绿茶多糖的扫描电镜制样新方法及原子力显微镜观察

利用扫描电镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对绿茶多糖及酶解绿茶多糖试样进行显微成像,得到颗粒状或由单个颗粒聚集成的形貌结构。结果表明：改进制样方法的扫描电镜观察结果与原子力显微镜成像基本一致,说明了改进后的扫描电镜制样方法是一种简单有效的方法。实验结果还在一定程度上解释了绿茶多糖经酶解后其微观形态的变化情况。     

激光烧蚀法制备纳米银胶体及其特征研究

利用Nd：YAG激光器1064nm激发光照射金属Ag表面，通过控制光照时间，制备出纳米金属Ag胶体。利用透射电子显微镜(TEM)，对胶体Ag粒子的尺寸及形态进行观测表明，这些胶体为粒径介于5—35nm的纳米体系，并对其进行了紫外—可见吸收光谱的研究。对经过激光照射后的金属Ag表面进行了扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)的测量结果显示，该表面的组糙度平均为60nm。     

多孔硅秃腔微结构的AFM和SEM研究

多孔硅微腔是采用交替变化脉冲腐蚀电流密度的方法制成的多孔度周期性变化的多孔硅结构。用原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）对多孔硅微腔的侧向解理的截面进行了观测，得到了不同多孔层及其界面处的图像。微腔截面的扫描电镜图像清楚地显示出第Ⅱ型多孔硅微腔的“三明治”结构，即中心发光层被夹在两个Bragg反射镜之间，这些结果表明结合分子束外延技术和电化学腐蚀方法可以很容易得到多孔硅微腔。     

液相型AFM的研制与金属腐蚀原位研究

介绍了新型液相型原子力显微镜（AFM）的工作原理、系统结构和独特性能，讨论了该AFM在金属腐蚀研究中的应用。利用液相型AFM对碳钢在NaCl溶液及Pb在草酸溶液中的腐蚀过程进行了原位观察，获得了理想的扫描图像。实验结果表明，金属腐蚀最初起始于原子或纳米尺度，之后逐渐扩大到宏观尺度；金属表面的凹坑或缺陷可加速其腐蚀；而表面突起的结构则被一层层腐蚀。     

电子显微镜在油田开发中的应用——以板桥合水地区长6储层为例

电子显微镜在油田开发中有着广泛地应用,能够解决普通显微镜不能解决的问题,并且能观察储层的储集空间和喉道类型,对油气的储运有更直观地了解.因此本文在前人对该区域宏观地质条件认识比较全面的基础上,以油田的生产现状为立足点,运用扫描电镜、铸体薄片,高压压汞等实验手段来划分研究区储层微观孔隙结构的类型.然后选取每个类型的代表样品来做真实砂岩微观模型水驱油实验,一方面验证前面储层微观孔隙结构分类是否正确,另一方面研究微观孔隙结构特征与驱油效率的相关性究竟如何.结果表明,研究区储层的储集空间主要是溶蚀孔和粒间孔,喉道类型以片状喉道为主.按照高压压汞曲线形态将研究区储层分为:Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ类.由于Ⅳ类属于无效储层,本文只讨论前三类,这三类不同孔隙结构的储层对应的驱油效率和驱油路径差异比较大.综合得之,孔喉半径是比孔隙度和渗透率更有效的参数去反映与驱油效率之间关系,应用孔隙结构特征来划分储层类型并研究与驱油效率的关系更科学.并且通过水驱油实验,作者发现在注水开发时,孔隙连通性不是越大越好,而是存在一个最佳值.     

POSS聚合物微观结构的原子力显微镜研究

采用轻敲及接触模式原子力显微镜(AFM)对不同POSS含量下的甲基丙烯酸丁酯-甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯基-POSS聚合物的表面微观形态及聚集相的分布进行了考察.实验结果表明:轻敲模式及接触模式的AFM均可应用于POSS聚合物的微观结构研究,接触模式下对样品表面有一定损伤;聚合物表面的聚集相与本体聚合物具有相异的微观物理性质,为POSS分子聚集在一起形成的无机相;随着POSS含量的增加,POSS聚集体数量增多、尺寸增大;添加POSS后聚合物表面粗糙度减小.     

