用热电高温计测量离子氮化温度的探讨

温度,对离子氮化是一项极为重要的工艺参数,由于辉光放电的影响,给离子氮化工件的测温带来了不少困难。本文通过观测离子氮化炉中温度的分布规律,发现在工件(阴极)里的封闭内孔空间中存在着较为均勻的温度场,且基本能反映该工件的温度。因而,探索了几种对工件设置封闭内孔以及将热电偶伸入封闭空间中进行测温的方法。     

活性屏等离子渗氮工艺中双重辉光放电下氮的输运机理

采用大尺寸铜质活性屏进行活性屏等离子渗氮处理,在距离活性屏不同位置处分别放置玻璃片,用来收集主电压和偏压同时存在时,即等离子空间处于双重辉光放电模式下阴极溅射产生的在渗氮过程中起到载体作用的纳米粒子。通过对粒子形貌、化学成分进行分析,以此揭示双重辉光放电条件下活性屏离子氮化工艺中氮的输运机理。实验结果表明:主电压和偏压同时存在时,离活性屏距离不同的玻璃片上收集到的粒子形状和尺寸与只加主电压时有所不同;且随着离活性屏距离的改变,粒子的形状、尺寸及化学元素含量都不相同,但粒子中氮元素的含量都很高。分析认为这是因为双重辉光放电条件下,活性屏和工件都会产生阴极溅射,因此收集到的溅射粒子的来源不同,一部分来源于活性屏溅射,而另一部分来源于偏压引起工件表面产生的自溅射,对于距离活性屏较远的工件来说,施加在工作台上上的偏压是活性氮原子从气相输运到工件表面的关键。     

真空离子渗碳法

一、前言 真空技术在金属加工方面的应用,过去已有真空熔炼、真空钎焊、真空热处理等。近来在表面硬化热处理方面为了提高产品的利润,节省资源和劳动力,真空技术的应用研究,日益盛行起来了。离子氮化法,真空离子渗碳法等已进入实用阶段了。本文介绍利用等离子进行钢铁表面硬化处理的新工艺──真空离子渗碳法。 二、真空离子渗碳法原理 真空离子渗碳法是将工件装入真空炉内,在烃系减压气氛中加热的同时,在工件(阴极和电极之间加直流高压,引起辉光放电,产生等离子,使活化的碳原子电离;再利用工件 (阴极)附近急剧的电位梯度使碳离子加速轰击工…     

等离子场真空渗碳研究

本文研究了在等离子场中，工件不做阴极或阳极，因而工件上不产生辉光放电的条件下对工件渗碳的工艺。通过对不同温度下，工件无辉光渗碳工艺与辉光离子渗碳研究，证明了等离子场真空渗碳的可行性，并从渗碳速度上对以上两种工艺进行了比较。     

辉光离子氮化对马氏体不锈钢性能的影响

对1Crl3马氏体不锈钢进行了辉光离子氮化处理试验,并对氮化试样的金相和硬度进行了分析测定.结果表明520℃辉光离子氮化8h,使1Crl3马氏体不锈钢的氮化层深度达到0.25mm,最高硬度达到HV732,约为基体硬度的4倍.     

偏压对活性屏离子渗氮工艺的影响

通过对40C钢进行活性屏离子渗氮处理,研究了在活性屏离子渗氮工艺过程中工件所加的偏压对渗氮层的影响.试验结果表明,在不加偏压或偏压较低的情况下,对距离活性屏较近的工件,其表面有一定厚度的渗氮层形成,硬度提高;而距离活性屏较远的工件,其表面几乎没有渗氮层的形成,但当增大偏压至400～450 V时,工件表面产生弱的辉光放电...     

