La（1＋x）／3Ba（2—x）／3MnxCu1—xO3（0.8≤x≤1）晶体结构和？…

用固态反应法制备了名义组分为Ｌａ（１＋ｘ）／３Ｂａ（２－ｘ）／３ＭｎｘＣｕ１－ｘＯ３（０．８≤ｘ≤１）的系列试样。试样结构的单相性经粉末Ｘ射线衍射分析而得以证实,且随Ｃｕ的掺杂其结构由未掺杂时的立方对称性转变为正交对称性。输运实验表明：所有试样均经历了半导体到金属的转变但转变温度ＴＰ随掺杂量增加而逐渐移向低温端;外加磁场大大增加了ＴＰ附近的导电性,导致ＴＰ附近最大磁电阻效应的出现。     

奥氏体型Fe—Cr—Mn（M,V）合金相稳定性研究

通过形变加工和长期时效热处理，研究了（Ｃ＋Ｎ）复合强化的Ｆｅ－１３Ｃｒ－１７Ｍｎ（Ｍ，Ｖ）奥氏体合金的稳定性和相平衡特点，结果表明：在５００℃以下合金奥氏体稳定，不发生γ→α转变。采用（Ｃ＋Ｎ）复合添加晶粒细化，可有效抑制ε马氏体形成和σ相析出。５００～７００℃长期时效后形变诱发大量碳化物析出，Ｍｓ点提高，加快形变诱发α马氏体分解和再结晶，促使γ→α转变和σ相析出，合金奥氏体变得不稳定。     

稀土La在纳米晶（W, Ni, Fe, La）复合粉末烧结过程中的作用机理

采用溶胶-喷雾干燥法制备纳米晶(W,Ni,Fe,La)复合粉末,研究了粉末在烧结过程中La对抑制鼓泡和晶粒长大的作用机理,通过XRD与SEM分析了La在烧结过程中的相转变规律和在合金中的存在形式,讨论了稀土La对合金液相烧结过程中扩散的影响。结果表明:稀土La在纳米复合粉末中主要以La2WO6与La4W2O15的形式存在。经液相烧结后,稀土La主要以二次相颗粒的形式分布于粘结相中,生成高温下能稳定存在的La4W2O15相,该相对杂质元素Ca、O具有很好的亲和力,起到晶界净化和晶内净化的作用。同时二次相颗粒存在于粘结相中,抑制了W在粘结相中的扩散,降低了W在粘结相中的溶解度,使得液相烧结溶解-析出过程减慢,从而抑制液相烧结阶段的晶粒长大和鼓泡现象。     

二元掺杂系列La－（Ca，Ba）－Mn－O材料巨磁电阻特性研究

用固相反应法制备了二元掺杂系列La2/3(CaxBa1-x)1/3MnO3(x=0,0.40,0.45,0.55,0.60,1.0)多晶材料;在77K～420K范围内测量了样品的电阻和磁电阻。结果表明,所制备的系列样品电阻率与温度的关系具有明显的双电阻峰结构;在T=77K～350K范围内,样品均有相似的磁电阻行为:在低温区(TTC区域,电阻率、磁电阻都随温度的升高而迅速下降,样品在高温(TC附近及T>TC区域)的这一行为可用双交换(DE)模型与非磁无序来说明。通过掺杂研究发现,掺杂量x为0.55,0.60的2种样品在室温下具有较大的磁电阻,在B=1.2T时分别达到14.5%和19.5%。     

亚稳奥氏体型Fe—Cr—Mn（W,V）合金的组织稳定性研究

通过对形变奥氏体组织进行长期时效观察合金相演化过程，研究了低放射性亚稳奥氏体Ｆｅ－Ｃｒ－ｎ（Ｗ，Ｖ）合金的组织稳定性。实验表明：合金在高于４００℃时，相平衡处在γ＋α＋α三相区，低于４００℃可以保证亚稳奥氏体的稳定性。亚稳奥氏体可以发生γ→α→α转变也可以发生γ→γ（ｆ）→＇（ｆ）→α转变，ε马氏体不是γ→α转变的唯一中间过渡相。形变诱发ε马氏体形成过程中伴随奥氏体晶粒碎化，可产生细晶强化作用，这     

Bi对Ba（Sn0．1Ti0．9）O3陶瓷介电性质的调节作用

采用传统的固相反应烧结工艺制备出了Ba1．3xBi2x（Ti0.9Sn0.1）O3（x=0,0．1％，0．2％，0．4％，0．6％，0．8％，1．0％，1．2％，1．4％）9种铁电陶瓷，利用XRD和介电温谱对陶瓷的物相结构与相变特性进行了研究。结果表明，产物为单相钙钛矿结构，Bi的A位轻量替代可以对陶瓷的介电性质和相变温度产生很大影响，随Bi元素在A位替代量的增加陶瓷从一般铁电体向驰豫铁电体转变，且弥散相变特征加重。     