基于隧道电流检测方式的原子力显微镜纳米检测系统设计

原子力显微镜（AFM）是当前进行材料表面微观形貌观察及分析的强有力工具之一。本文主要介绍一种隧道显微镜（STM）检测方式的原子力显微镜纳米检测系统（AFM.IPC-208B）,该AFM系统设计是在STM.IPC-205B系统设计的基础上,采用隧道电流工作方式,将STM与AFM功能组合兼容。文章详细阐述了AFM.IPC-208B系统的设计原理、镜体、扫描控制以及数据采集。新设计的AFM.IPC-208B系统仍具有0.1nm的分辨率,检测范围为0～2mm×2mm,系统操作简易,工作效率高,与原STM.IPC-205B系统兼容,工作性能稳定可靠。     

聚酰亚胺静电损伤和取向作用失效的系统观测

利用偏光显微镜、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对聚酰亚胺(PI)表面正常区域和静电损伤区域进行系统观测。偏光显微镜的观测基于超扭曲向列相液晶显示(STN-LCD)的关态透射原理,并确定损伤区域的线度在50~100μm。用SEM区分静电损伤引起的“白点”与尘粒引起的“白点”,同时观测到电极被局域破坏,其线度沿电极边缘约20μm。通过AFM的直接观测发现,与正常区域比较损伤区域失去了沟槽结构,但仍然保持深度在10 nm以内的二维无序凹凸结构,其原因为:损伤后PI对液晶分子取向作用失效的机制是沟槽结构的消失。     

原子力显微镜在页岩微观孔隙结构研究中的应用

正确认识页岩微观孔隙结构特征是研究页岩气赋存状态、渗流机制和资源评价等问题的基础。运用原子力显微镜观察川东南地区志留系龙马溪组黑色页岩表面的微观孔隙形态,分析了页岩原子力显微镜成像的影响因素,确定了最佳实验条件,最终实现了页岩5种类型的表面形态图像。在此基础上,重构了页岩表面的三维图像,并定量分析了孔隙的大小和深度。与扫描电镜图像相比,原子力显微镜不受样品导电性的影响,图像呈现页岩有机质内部的结构信息更清晰。因此,原子力显微成像可作为扫描电镜成像的有力补充,在进行扫描电镜测试之前,先进行原子力显微成像能够获得更多的样品表面信息,使得研究页岩微观孔隙结构的手段更为丰富。     

应用原子力显微镜对不同种属Ⅰ型胶原纤维微观结构的研究

目的 :利用原子力显微镜 (AFM)对猪和牛的Ⅰ型胶原蛋白在溶液中的聚集行为进行微观结构的形态学研究。方法 :将Ⅰ型胶原蛋白溶液 ,滴至新鲜剥离的云母片上 ,空气中干燥后 ,用原子力显微镜观察。结果 :发现来自猪和牛的I型胶原蛋白在浓度为 3 2 μg ml时以单体形式和聚集体形式混合存在 ,在浓度为 4mg ml时两种I型胶原蛋白自发装配成胶原纤维 ,形成多孔网状结构 ,孔隙大小为 :牛 ,10 0～ 15 0nm ;猪 ,170～ 2 0 0nm。孔隙率 :牛 ,5 75个 μm2 ;猪 ,193个 μm2 。平均粗糙度为 :牛 ,3 1nm ;猪 ,8 7nm。均方根粗糙度为 :牛 ,4 0nm ;猪 ,11 4nm。平均高度 :牛 ,5 0 9nm ;猪 ,5 2 3nm。Rp v :牛 ,72 1nm ;猪 ,10 2 7nm。结论 :利用原子力显微镜能够准确直观地观察到Ⅰ型胶原蛋白形成的胶原纤维的种属差异性 ,AFM技术是一种理想的胶原纤维微观结构的表征方法     

原子力显微镜在生殖支原体研究中的应用

为了确定生殖支原体在活性条件下的结构形貌,并在较高的分辨水平上观察其三维形貌结构,本研究采用原子力显微在常温常压下对生殖支原体标准株及分离株进行形态学的初步观察,将标本固定于云母上,在ｔａｐｐｉｎｇ模式下扫描成像,结果显示：生殖支原体多呈烧瓶状或鸭梨状,有突出的颈产及膨大的头端,与电镜观察结果类似,其大小亦与银镜测量结果类似。     

宫颈上皮脱落细胞的微尺度力学性质及形貌学研究

目前临床中对宫颈脱落细胞的检查多局限于大体细胞形态学的观察.本文应用原子力显微镜及环境扫描电子显微镜对5例临床宫颈炎患者的宫颈脱落细胞进行了微区力学性质表征以及细胞表面微观形态的成像.结果显示,患者正常形态宫颈上皮脱落细胞在针尖压入深度为700 nm时杨氏模量近似正态分布,峰值在20～30kPa.且细胞表面微嵴明显,微...     

Structural properties of GaAsN grown on (001) GaAs by metalorganic molecular beam epitaxy

Detailed transmission electron microscopy (TEM) and transmission electron diffraction (TED) examination has been made of metalorganic molecular beam epitaxial GaAsN layers grown on (001) GaAs substrates. TEM results show that lateral composition modulation occurs in the GaAs_1−xN_x layer (x 6.75%). It is shown that increasing N composition and Se (dopant) concentration leads to poor crystallinity. It is also shown that the addition of Se increases N composition. Atomic force microscopy (AFM) results show that the surfaces of the samples experience a morphological change from faceting to islanding, as the N composition and Se concentration increase. Based on the TEM and AFM results, a simple model is given to explain the formation of the lateral composition modulation.     