离子氮化技术的研究进展

离子氮化具有工件变形小、渗速快、节能环保等优点,能有效提高金属零部件的表面硬度、耐磨损和耐腐蚀等性能。然而受气体放电特性和电场效应的影响,工件形状对表面温度的均匀性影响很大,出现表面打弧、边缘效应和空心阴极效应等问题。为了克服传统直流离子渗氮的缺点,近年来出现了一些射频离子氮化、等离子体浸没离子注入、活性屏渗氮以及空心阴极氮化等新技术。     

钛表面辉光等离子渗钯电极结构尺寸的优化

分析了钛表面双层辉光等离子渗钯放电状态中的空心阴极放电,分析认为工件极内部是等电位空心阴极放电,源极与工件极是不等电位空心阴极放电.通过对放电状态下电子的作用分析,论证了源极与工件极距离选择20 mm,工件极尺寸选择50 mm,气体压力选择20 Pa是比较合理的电极结构尺寸和气体压力参数.     

LD系列辉光离子氮化设备简介

我厂为加速这项新工艺的推广应用,有利于促进机械工业产品质量的提高,使用寿命的增长,在国内兄弟单位、科研部门、大专院校无私的帮助下由研制到小批生产辉光离子氮化设备,现已基本形成系列生产。 ’为满足需用单位对设备结构、性能、技术数据等有关情况的了解而编此简介,供参考。 由于水平所限,难免有缺点和错误,我们恳切希望提出宝贵意见,以便今后更改,补充。 辉光离子氮化是近几年在国内发展起来的一种新的氮化工艺,其特点如下: 1、离子氮化周期可缩短50～80% 2、离子氮化能抑制氮化表面白色脆层的形成,脆性能达到一级。 3、离子氮化变形…     

新型弧光辉光协同共放电(APSCD)真空镀膜机的研制

本文阐述了新型的弧光辉光协同共放电真空镀膜机的设计思想及应用,叙述了镀膜机的整体结构、圆柱靶的设计和磁场模拟、工件篮的结构和辉光弧光共放电的原理.实验对比了辉光弧光共放电和单独的辉光放电、弧光放电在镀膜速度、膜层硬度和耐蚀性等方面的差别,表明了这种新型镀膜机的优越性.     

辉光放电气相沉积氮化钛薄膜

本文叙述了辉光放电气相沉积氮化钛薄膜的工艺。它具有物理气相沉积与化学气相沉积的综合特点。在此工艺中,辉光放电作为化学反应和沉积的介质,通过等离子体的激活作用,可在低气压下直流辉光放电的工件(阴极)表面上获得化合物薄膜。已在工艺实验中,工件表面上沉积了致密的氮化钛涂层。此工艺的沉积温度低、沉积速率较高。     

真空镀覆

9202009离子气相沉积——Aircraft Engineering,1999,61(1):6(英文)英国的离子沉积有限公司开发出了一种新的离子气相沉积设备和技术,它是将工件蒸汽脱脂,喷丸清理后装入一个真空室内,用“辉光放电”进行超精清洁。然后将作阳极的铝气化,沉积在作为阴极的工件表面.沉积的铝涂层用玻璃丸喷丸硬化并封闭。真     

300A离子氮化炉及其在工矿机械另件上的应用

前言 辉光离子氮化是热处理行业中七十年代的一项新技术。我们热处理车间革命职工,遵照毛主席“中国人民有志气、有能力,一定要在不远的将来,赶上和超过世界先进水平”的教导,坚持以阶级斗争为纲,排除“四人帮”极右路线的干扰,学大庆大干社会主义。通过全厂性的共产主义大协作,从设计到制造,仅用了四个月的时间试制成功了我国第一台大功率3 00A辉光离子氮化炉。这台设备经一年生产实践证明,设备主要性能达到设计要求,并在此基础上实行自动控制,基本上满足了大工件氮化的生产需要。 一、炉体结构简述及主要技术参数 目前国内外炉体大致可分…     