脉冲电流加压烧结（Fe，Mn）Al2O3铁氧体

日本同志社大学理工学部植田将弘等人用（1．0％H2-N2）气氛下在900℃保温6h的固相反应法制造尖晶石型FeAl2O3和Mn掺杂的（Fe1-xMnx）（0≤x≤1．0）Al2O4固溶体粉末,其中反应形成的α—Fe2O3细粉粒径为0．1μm,Al2O3粒径为10nm,MnO粒径为0．15μm。     

Dy,Nd掺杂对（Sr，Ba，Ca）TiO3基压敏陶瓷性能的影响

采用常规固相反应法制备（Sr,Ba，Ca）TiO3基压敏陶瓷，在Mn作为受主掺杂元素，Nb^5＋离子取代Ti^4＋离子的前提下，用Dy^3＋或Nd^3＋离子取代Sr^2＋离子，并系统研究掺杂Dy或Nd对（Sr，Ba，Ca）TiO3基压敏陶瓷性能和结构的影响。结果表明：掺杂Dy或Nd可以制备出Ⅴ10mA=4．16-39．37V，α=2．45～3，23的压敏陶瓷。     

Ba（Sn0．1Ti0．9）O3粉体的熔盐法制备与性质

采用熔盐法研究了Ba（Sn0．1Ti0．9）O3铁电体粉体的制备工艺和粉体性质。探讨了在熔盐催化下，合成温度对Ba（Sn0．1Ti0．9）O3反应完全程度及粉体形态的影响。结果表明，当反应温度达到900℃时，在熔盐环境下即可合成单相固体Ba（Sn0．1Ti0．9）O3，随着反应温度提高，粉体尺寸变化不大，但当温度超过950℃时出现晶粒异常长大趋势。烧结陶瓷的形貌和介电性质显示陶瓷粉体烧结活性好且介电性质优良。     

Effect of defect complex on magnetic properties of (Fe,Mn)-doped ZnO thin films

We have observed room temperature ferromagnetism in Mn-doped and (Fe, Mn)-codoped ZnO thin films grown under different oxygen partial pressures by pulsed laser deposition. The X-ray diffraction and optical transmission spectra studies demonstrate the natural incorporation of Fe and Mn cations into wurtzite ZnO lattices. The effects of transition metal doping and defects on the magnetic properties was investigated. It is found that room temperature ferromagnetism is sensitive to oxygen vacancy and Zn vacancy. The absence of ferromagnetism in pure ZnO films grown under different oxygen partial pressures reveals that the transition metal ions should also play an important role in inducing the ferromagnetism.     

Surface Modification of Li1.6(Fe0.2Ni0.2Mn0.6)O2.6 by V2O5- Coating

在采用低温共沉淀-水热-煅烧法合成锂离子电池Fe-Ni-Mn体系正极材料Li1.6(Fe0.2Ni0.2Mn0.6)O2.6的基础上,对合成的材料Li1.6(Fe0.2Ni0.2Mn0.6)O2.6进行V2O5的包覆改性研究,以提高材料Li1.6(Fe0.2Ni0.2Mn0.6)O2.6的首次放电比容量和循环性能。用XRD、SEM、TEM、ICP光谱和恒流充放电测试研究包覆材料的结构和电化学性能。结果表明,V2O5包覆并没有改变材料的晶体结构,只存在于材料的表面,与未包覆的材料相比,V2O5包覆后的材料具有更好的首次放电容量和容量保持率。50周循环后,添加质量分数3%V2O5样品Li1.6(Fe0.2Ni0.2Mn0.6)O2.6的放电比容量可以维持在200.3 mAh/g,大于未添加V2O5样品Li1.6(Fe0.2Ni0.2Mn0.6)O2.6的194.0 mAh/g。CV测试表明,包覆层的存在有效抑制了材料层状结构的转变及电极与电解液的负反应。     

铸钢中(Mn,Fe)S单晶生长形态的研究

本文用SEM 505扫描电镜观察到ZG 25钢铸件皮下显微气孔壁上(Mn,Fe)S单晶生长台阶花样和平衡状态的晶体形态.平衡状态面心立方(Mn,Fe)S单晶是由{111}晶形的八个晶面和{100}晶形的六个晶面组成的十四面体.是O_h—m3m类立方晶系对称图形的典型实例.     

MORPHOLOGY OF(Mn,Fe)S SINGLE CRYSTAL GROWTH IN CAST STEEL

The step pattern of single crystal growth and the morphology at equilibrium state of(Mn,Fe)S on the wall of micro-voids in ZG25 cast steel have been observed using scanning electronmicroscope.The face-centred cubic(Mn,Fe)S single crystal at equilibrium state is shown tobe tetrakaidecahedron consisted of eight{111}planes and six{100}planes,and is a typicalexample of the O_h—m3m cubic crystal system.     

