光泵亚毫米波激光的喇曼过程相互作用

在小型光泵ＮＨ３分子亚毫米波激光器中，喇曼过程的相互作用变成一个重要的效应，它直接影响了激光器的输出强度和频谱特性。用大功率ＣＯ２－９Ｒ（１６）谱线泵浦ＮＨ３分子时，两个喇曼过程ｓ→ａＰ（７，０）和ｓ→ａＰ（７，１）相互作用导致彼此增强；而当ＣＯ２－９Ｒ（３０）谱线泵浦时，出现多个喇曼过程相互竞争的现象。     

光泵NH3分子远红外激光的一条新谱线

利用反射光栅调谐的脉冲ＴＥＡＣＯ２激光１０Ｒ（６）泵浦０．２ｍ长的小型ＮＨ３分子远红外激光器，当泵浦能量为１．１Ｊ，ＮＨ３分子气压为０．９ｋＰａ时，产生２９８μｍ的新谱线，对应Ｖ２：ａＲ（０，０），受激喇曼跃迁。     

［（Cdse）_m（ZnSe）_n］_p－Znse多量子阱中的多声子散射

对用原子层外延方法，在［００１］晶向ＧａＡｓ衬底上生长的［（Ｃｄｓｅ）ｍ（Ｚｎｓｅ）ｎ］ｐ－ＺｎＳｅ应变量子阱结构，在１０～３００Ｋ温度范围内测量了喇曼散射光谱，观察到两种类ＺｎＳｅＬＯ声子限制模．利用改变样品温度和入射光能量实现了共振喇曼散射，观察到高达７阶的类ＺｎＳｅＬＯ声子模．并讨论了多声子喇曼散射和热萤光过程的区别．     

MOCVD生长GaN的喇曼散射谱

对在ＧａＡｓ（００１）、Ａｌ２Ｏ３（０００１）和Ｓｉ（１１１）等衬底上ＭＯＣＶＤ技术生长的ＧａＮ薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较，观察到了α相ＧａＮ的Ａ１（ＬＯ）模、Ａ１（ＴＯ）模、Ｅ１（ＬＯ）模和Ｅ２模．结合Ｘ射线衍射谱，分析了因不同生长工艺导致ＧａＮ／ＧａＡｓ样品的不同结构相的喇曼谱的差异，发现ＧａＮ的喇曼谱与ＧａＮ外延层的结构相、完整性及工艺条件有关，可利用其作为检测ＧａＮ外延层结构特性的一种有用手段．对含有少量β相ＧａＮ样品，观测到了包含有β相ＧａＮ贡献的声子模式（７４０ｃｍ－１）．     

S钝化GaAs(100)衬底上分子束外延ZnSe薄膜的喇曼光谱研究

用分子束外延法（ＭＢＥ）分别在经（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液和Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＺｎＳｅ薄膜．用室温喇曼光谱对不同处理方法的ＧａＡｓ上所长ＺｎＳｅ薄膜的晶体质量和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面进行对比研究．用喇曼散射的空间相关模型定量分析了一级喇曼散射的空间相关长度与晶体质量间的关系．根据ＧａＡｓ的ＬＯ－等离子激元耦合模喇曼散射强度的变化，分析了不同Ｓ钝化方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面以及ＺｎＳｅ薄膜质量的影响．结果表明，Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ样品具有较低的界面态密度和较好的     

四氯化碳的背向受激喇曼散射研究

用倍频Ｎｄ：ＹＡＧ锁模激光５３２ｎｍ泵浦ＣＣｌ４的背向受激喇曼散射，一阶斯托克斯谱线５４６ｎｍ的能量转移效率为１３％，脉宽（ＦＷＨＭ）为８ＰＳ，比泵浦激光５３２ｎｍ的脉宽４０ＰＳ明显变窄。     

小型光泵腔式NH3分子亚毫米波激光器的实验研究

实验上采用金属网栅耦合的小型Ｆ－Ｐ腔式ＮＨ３分子激光器,用ＴＥＡ－ＣＯ２激光器的１０Ｒ（８）谱线作为泵浦,获得了２８１μｍ的亚毫米激光,并对该激光器工作参数的优化进行了系统的实验研究。     

MOCVD生长GaV的喇曼散射谱

对在ＧａＡｓ、Ａｌ２Ｏ３和Ｓｉ等衬底上ＭＯＣＶＤ技术生长的ＧａＮ薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较，观察到α相ＧａＮｌ模，Ａｌ模Ｅｌ模和Ｅ２模，结合射线衍射谱，分析了因不同生长工艺导致ＧａＮ／ＧａＡｓ样品的不同结构相的喇曼谱的差异，发现ＧａＮ喇曼谱与ＧａＮ外延层的结构相，完整性及工艺条件有关，可利用其作为检测ＧａＮ外延层结构特性的一种有用手段。     