离子氮化及其在精密仪器制造中的应用

用LD—50型辉光离子氮化设备进行了离子氮化试验,并将其试验结果与等温气体氮化、二段气体氮化、催渗二段气体氮化进行了工艺和效果的比较。最后简介了离子氮化的应用。     

双辉渗金属放电效应及电极结构设计原理

介绍了双层辉光离子渗金属技术的基本原理和技术特点,源极、阴极及辅助阴极设计的基本原则,离子渗金属的两种放电模式及其产生的效应,总结了渗金属电极几何结构设计原理.双层辉光离子渗金属技术主要有3个技术特点:固体材料的阴极溅射、形成有利溅射和扩散的高温条件和增加等离子放电的空心阴极效应.其放电模式为:独立放电模式和空心阴极放电模式.源极和阴极设计原则依据双层辉光离子渗金属的特点和放电模式,为"仿形"原则.     

直流辉光和磁控增强放电等离子体的空间分辨发射光谱技术

光学发射光谱(OES)方法是等离子体诊断的有力工具之一,可以定量地给出等离子体的多种重要参数,如等离子体中的物种成分、粒子能态分布、激发温度、粒子相对密度等.本文介绍了一种用于电子回旋共振(ECR)微波等离子体磁控溅射靶附近的增强放电和直流辉光放电等离子体空间分辨诊断的发射光谱装置.其特点是光学收集系统的位置可以水平精细移动,因而可以对放电区域进行空间分辨发射光谱测量.作者利用这套装置对氩气的ECR微波等离子体和直流辉光放电等离子体进行诊断.在ECR微波等离子体的下游区内氩离子谱线的发射强度很弱,主要是高激发态原子的辐射.在磁共振增强放电区,离子谱线强度有所增加但仍比原子谱线弱,类似于直流辉光放电正柱区的光发射特性.     

稀土离子氮化层的组织结构观察和分析

将稀土镧、铈、钕分别放入氮化炉中对En40B钢进行离子氮化处理,用金相显微镜、普通和高分辨扫描电子显微镜以及透射电镜,从低倍到高倍观察和分析比较了稀土离子氮化和普通离子氮化氮化层的组织结构,发现在相同条件下,不同稀土元素对氮化影响是有区别的.     

铀表面脉冲辉光等离子氮化初步研究

采用脉冲辉光等离子体离子氮化技术对贫铀表面进行了氮化处理,采用俄歇电子能谱(AES)对氮化层进行元素深度剖析,采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对氮化层组织结构进行了分析表征。结果表明:脉冲偏压-900 V,工作氮分压50 Pa、100 Pa,氮化时间2.5 h~4 h下在贫铀表面能获得约20μm厚的氮化层,氮化层为U2N3的单一立方结构且均匀致密,脉冲辉光等离子氮化技术能在贫铀表面实现氮化。     

磁控溅射中等离子体电离机制的数值解析

以圆柱形磁控溅射装置为研究对象,下极板外接通电线圈使之产生的磁场,并在上、下极板间施加直流电场,研究电磁场作用下等离子体中电子、离子、中性粒子和亚稳态离子分布。研究以Fortran语言自主编程,对所建立的模型用有限差分方法数值模拟。研究表明:辉光放电起始,电离项为等离子体中离子的主要来源;随着辉光放电趋于平衡,由一次电离、激发态二次电离等组成的累积电离项成为等离子体中离子的主体。达到稳定电离后,电子受磁场约束集中分布于下极板附近,从而使被电离的离子也集中分布于下极板附近。在距下极板15~40 cm区间内,离子分布较均匀。     

溅射沉积氢化非晶硅中辉光放电等离子体的Langmuir探针诊断

为揭示磁控溅射辉光放电等离子体参量对Si薄膜沉积过程的本质影响,采用Langmuir探针于不同的靶电流、靶基距和氢分压条件下对直流辉光放电等离子体进行了诊断,分析了直流辉光放电等离子体参量(离子密度、离子流通量、等离子体电势、电子密度、电子温度)的变化规律,并以此为依据探讨了其对Si靶溅射过程和溅射Si粒子输运过程的影...