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相似文献
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1.
电子枪是电子轰击炉的核心部件,它的性能好坏直接影响电子轰击炉的效率。由一直从事电子轰击炉工作的廖志秋先生设计、北京有色金属研究总院自行研制的电子轰击炉专用磁聚焦电子枪于1972年研制成功,1989年获国家专利(专利号88201516.8)。该电子枪安...  相似文献   

2.
闻立时  于宝海 《真空》1989,(1):18-23
采用x-ray衍射、电子衍射、电子探针、二次离子质谱及俄歇电子能谱等分析方法研究了低能氮离子轰击对不锈钢基材上 HCD离子镇 Ti膜层的组成,结构及界面状态的影响。结果表明,轰击后膜层的化学组成和结构以及界面状态均发生了较大变化.在较低的基体温度下,N元素就能够渗入 Ti膜层并与之反应形成 Ti、N或 TiN相。在适当的轰击电压下,N元素能够渗入基体,促进界面反应生成 Fe2Ti或 FeTi界面相,可见。低能离子轰击对于激活化学反应,降低沉积温度并改善膜基界面结合强度是十分有益的。  相似文献   

3.
固体材料在大气中会溶解、吸附一些气体,当材料置于真空环境下,就会因气体解溶、解吸、电子轰击等而发生放气。电真空微波器件广泛应用于加速器、卫星通信、可控热核聚变、全球定位及未来军事前沿的高功率微波武器等方面,其制造过程中非常关键的步骤是真空获得。为提高微波电真空器件研制过程中的管内真空水平,本文研制了高精度真空材料放气测试装置。系统采用小孔流导法测试出气率,极限真空低于5.0×10~(-7)Pa。利用本装置进行了电子轰击材料出气的试验研究。实验表明无氧铜在脉冲电子束轰击下出气速率与电压、频率、脉宽成正比;电子轰击的材料暴露大气后,在电子束轰击下出气速率在短时间内迅速降低到以前的放气率水平。采用四级质谱仪对电子轰击时真空室内的残余气体成分进行了分析,其主要成分为H_2(2),其它成份依次为H_2O(18),N_2(28),和CO_2(44)。对电子轰击材料出气机理进行了分析。金属电离规管进行的电子轰击除气实验研究也证明了这些实验结果。因此利用热阴极或电子枪作为电子发射源,对微波电真空器件收集极、阳极等金属材料进行电子轰击除气,将是制造长寿命高可靠微波电真空器件所必要且可行的方法。  相似文献   

4.
本工作主要研究了超高真空环境中(5×10~(-10)Torr)多晶Al、Mo、Cu表面在3keV电子束轰击下,表面组份的变化。通过检测俄歇峰高随电子的轰击所发生的变化,对表面组份在电子轰击下所发生的变化进行了观察,并对这些变化的机理进行了探讨。  相似文献   

5.
电子倍增器使用寿命短的问题严重制约了其在导航定位系统中的应用,究其根本原因在于现有电子倍增器增益低,且打拿极材料在轰击能量较高的离子或较强电子束流长期作用下耐轰击能力弱,增益衰减过快。通过对国内外研究人员提出的打拿极二次电子发射系数计算模型进行详细分析,总结了这些模型的优缺点,提出建立打拿极材料二次电子发射系数计算模型的启示和建议。  相似文献   

6.
本工作主要研究在超高真空环境中,3keV能量电子束轰击Al、Mo、Cu三金属表面所导致的二次电子像上的变化。通过观察不同金属表面或同一金属但预处理方法不同的表面在电子轰击下,其二次电子像中所发生的变化,对电子诱导表面低能二次电子产额变化的机理进行了讨论。  相似文献   

7.
低能离子束轰击对非晶Ni-P薄膜组织与性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
用X-射线衍射仪(XRD),俄歇电子能谱分析仪(AES),电子探针(EPMA),差示扫描量热仪(DSC)和超微显微硬度计研究了低能氮离子束对非晶Ni-P合金镀层进行轰击的晶化规律,分析了在低能氮离子束作用下的非晶薄膜的组织结构和显微硬度,结果表明,用能量为3.0-4.0keV,束流为80-200mA的低能氮离子束对非晶Ni-P镀层进行轰击,镀层中可以晶化析出Ni和Ni3P相,并在Ni(111)晶面上出现择优取向。随低能氮离子束的轰击能量和束流的增大,Ni-P非晶镀层中Ni和Ni3P的晶化温度下降,束流对晶化温度的影响比加速电压的影响大。载能粒子对非晶薄膜的作用,产生氮离子注入效应,使表层的含氮量增加。随束流的增加,显微硬度增加减缓,而随氮离子束加速电压增加,显微硬度增加明显,在4000V加速电压的氮离子束轰击下,显微硬度达到HV2131,比一般退火晶化方法所得到的显微硬度显著提高。  相似文献   

8.
本工作主要研究了超高真空环境中(6.7×10~(18)Pa)多晶Al、Mo、Cu表面在3keV能量电子束的轰击下,表面化学态的变化。利用AES(俄歇电子能谱)中的一些化学态讯息,对电子诱导表面化学态变化的过程进行了观察,并对这些变化的机理进行了探讨。  相似文献   

9.
木文介绍用国产JWC-1型无油超高真空机组、SJX-1四极分析器和自制软x射线出现电势能谱仪联合装置研究不锈钢的真空出气特性。获得了山不锈钢制做的无油超高真空系统的残余气体分析谱,主要残余气体是H_2O、CO、CO_2、CH_4和H_2。用电子轰击不锈钢样品主要脱出H_2O、CO、CO_2、CH_4、H_2和O_2记录了未经电子轰击处理和轰击处理1小时后的不锈钢中Cr的软x射线出现电势谱。从谱形看出,未经电子轰击处理不锈钢表面主要有Cr_2O_3层(峰高比L_3/L_2≈1),轰击处理1小时后,Cr_2O_3分解,表面主要出现Cr峰(L_3/L_2>1)。这可能是不锈钢在高温下失去抗腐蚀能力和电子轰击脱氧的原因之一。  相似文献   

