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波长1.5~1.6μm的GaInAsP/InP隐埋异质结构分布布拉格反射器集成双波导(BH-DBR-ITG)激光器直到12℃均可获得低阈值电流CW工作。在25°温度范围内获得了单波长工作。激射波长与温度的关系为0.10nm/deg。在248K,阈值电流、微分量子效率和最大输出功率分别为37mA、16.3%/端面和6mW。 相似文献
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可见光激光器在光学唱机和激光束印刷业中是非常重要的光源。为此发展的波长为600nm 范围的器件,已经进行了许多偿试。目前,AlGaAs、InGaAsP 和AlGaInP 双异质结(DH)激光器以及 AlGaAs 和 AlGaInP 相似文献
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在半绝缘InP衬底上制作了1.5μm波长范围的InP/GaInAsP隐埋异质结构(BH)激光器。在25℃和CW工作条件下,激光器的阈值电流低至38mA。这一结果与在n型InP衬底上制造的BH激光器的阈值电流几乎一样。 相似文献
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研制了InGaAs/AlGaAs SQW激光器,对其工作特性如阈值电流密度、激射波长、特征温度、远场分布等进行了研究.
用MOCVD方法生长制备了InGaAs/AlGaAs分别限制单量子阱结构材料,得出其各层组分和能带分布.首先在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层和AlGaAs波导层,然后生长窄能带的AlGaAs量子阱势垒层,再继续生长InGaAs量子阱有源区.其后继续生长AlGaAs势垒层、高Al组分AlGaAs波导层和GaAs高掺杂欧姆接触层.我们发现在低温范围里(160 K~220 K)阈值电流密度随温度升高而减小,与普通量子阱激光器正相反,表现出负的特征温度.随着温度进一步提高,阈值电流密度表现出指数式增大.300 K下腔长2000 μm的激光器最低的阈值电流密度约为200 A/cm2.(OD7) 相似文献
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一种带有窗口结构的新型大功率AlGaAs激光器,即曲型横向结条形激光器(以下简称曲型TJS激光器)制作成功。该激光器即使在连续输出功率为20mw的条件下仍以基横模工作,其阈值电流通过缩短激光器有源区的弯曲长度可降低到20mA,甚至在80℃以上器件仍然振荡,它的最大输出功率几乎比普通TJS的高十倍。在脉冲和连续波(CW)工作下分别获得200和40mw的最大功率。本文叙述了这种激光器的静态特性和长期工作状况。 相似文献
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尽管金属有机化学汽相淀积(MOCVD)技术已经成功地用于生长各种各样的光电子学器件,例如太阳电池,双异质结激光器和量子阱激光器,但用一般的MOCVD生长AlGaAs DH激光器有时也出现光致发光效率较低的问题。MOCVD生长AlGaAs DH激光器的初始结果表明能够得到低的阈值电流密度,尽管这个值与LPE获得的最好结果相比仍然很高。在本文中,我们说明只要用心控制好常规的MOCVD的生长条件,就 相似文献
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本文报导一个具有新结构的AlGaAs双异质结激光器得倒了波长低于700毫微米的室温连续运转,该结构增大了缓冲层的厚度并去除了衬底.在680~700毫微米可见光谱范围内连续波阈值电流为60~120毫安.在连续运转下获得了基横模和单纵模.目前最短连续波波长是683毫微米. 相似文献
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为了改善InGaAsP激光器阈值电流与温度的关系,人们寄希望于量子阱(QW)结构。虽然分析了GaAs量子辐激光器的辐射电流与温度的关系,但不能用于InGaAsP量子阱激光器,因为俄歇效应对这种激光器有着重要的作用。本文分析了量子的尺寸对俄歇电流的影响,揭示出了InGaAsP量子阱激光器的低阈值电流和高特征温度T_0的极限值。计算了量子阱结构中导带和价带次能带之间一切可能跃迁的增益、辐射和俄歇系数。它们的全量子化状态到体状态跃迁范围的性质已经搞清楚。在载流子间无相互作用条件下,采用K-选择准则,InGaAsP和GaAs量子阱激光器的阈值电流计算值与文 相似文献
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本文报导了发射波长为1.5μm的InGaAsP/InP分隔多包层条形激光器。25℃下的CW阈值电流只有82mA,获得CW激射的最高温度为65℃。脉冲阈值电流的特征温度为60K。在CW工作条件下直到1.5倍阈值电流,基横模为基模,纵模为单模。在50℃,5mW/端面的恒定光功率条件下,有几只样品工作已超过1000小时。 相似文献
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<正> 日本富士通实验室研制了一种发射波长为1.3μm的BH激光器:V形槽衬底BH激光器(VSB)。在这种结构中,有源层埋在衬底上的V形槽内。为了制作这种激光器,研制出一种腐蚀方法,用这种方法在<011>方向上形成V形槽。25℃时CW阈值电流范围在10~20mA。一直到20mW/端面的光功率均可获得稳定的基横模激射。CW激射的最高温度为100℃。纵模是多模,然而其包络半最大点的全宽(FWHW)典型值低于3nm。动态特性呈现出 相似文献
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通过将二级光栅直接刻在脊形波导AlGaInAs/AlGaAs DFB激光器的无铝光波导层上,实现了波长约为820nm,单面功率为30mW的单纵模激光器.由于采用无铝光栅,保证了二次外延质量,从而得到较好的器件性能.激光器的阈值电流为57mA,斜率效率约为0.32mW/mA. 相似文献
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设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器,其发射波长为808 nm,腔长为900 μm,条宽为100μm.其外延结构与通常的808 nm AlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p-n结和有源区间多了一层0.3μm厚的p型Al0.3Ga0.7As下波导层.对研制的器件进行了电导数测试,结果显示,与常规AlGaAs/GaAs大功率半导体激光器相比,远结半导体激光器具有阚值电流偏大、导通电压偏高的直流特性.经4 200h的恒流电老化结果表明,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降,输出功率随老化时间缓慢上升的远结特性. 相似文献
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本文描述了发射波长约为1.55μm的InGaAsP/InP激光器的制造工艺和激射特性。采用低温液相外延方法制备的InP/InGaAsP/InP双异质结构外延片,制造了发射波长在1.53~1.60μm范围的锌扩散条形几何结构激光器。研究了激射特性与条宽的依赖关系。具有1.3μm条宽的激光器得到了最低的阈值电流(在27℃,CW工作条件下,约为160mA)。热沉温度高达53℃时获得了激光器的CW工作。在条宽足够窄(~6μm)的情况下,CW工作时得到了基横模和单纵模工作,而且激光器具有很好的高频性能。在高频(800Mbit/s)大信号脉冲调制情况下,激光器呈现出极好的动态特性。800Mbit/s时的纵模包络半最大点的全宽约为30(?)。 相似文献
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采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH) 的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm 的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长. 在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(In carry-over effect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量. 器件的阈值电流从界面改善前的560mA 减小到改善后的450mA, 斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A, 特别是单面最大输出功率已经从370mW 增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA 上升为1820mA. 相似文献
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采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH) 的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm 的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长. 在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(In carry-over effect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量. 器件的阈值电流从界面改善前的560mA 减小到改善后的450mA, 斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A, 特别是单面最大输出功率已经从370mW 增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA 上升为1820mA. 相似文献