金纳米粒子有序膜结构的原子力显微研究

通过控制所滴加的金纳米粒子氯仿溶胶的浓度,在高序定向裂解石墨（HOPG）上,可以形成二维乃至三维有序的金纳米粒子膜结构,本文主要利用原子力显微镜中的轻敲原子力（TM－AFM）显微模式,采用形貌与相位同时成像技术以及透射电镜技术,对所形成的有序膜结构进行了系统的表征,并着重阐述了相应成像在表征膜结构方面的重要作用。     

环扫电镜表征影响因素及芯片失效分析应用

对环境扫描电镜(ESEM)表征影响因素进行试验研究,根据半导体芯片的结构,进行成像参数优化,试验结果表明较为适合的优化参数为:腔室气压40Pa~80Pa,加速电压10kV~20kV.研究了裙散效应对能谱分析的影响,结果表明非分析区域元素含量与离能谱分析点的距离呈幂函数衰减,应证了文献报道的理论计算,对于能谱分析排除干扰元素有一定的参考意义.针对破坏性物理分析(DPA)试验中发现的塑封器件腐蚀缺陷,利用ESEM在优化参数下进行机理分析,结果表明玻璃钝化层裂纹是导致铝金属条被腐蚀的原因,而玻璃钝化层裂纹是由于器件材料性质不匹配,在热载荷条件下产生热应力而引起.这种表层缺陷极有可能因为镀膜而被掩盖,因此,利用ESEM检测半导体器件具有一定的必要性.     

A comparative study of metamorphic InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistors with InP and InAIP buffer layers grown by molecular beam epitaxy

We present a comparison of material quality and device performance of metamorphic InGaAs/InP heterojunction bipolar transistors (HBTs) grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs substrates with two different types of buffer layers (direct InP and graded InAlP buffers). The results show that the active layer of InP-MHBT has more than one order of magnitude more defects than that of the InAlP-MHBT. The InAlP-MHBTs show excellent direct current (DC) performance. Low DC current gain and a high base junction ideality factor from the InP-MHBT are possibly due to a large number of electrically active dislocations in the HBT active layers, which is consistent with a large number of defects observed by cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) and rough surface morphology observed by atomic force microscopy (AFM).     

Structural study of GaN grown on (001) GaAs by organometallic vapor phase epitaxy

Detailed transmission electron microscope (TEM) and transmission electron diffraction (TED) examination has been performed on organometallic vapor phase epitaxial GaN layers grown on (001) GaAs substrate to investigate microstructures and phase stability. TED and TEM results exhibit the occurrence of a mixed phase of GaN. The wurtzite (α) phase grains are embedded in the zinc-blende (β) phase matrix. It is shown that there are two types of the wurtzite GaN phase, namely, the epitaxial wurtzite and the tilted wurtzite. The tilted wurtzite grains are rotated some degrees ranging from ∼5° to ∼35° regarding the GaAs substrate. A simple model is presented to describe the occurrence of the mixed phases and the two types of the wurtzite phase.     

透射电镜电学测试样品杆与扫描电镜联合系统的搭建

透射电子显微镜电学测试样品杆是用于透射电子显微镜中测试样品外场加载下电学性能的专用仪器。本文介绍通过对法兰及其它对接接口的系列设计,使该系统可应用于扫描电子显微镜中。该系列设计改造,能够大大拓展该电学测试系统的应用范围。以单根Si纳米线为例,在扫描电子显微镜中利用该电学测试系统实现Si纳米线弯曲变形下电输运性能的研究。     

离子束减薄对金属玻璃电镜样品的非均匀刻蚀

本文利用透射电子显微镜和原子力显微镜研究了金属玻璃样品在离子束作用后形成的厚度起伏特征。采用高分辨透射电镜和能谱分析结果表明金属玻璃样品中没有发生明显的结构和成分的变化。利用离子束与样品表面作用过程的粗化机理解释了出现这种特征厚度起伏的原因。这种厚度起伏是由材料本身性质和实验条件共同决定的。通过研究离子束与样品的作用方式,有利于确定合适的透射电镜样品制备方法,有助于利用透射电镜研究非晶样品的微观结构。     

Diffuse diffracted features and ordered domain structures in GalnP layers grown by organometallic vapor phase epitaxy

Transmission electron diffraction (TED) and transmission electron microscope (TEM) studies have been made of organometallic vapor phase epitaxial Ga_xIn_1−xP layers (x ≈ 0.5) grown at temperatures in the range 570–690°C to investigate ordering and ordered domain structures. TED and TEM examination shows that the size and morphology of ordered domains depend on the growth temperature. The ordered domains change from a fine rod-like shape to a plate-like shape as the growth temperature increases. The domains are of width 0.6∼2 nm and of length 1∼10 nm. Characteristic diffuse features observed in TED patterns are found to depend on the growth temperature. Extensive computer simulations show a direct correlation between the ordered domain structures and such diffuse features. A possible model is suggested to describe the temperature dependence of the ordered domain structure.