基于半导体工艺制备碳纳米管阴极图形阵列

提出一种成本低、简单易行的碳纳米管图形阵列制备技术。首先在硅基底上采用热解工艺生长碳纳米管(CNT)阴极,再用光刻腐蚀法制备阴极图形阵列。研究了掩模精度及腐蚀液的浓度对图形阵列的影响,对所得到的图形样品进行XPS分析表明,图形腐蚀彻底、图形边沿轮廓清晰;以二极管结构FED测试场发射性能知:该阴极开启场1.5V/μm;在电场强度为2.0V/μm下,电流密度为58mA/mm2,发光亮度高达450cd/m2。     

两种自主开发的图形外延SiGe工艺

使用清华大学微电子学研究所研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺，分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/Poly-Si复合介质层，作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏蔽介质，开发出了不同的实用化图形外延SiGe工艺.     

两种自主开发的图形外延SiGe工艺

使用清华大学微电子学研究所研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/P0ly-Si复合介质层,作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏蔽介质,开发出了不同的实用化图形外延SiGe工艺.     

Mobile GPU领域的ARM：Imagination

在HD/3D图形技术逐渐进入智能手机与数字电视应用趋势下,Imagination在图形技术IP的地位以＂图形界的ARM＂来形容并不为过。     

两种自主开发的图形外延SiGe工艺

使用清华大学微电子学研究所研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/P0ly-Si复合介质层,作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏蔽介质,开发出了不同的实用化图形外延SiGe工艺.     

论数字电视MHP的图形参考模型

数字电视系统的MHP(MultimediaHomePlatform:多媒体家庭平台最终呈现给终端用户的信息是人机交互的图形参考界面,图形显示在整个数字电视业务平台中起着十分重要的作用。本文从数字电视MHP的图形参考模型入手,就MHP的图形结构以及图形层次的重叠/组合,进行了论述。     

一种独特和可靠的厚/薄铜复合PWB

本文论述一种厚/薄铜复合PWB(及其可靠性),它允许PWB设计者在厚铜和薄铜之间以任何希望的图形进行随意选择,以使电源模块/分配电路可以和精细图形特征一起集成,从而适应离I/O数半导体封装的要求。     

面向低压台区的SVG图形框架研究

本文在分析低压台区的结构特点和设备连接拓扑的基础上,提出了低压台区的图形模型,其中包括集成设备属性和图形特性的房/箱模型和线路模型,并结合基于XML语法的可伸缩矢量图形(SVG)描述语言,提出了面向低压台区的、具有跨平台性和可扩展性的图形框架。实际应用表明,该图形框架能够应用于多种低压台区图形显示系统,具有很好的实用性。     

如何避免在图形镀金过程中的干膜脱落

简介图形电镀金工艺被广泛应用于线路板生产制作,是由于金层具有特有的属性,包括低接触电阻、防腐蚀以及能抵抗在线路板生产中使用的一般蚀刻剂。图形电镀金工艺最普遍的流程是铜/镍/金。硫酸铜/磺酸镍/酸性金盐化合物是很普     

制作亚50nm L/S图形的极紫外纳米光刻技术

极紫外光刻技术 (EUVL ,λ =1 3.4nm)是为小于 70nm特征尺寸图形制作而开发的下一代光刻技术 (NGL)。在麦迪逊威斯康星大学开发的极紫外光刻系统中 ,极紫外光源是由电子存储环中的波动器产生 ,为极紫外干涉光刻 (EUV -IL)提供了瞬间空间相干光源。其成像系统采用了一个洛埃镜干涉仪。用EUV -IL制作的高分辨力图形进行极紫外光刻的抗蚀剂特性研究。验证了用EUV光源的干涉光刻技术制作 1 9nm线 /间 (L/S)条纹图形 ,同时报告了采用EUV -IL技术开发亚 50nm密集线 /间图形的进展 ,并开始向制作 1 2 0nm多晶硅栅图形过渡     

AOC推出多用途光学图形发生器

<正> 美国光学公司(AOC)开发部最近发表了新颖的5010型多功能图形发生器,专用于激光二极管、混合电路、消费电路和专用集成电路(ASIC)的实验室开发和小批量生产。该机由产生图形的曝光主机、IBM PC/ST/AT计算机和一台高分辨率监控器组成,将CAD、图形发生、精缩和步进曝光四种功能集于一     