Pr,Mn改性BaTiO_3陶瓷的制备及其PTC特性

采用溶胶凝胶法制备了Pr,Mn掺杂的BaTiO3陶瓷,并对其进行了Pr,Mn气相扩渗。研究结果表明,Mn掺杂能提高BaTiO3陶瓷的室温电阻率至1015Ω·m,但再经Pr扩渗后降至107Ω·m,经Pr-Mn共渗后降至2.01Ω·m。Pr掺杂能降低BaTiO3陶瓷的室温电阻率至105Ω·m,再经Mn扩渗后,室温电阻率变化不大,但经Pr-Mn共渗后室温电阻率显著降低,达到2.04Ω·m。Pr气相扩渗能显著降低电阻率,而Mn的加入有利于改善PTC特性。经Pr扩渗的Mn掺杂BaTiO3陶瓷在350℃后有明显的NTC效应,升阻比高达106;经Mn扩渗的Pr掺杂BaTiO3陶瓷在370℃附近出现突降点,电阻率降至0.1Ω·m,升阻比约为105。XRD分析表明,Pr,Mn掺杂或扩渗都没有改变BaTiO3陶瓷的物相结构。XPS分析表明,在气相扩渗过程中,C和Pr元素都进入了陶瓷体,并主要分布于晶界或者陶瓷的气孔中,导致了改性BaTiO3陶瓷电阻率的明显下降和NTC效应的产生。气相扩渗对掺杂后的陶瓷有减小结合能的活化作用,而对纯BaTiO3陶瓷有增强稳定性的作用。     

Induced effects of Cu underlayer on（111） orientation of Fe50 Mn50 thin films

Effects of Cu underlayer on the structure of Fe50 Mn50 films were studied. Samples with a structure of Fe50 Mn50 (200 nm)/Cu(tcu) were prepared by rnagnetron sputtering on thermally oxidized silicon substrates at room temperature. The thickness of Cu underlayer varied from 0 to 60 nm in the intervals of 10 nm. High-vacuum annealing treatments, at different temperatures of 200, 300 and 400℃ for 1 h, respectively, on the Fe50Mn50 (200 nm)/Cu(20 nm) thin films were performed. The surface morphologies and textures of the samples were measured by field emission scan electronic microscope (FE-SEM) and X-ray diffraction(XRD). Energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) and Auger electron spectroscopy(AES) were used to analyze the compositional distribution. It is found that Cu underlayer has an obvious induce effect on (111) orientation of Fe50 Mn50 thin films. The induce effects of Cu on (111) orientation of Fe50 Mn50 changed with the increase of Cu layer thickness and the best effect was obtained at the Cu layer thickness of 20 nm. High-vacuum annealing treatments cause the migration of Mn atoms towards surface of the film and interface between Cu layer and substrate. With the increasing annealing temperature, migration of Mn atoms is more obvious, which leads to a Fe-riched Fe-Mn alloy film.     

球磨制备的La(Fe1-xCox)11.2Si1.8化合物的相形成和磁热效应

将LaSi母合金和元素粉末混合,利用球磨工艺制备了La(Fe1-xCox)11.2Si1.8 (x = 0, 0.02, 0.04, 0.06)样品。在1423K的温度下烧结30分钟,然后放入水中快速冷却,就可以获得几乎为NaZn13型结构的单相化合物。磁性质的研究表明,样品的居里温度随着Co含量从x=0到x=0.06而提高,但是磁熵变减小。在0-1.5T的外加磁场下,LaFe11.2Si1.8合金在其居里温度附近的最大磁熵变达到的6.5 J/kg,而x=0.06的样品的最大磁熵变约为2.1 J/kg K。另外,球磨制备的样品还呈现了二级磁相变的特点,这对于磁热效应的应用非常有意义。     

La0.67Sr0.33Co1-xFexO3体系的输运行为

研究了Co位Fe掺杂对La0.67Sr0.33Co1-xFexO3体系的电输运性质和巨磁效应的影响.结果表明:电阻率在低掺杂(x≤0.1)时显示金属性输运行为,而在高掺杂(x=0.2,0.3)时则显示半导体行为.而且,Fe掺杂削弱了Tc处的MR峰值,但增加了低温下T≤Tc的MR值.La0.67Sr0.33Co1-xFexO3体系的磁电阻的起源可由外加磁场导致的自旋态转变来解释.     

热压快速凝固Fe0.92Mn0.08Six半导体的热电性能

采用快速凝固和热压的方法制备了p型热电材料Fe0.92Mn0.08Six(x=1.9, 2.0, 2.1, 2.3, 2.5).X射线衍射分析表明,热压试样退火24 h后,完全转变为β半导体相.所有试样的致密度均高于90%.测量试样的电学性能发现,原料配比为Fe0.92Mn0.08Si2.1的试样在整个测量温度范围内的功率因子最大,550℃时达到了400 μW·m-1·K-1以上.