绍了用深能级瞬态谱(DLTS)法测量GaAs MESFET的深能级杂质和缺陷。在有源层中一般没有测到深能级杂质和缺陷,但在有源层与缓冲层界面附近测到了多个空穴陷阱和电子陷阱。其中空穴陷阱的能级有0.41eV、0.53eV、0.68eV、0.91eV;电子陷阱的能级有0.30eV、0.44eV、0.84eV。并对部分陷阱的性质作了初步的讨论。     

一种新的载流子寿命测量确定发光二极管中的复合速率和掺杂水平

本文叙述了一种测量发光二极管(LED)和激光器的载流子寿命的新方法。这种改进的方法不但准许有益于载流子寿命的其他过程测量,而且准许首先测量辐射复合系数B(n)的载流子关系。观察到B的载流子关系与Stern模式极好一致。从实验数据获得的掺杂水平同生长溶液组份的计算值很符合。因此,这种方法对确定有源层掺杂浓度提供了一种可靠的新方法。通过观察叠加在200ns偏置脉冲Ⅰ上的小     

各膜层对光刻胶灰化的影响

研究各膜层对灰化速率的影响,增强对灰化工艺的了解,为四次光刻工艺改善提供参考。采用探针台阶仪测量在相同灰化条件下不同膜层样品的灰化速率和有源层损失量,对结果进行机理分析和讨论。实验结果表明:有源层会降低灰化速率,源/漏金属层可以增大灰化速率,栅极金属层对灰化速率无影响。对于正常膜层结构的阵列基板,源/漏层图形密度越大,灰化速率越小,图形密度每增大1%,灰化速率下降14nm/min。有源层和源/漏金属层对灰化等离子体产生影响,从而影响灰化速率。     

光抽运垂直外腔面发射激光器的光谱特性研究

光抽运垂直外腔面发射半导体激光器(OPS-VECSEL)是近年来才开始研究的一种新型激光器,在很多领域中都具有广泛的应用前景,国内关于这种器件的研究报道还很少.通过分析器件的工作机理,给出热的产生过程和热效应对器件功率特性的影响;通过测量的外延片表面扫描电镜图像和光致发光谱的结果可以看出:增益材料有源区的热效应导致载流子寿命饱和,势垒内产生的电子空穴对没有足够的时间运动到量子阱中,而是在势垒层发生了非辐射复合.     

10GHz CW GaAs Gunn器件振荡特性的计算机模拟

本文用隐式差分数值方法对10GHz GaAs Gunn二极管的振荡特性进行了一维计算机模拟.介绍了模拟使用的基本方程,边界条件及计算步骤.给出了器件工作温度、有源层厚度、有源区掺杂分布及界面处掺杂梯度对器件振荡特性的影响.     

硅栅n-MOS工艺的发展

对于采用局部氧化(LOCOS)工艺的普通LSI硅栅n-MOS技术进行了重新设计。重新设计后的有源器件隔离不再使用氮化硅作掩蔽层。这样缩短了工艺流程,同时避免了由于采用LOCOS所产生的诸如鸟嘴的形成及有源区域电的侵蚀等问题。 我们采用重新设计的E/D工艺,作一套试验掩模制造了一些器件,并对这些器件的性能进行了评价。研究发现,测量结果与理论计算位非常一致。