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锗硅材料的制造与硅平面工艺相容,且具有优良的电学,光学性能,被称为“第二代硅微电子技术”。在高速异质结双极型晶体管,调制掺杂场效管中获得应用,其中HBT即将走向产业化,锗硅材料具有能可调的特性,在光电子方面有其应用价值,锗硅材料做红外探测器有诱人的前景。 相似文献
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锗硅材料在微电子、光电子方面的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
锗硅材料的制造与硅平面工艺相容,且具有优良的电学、光学性能,被称为“第二代硅微电子技术”。在高速异质结双极型晶体管(HBT)、调制掺杂场效管中获得应用,其中HBT即将走向产业化,锗硅材料具有能带可调的特性,在光电子方面有其应用价值,锗硅材料做红外探测器有诱人的前景。 相似文献
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<正>日前,中科院微电子研究所在多晶黑硅太阳能电池研究方面获得重要突破。黑硅是一种低反射率的硅材料,和常规的硅材料相比,它具有超强的吸收光线的能力,可用于太阳能电池产业。微电子所微电子设备研究室(八室)夏洋研究员带领的研究团队原创性地提出利用等离子体浸没离子注入技术制备黑硅材料。 相似文献
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SiGe是近年来兴起的新型半导体材料,它有许多独特的物理性质和重要的技术应用价值,并与硅的微电子技术兼容,被认为是第二代硅材料。简单介绍国内外SiGe技术现状及市场。 相似文献
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由于太阳能用的硅材料出现短缺,造成硅材料的价格上涨。2005年,世界太阳能级多晶硅料的价格已经达到40美元/公斤。由于太阳能级硅料供不应求,造成从电子级硅料转移过来一部分用作太阳能产业,因此提高了硅材料的价格,对于电子级硅料可以达到80到100美元/公斤。但是对于某些小宗订货厂家,硅料往往经过多次转手,达到200甚至300美元/公斤。 相似文献
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