离子注入对分子束外延Hg_(0.68)Cd_(0.32)Te远红外振动模的影响

我们对用分子束外延（ＭＢＥ）技术生长出的Ｈｇ０．６８Ｃｄ０．３２Ｔｅ薄膜进行了Ｎ离子注入并退火,分别得到了其室温喇曼散射谱及在不同温度下的远红外透射谱．喇曼散射谱可以观察到类ＨｇＴｅ的ＬＯ模的散射和ＴＯ模的散射,原生样品及离子注入样品在９３ｃｍ－１附近有较弱的散射峰,经离子注入后该峰消失;远红外透射谱中分别可以观察到７８ｃｍ－１（Ｘ）、８６ｃｍ－１（Ｉ１）、９３ｃｍ－１（ＬＡ）、１０４ｃｍ－１（Ｐｄ）以及１２１ｃｍ－１（ＴＯ２）、１４３ｃｍ－１（ＴＯ１）、１５６ｃｍ－１（ＬＯ１）等吸收峰,讨论了离子注入及     

用光学光谱分析仪测量准分子激光等离子体的空间角分布

本文用光学光谱分析仪（ＯＳＡ，ＷＰ－４）首次测量了ＸｅＣｌ准分子激光在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导靶面激励等离子体发射谱的轴向、径向分布。综合空间分辩率＜３００μｍ。结果表明在入射激光功率密度为２．２４×１０８Ｗ／ｃｍ２，背景氧压为２×１０－１Ｔｏｒｒ时，等离子体激发态粒子具有ＣＯＳ（ｎ）θ的空间角分布。其中，ｎ的值为２．９到４．８之间。     

级联喇曼光纤放大器

介绍了级联喇曼放大器的理论,并报道了最新的实验结果,分析了各种因素对放大器性能的影响,对未来的前景做了展望。     

一种新的光纤拉曼增益系数的测量方法

拉曼增益系数是描述拉曼散射的一个基本参数,通常用小信号增益法来测量,这种方法需要信号光,缺点是整个测试过程较长,易受到抽运光和信号光不稳定性的影响.文章提出一种新的测量方法,即利用光纤的受激拉曼谱和自发辐射谱的解调来获得光纤拉曼增益系数.测量了G.652光纤的增益系数,并与小信号增益法的测量结果进行了比较.     

Ga_(1-x)Al_xAs Raman散射的共振和反共振

本文着重研究了Ⅲ—Ⅴ族混晶半导体Ga_(1-x)AlAs Raman谱在不同温度下的多级共振行为。分析了二级及多级声子谱增强及产生的物理原因,从一个新的侧面证实了激子-LO声子复合体作为Raman散射中间态存在的可能性。同时,还从Raman散射张量出发,对近共振条件下TO声子的消失进行了讨论。     

用光波导提高拉曼光的转换效率

用波长为1．064μm的Nd：YAG激光器作泵浦源泵浦氢拉曼池，在氢拉曼池中放置充有高压氢气的波导管，观测到波长9．18μm二阶斯托克斯光输出。泵浦能量为25mJ时其输出能量为19．1μJ考虑40％的锗片损耗，二阶斯托克斯光的转换效率为0．13％     

硫化铅掺杂石英玻璃光纤喇曼增强特性研究

普通单模光纤的喇曼增益低,严重制约了喇曼放大器的发展。因此,研究高喇曼增益的光纤具有重要意义。研究了硫化铅掺杂石英玻璃光纤的喇曼散射增强特性。采用改进的化学气相沉积(MCVD)法分别制备出硫化铅掺杂石英玻璃光纤和普通单模光纤样品,并测得其传输损耗谱和喇曼光谱,实验结果表明:硫化铅掺杂石英玻璃光纤具有更强的喇曼散射强度。在不同的泵浦功率条件下,分别进行了喇曼放大实验,相比于普通单模光纤,硫化铅掺杂石英玻璃光纤具有更大的喇曼增益。     

人眼安全拉曼激光技术的发展

闸述了1.5Xμm波段人眼安全激光技术的特点，综述了1.54μm高压甲烷气体拉曼频移Nd:YAG激光器和1.56μm硝酸钡固体拉曼频移Nd:YAG激光器的发展及其现状，并对其未来发展方向进行了探讨。     

一种借助散射截面获得拉曼增益系数的理论方法

从拉曼散射几率出发，推导出拉曼散射增益系数和散射截面的关系，并通过仿真模拟，调节参数，得出了增益系数和频移之间的关系曲线，并将其与实验曲线作比较，给出结果的定性分析。     

1400-1500 nm,Different Material-doped Raman Fiber Lasers Pumped by Nd∶YVO_4 Laser

Different material-doped Raman fiber lasers with very high efficiency operating in continuous-wave are presented.With 1 W Nd∶YVO 4 laser pumping at wavelength of 1 342 nm, single mode output power of above 500 mW (optical-to-optical conversion efficiency of 50%) is simulated in the range of 1 400-1 500 nm.Using high-germanium,high-phosphate and high-borate silicate fibers as the gain medium,laser output at wavelengths of 1 420,1 450,1 480 and 1 495 nm can be achieved with different geometries,which are just as pumping C-band and L-band distributed Raman fiber amplifiers.     

多泵浦拉曼放大器增益特性的仿真与分析

合理简化了多泵浦光纤拉曼放大器功率传输方程,利用多步平均功率法进行数值计算得到了密集波分复用系统信号的合成拉曼增益。借助该简化模型研究了多泵浦光源的个数、输入功率和波长分布对信号拉曼增益的影响,简单分析了实现超宽带平坦拉曼增益的多泵浦波配置原则,为多泵浦光纤拉曼放大器在密集波分复用系统中的应用提供了有价值的参考。