10.
兰花圆球茎基因枪转化后的GUS基因表达   总被引:9,自引:0,他引:9  
利用花榔菜花叶病毒35S启动子引导的葡糖醛酸糖苷酸基因检测基因枪法转化兰花圆球茎组织的瞬间表达效率。发现在基因枪轰击时在DNA-金粉悬液中加入0.1mol/L的生长激素NAA,轰击前预培养时使用0.1mol/L甘露醇处理,每个培养皿轰击压力为1100psi下,GUS基因在兰花圆球茎组织中的瞬间表达效率最高。  相似文献   

11.
用离子束增强沉积法(IBED)在硅及铜基体上沉积了TiB2薄膜,研究了轰击离子束能量和束流对薄膜的微结构及力学性能的影响。用俄歇电子谱(AES)分析了膜的成分及其界面状况,用X射线衍射(XRD)研究了膜的微结构,并测定了膜的硬度及进行了膜的高温氧化试验。结果指出:(1)离子束轰击使薄膜晶化,从而影响到膜的硬度及抗高温氧化性能;(2)离子束增强沉积的二硼化钛薄膜是一种耐高温氧化的高硬膜。  相似文献   

12.
杨化中 《真空》1991,(3):22-25,40
本文叙述了在5.30× 1012-1.58×1015Cl++/cm2剂量范围内,用3.02MeVCl++离子轰击金/金系统,研究了金属膜耐蚀性的改变。在 Ni、 Ti和 Ag膜中主要研究了 Ag膜对空气和化学试剂的耐蚀性同剂量间的关系,并指出了用 Mev重离子轰击 Ag-Cu和 An-V系统时, Ag膜耐大气腐蚀大为改善。就所研究的金属膜而言,随着剂量的增加膜的耐化学腐蚀性增强。  相似文献   

13.
为了研究氢离子束轰击Mo-Si多层膜界面的情况,采用氢离子束(能量150eV)轰击Si表面,即Si与Mo之界面。再用Kr离子束溅射刻蚀,并用俄歇电子能谱(AES)分析。实验结果说明氢离子束对Si表面轰击能有效防止界面混杂效应(intermixingeffect)。进而说明这是制备软X射线多层膜反射镜过程中解决界面混杂问题的有效途径。  相似文献   

14.
用离子束增强沉积法(IBED)在硅及铜基体上沉积了TiB2薄膜,研究了轰击离子束能量和束流对薄膜的微结构及力学性能的影响。用俄歇电子谱(AES)分析了膜的成分及其界面状况,用X射线衍(XRD)研究了膜的微结构,并测定了膜的硬度及进行膜的高温氧化试验。结果指出:(1)离子束轰击使薄膜晶化,从而影响到膜的硬度及抗高温氧化性能;(2)离子呸增强的二硼化钛薄膜是一种耐高温氧化的高硬膜。  相似文献   

15.
田民波  山田公 《真空》1996,(6):17-22
设计并制造了CO2离化装置——由电子轰击对团束进行离化,由电极电位进行加速,由阻止势进行质量分离。通过实验确定了最佳参数,其中包括:离化电子电流和电压、加速电压、阻止电势、供气压力等。  相似文献   

16.
为了研究氢离子束轰击Mo-Si多层膜界面的情况,采用氢离子束(能量150eV)轰击Si表面,即Si与Mo之界面,再用Kr离子束溅射刻蚀,并用俄歇电子能谱(AES)分析,实验结果说明氢离子束对Si表面轰击能有效防止界面混杂效应,进而说明这是制备软X射线多层膜反射镜过程中解决界面混杂问题的有效途径。  相似文献   

17.
本文提出一种电子轰击镀膜的方法。该方法能在一些特殊零件上得到牢固性好的薄膜。并能控制蒸发分子来沉积在样品夹具上,较好的防止了蒸发分子束对蒸发室的污染。这种方法还可测量出蒸发过程中的沉积速率。  相似文献   

18.
利用PHI—550型多功能电子谱仪对GCr15钢镀Ti、Cr后用N~ 及Ar~ 和N~ 轰击过的样品进行了AES、AES—PRO(俄歇部面)及ESCA分析研究。结果表明:(1)GCr15钢镀Ti、Cr后,用N~ 轰击,氮的注入效果明显,混合效果不明显,轰击可不同程度地改善镀层同基体的结合;用Ar~ 轰击则混合效果较明显,注入效果不明显。对表面改性来说,前者效果好,后者效果不理想。(2)改性与样品表层生成的TiO_2、TiN、TiG;Cr_2O_3、CrN等成分有关,C的存在对GCr15钢的表面改性有益。  相似文献   

19.
采用磁控溅射法,在衬底温度为620℃时,通过引入合适的衬底负偏压(100—200V),获得了结晶良好的Ta2O5薄膜.衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta2O5薄膜的晶化温度,改善了其结晶性.同时,G—V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta2O5薄膜的介电性能.  相似文献   

20.
使用有限元方法对炉内的质量传递过程进行了全局数值模拟,研究了硅单晶Czochralski(Cz)法生长时氧传输的基本特性.结果表明:在小型硅Cz炉中,晶体中的氧浓度主要取决于熔体的流型和气相传质速率;安装在热区的气体导板可有效强化气相传质系数并改变熔体的流型,Marangoni效应可将自由界面处低氧浓度的熔体带至结晶界面,使晶体中氧浓度降低.  相似文献   

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