用钽吸收体作图形的高反差、亚微米x射线掩模

研制了一种钽吸收体图形的 x 射线掩模。为了制作钽吸收体图形,采用了反应离子刻蚀全干式工艺,这样不仅使得亚微米图形成形极为精确,而且简化了掩模制造过程。精确地控制好射频溅射时的氩气压,使钽膜的应力保持在±10kg/mm~2以内。在制作吸收体图形时,采用中间体 SiO_2层作为腐蚀掩蔽层,用反应溅射腐蚀的方法得到了高于10的 Ta/PMMA 腐蚀选择比,获得了高反差的亚微米 x 射线掩模,最小图形宽度为0.2μm、最大高宽比大于3。     

掩模测量

<正> 掩模套准测量系统用来鉴定将要出厂的掩模版的质量,以确保使用者的技术要求。掩模检测程序和合格/不合格的条件通常都已定好,一般情况下,应从以下几方面考虑版的验收方案:1.掩模图形位置误差及对片子成品率的影响;2.掩模的技术条件及对掩模成本和制造周期的影响;3.每张掩模版或初缩版上芯片图形的数目;4.每套掩模曝光处理硅片的数目;5.采样图形及代表整张掩模上图形总位置误差的采样图形精度;6.在作出合格/不合格决定时可接受的冒险程度。     

IBM新型Value Point P系列建立了商用台式电脑新标准

IBM Value Point Performance系列是Value Point产品家族的新成员,具有高性能和高可靠性。P系列第一个采用主频为100/50MHz的IntelDX4**芯片,比100/33MHz的处理器性能提高了15％。P系列电脑采用最先进的集成64位图形加速器,为用户提供了增强的图形功能,使得图形用户界面(GUI)以及其它图形应用功能更为强大。P系列还同     

高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法

结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我们得到了高质量的掩膜图形.     

高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法

结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我们得到了高质量的掩膜图形.     

无线电电子学的应用

TN99 990613G2集装箱码头生产过程动态图形仿真优化的研究/真虹(上海海运学院)11中国图象图形学报.一1999,4(6).一502一506计算机仿真技术是研究港口生产过程优化的有效方法,采用离散事件仿真技术和计算机动态图形技术,构造集装箱码头生产过程的动态仿真模型,开发了一个实用化的动态图形仿真系统,并借助于该系统对拟定方案的仿真结果进行了分析.图3参4(武)TN99 99061363基于MPEG一I的远程多媒体监视系统/刘宁,张利,吴国威(清华大学电子工程系)11中国图象图形学报.一1999,4(6)一519一523提出了一种远程监视系统的实现方法,其中着重介绍了…     

光栅扫描图形显示器的最新动向

图形显示器已发展为计算机辅助设计和计算机辅助测量(CAD/CAM)的核心装置。CAD/CAM 要求图象的面积大,分辨力高,线质量好;用于动态显示的优等显示器大部分是随机扫描型显示器。对于其他应用,主要使用存贮型显示器。本文将主要讨论新的光栅扫描型图形显示器。     

用相干激光束曝光孔点阵列图形的几种方法

将涂有光致抗蚀剂的硅片或其它光敏材料置于由多束相干光以某种方式组合构成的干涉场中,可以在大视场和深曝光场内形成孔、点或锥阵周期图形,光学系统简单廉价,不需掩模和高精度大NA光刻物镜,采用现行抗蚀剂工艺。文中介绍的双光束双曝光法得到的阵列图形周期d的极限为dm i n=λ/2,四光束单曝光的周期略大,为前者的2倍,三光束单曝光得到2/3 d周期的图形,并且图形不受基片在曝光场中位置的影响,适合大面积尺寸器件中周期图形的制作,而三光束双曝光和五光束曝光的结果是周期为2d的阵列图形,并且沿光轴方向光场随空间位置也作周期变化,适合在大纵深尺寸范围内调制物体结构。     

分步重复精缩照相装置

<正> 据 GCA/Bnrlington Division 公司报道,该公司研制出的“4500型片子分步机”可制作提高 DSW 片子步进机生产率和减小图形发生器工作量的“组合图形”。4500型片子分步机用1倍的单元图形制作出供 DSW 使用的“组合图形”。据称通过一倍的放大,该装置在整个90毫微米的象场直径上可制作出20毫微米乃至更