硅酸铋晶体的旋光特性

本文介绍了我所生长的Bi_(12)SiO_(20)晶体的旋光特性。测量了该晶体的旋光率以及旋光率随波长和环境温度的变化,并用回旋偏光法排除旋光性。讨论了由晶体内部光学不均匀性所造成的自然双折射现象等。     

Bi_(12)GeO_(20)中光电导的抑制及其在电光光阀中的应用

掺杂Bi_(12)GeO_(20)晶体的电导光谱特性是在室温和恒定的功率密度照射下测量的.测量结果发现:Bi_(12)GeO_(20)的光电导能够由于同时掺NGa和Ca而大受抑制,且仍使无照导电率保持在低电平上.已将掺杂Bi_(12)Ge_(20)晶体试用于电子束导址的电光光阀中.并用密封光阀实现了实时电视显示.     

微微秒光电子学的进展

利用高电阻半导体中的激光感应光电导率,已产生了与光脉冲同步的微微秒上升时间电脉冲,其应用范围有:光电导开关图1示出光电导开关结构图。这种开关能产生20ps上升时间和10kV以上的电脉冲。它由一块高电阻率的半导体如Si、GaAs、CdS_(0·5)-Se_(0·E)、或GaP组成,半导体两端接有宽带同轴电缆的中心导体。晶体长度一般为几个毫米,可以按所需偏压和重复频率而定。为了使半导体材料光感应到50Ω,所需要的光能量一般为几十微焦耳。电脉冲宽度最终受材料载流子寿命的限制,一般在微微秒至微秒范围内,取决于半导体材料和掺杂浓度。脉冲上升时间大约等于开关激励所用光脉冲的半宽度。如果复     

8～14微米碲镉汞材料电参数与光电导探测器性能的关系

本文阐述不同退火温度下获得的材料电学参数。选择合适的退火温度,可以得到性能优良的电学参数材料。同时较详细地列出了退火后的材料在低温(77K)和室温电阻率变化及光电导样品在低温(77K)和室温电阻值的变化对光电导探测器探测率的影响。电阻率相对变化在10倍左右的材料可以制得性能较好的光电导探测器样品,最高黑体探测率D_(bb)~＊=2×10~(10)厘米·赫~(1/2)瓦~(-1)。     

Bi_(12)SiO_(20)单晶的质量及晶形控制

本文报道了我所已研制成φ30—40mm等径长度达100mm左右的Bi_(12)SiO_(20)优质单晶,对He-Ne激光的响应快于国外同类产品.在坩埚上方设置一个简易的热辐射刚玉管,解决了Bi_(12)SiO_(20)晶体等径初段的云层及等径尾段的螺形扭曲等,讨论了该问题解决的机理.     

BSO晶体的电—光—电效应实验研究

由于Bi_(12)S_iO_(20)(BSO)晶体具有显著的电光特性和光电导特性,已被广泛的应用于非线性多波混频、实时全息器件、空间光调制器、非相干—相干转换器件(ITCC),以及新型的光电、光纤传感器元件等领域。因之就材料本身性能以及可多的应用研究和     

光电导太赫兹天线效率参数的讨论

光电导天线是产生太赫兹波最常用的器件之一,但是目前它面临的主要问题是天线效率很低,难以获得高功率的太赫兹波.为了提高其输出功率和效率,介绍了计算光电导天线效率的公式,讨论了影响光电导天线光-太赫兹转换效率的参数:与激光源相关的参数如激光强度、脉冲宽度、激励光斑尺寸及位置;与光电导天线相关的参数如偏压电场、天线材料和几何结构、天线暗电阻率、基底材料等.这对光电导太赫兹天线的分析与设计也是大有裨益的.     

CO2激光化学气相沉积a-Si:H薄膜

用输出功率为50W的CW CO2激光照射纯硅烷(SiH4)气体得到了a-Si:H薄膜。沉积速率达到200/min。用电子衍射方法测定了所沉积的薄膜是非晶态的。测量了薄膜的光电导率和暗电导率,其比值达104量级。用紫外可见光谱分析了薄膜的光学性质,计算出光能隙为1.44～2.0eV。得到了沉积速率、光电导率、暗电导率、光学能隙随基片温度变化的关系曲线。阐述了CO2激光化学气相沉积a-Si:H薄膜的机理。     

CO_2激光化学气相沉积a-Si:H薄膜

用输出功率为50W的CW CO_2激光照射纯硅烷(SiH_4)气体得到了a-Si:H薄膜。沉积速率达到200 /min。用电子衍射方法测定了所沉积的薄膜是非晶态的。测量了薄膜的光电导率和暗电导率,其比值达10~4量级。用紫外可见光谱分析了薄膜的光学性质,计算出光能隙为1.44～2.0eV。得到了沉积速率、光电导率、暗电导率、光学能隙随基片温度变化的关系曲线。阐述了CO_2激光化学气相沉积a-Si:H薄膜的机理。     

超纯α—ASxSe100—x的特性研究

本文从实用出发,对超纯非晶态 Se-As 系光电导材料(α-As_xSe_(100-x))的特性进行了研究,发现超纯α-As_xSe_(100-x)的热特性和室温体暗电阻率、光能隙、光谱灵敏度等光电特性,具有相似的变化规律。即在x=0～50at%范围内,随着 As 含量的增加,均呈四个相似的变化阶段。本文认为,上述变化规律是超纯α-As_xSe_(100-x)的结构和结构分布状态变化的反映,提出了α-Se 的 Se_8环-聚合链结构和α-As_2Se_3的折迭12元环结构二者共存的概念,对上述变化规律进行了探讨。     

碲镉汞合金的光电效应及材料参数

-近年来,蹄镉汞合金获得了广泛的研究,重点是本征光电效应。本文对融熔和外延生长晶体的两种方法的研究近况作了评述。结果包括:各种不同成份(X)的合金的光电导对温度依赖关系的数据。从而更好地了解到Hg_(1-x)Cd_xTe合金的禁带宽度对温度和X的依赖关系。这些结果和本征光学吸收测量的结果作了比较。对于合金的电学特性和与光电导效应有关的载流子复合机理也作了评述。基于上述结果,目前就能较好的了解到Hg_(1-c)Cd_xTe的本征光电导和其基本的材料参数之间的关系。     

使用BSO晶体的实时散斑剪切照相

实时散斑剪切照相装置是一种实时地存贮与观察散斑剪切图样的新方法。使用的记录介质是光致折射率变化的电光晶体硅酸铋(Bi_(12)SiO_(20))。Bi_(12)SiO_(20)晶体在电场电压为6kV/cm和波长λ_1=514nm时获得1%衍射效率的写入能量是0.3mJ/cm~2。它对波长λ_1=514nm的吸收系数α_1=2cm~(-1),对波长λ_2=633nm的吸收系数α_2=0.28cm~(-1)。该晶体是一种记录可擦除性的记录介质,所以可多次重复使用而不会出现任何疲劳和损伤。利用此晶体装置的实     

采用硅酸铋晶体的可程序光波导器件

本文提出并演示了一种由可用光写入或擦去的二维光折射率图形构成的新型光波导器件。这种可程序光波导器件综合利用硅酸铋的三种物理性能,即:大电光效应,与波长密切相关的光电导效应和具有长载流子俘获时间的高暗电阻率。     

BSO晶体的特性及其应用

本文概要地综述了Bi_(12)SiO_(20)(BSO)晶体的主要物理特性以及近几年来在实时全息术、斑纹干涉计量、光学信息处理等方面的应用和作者的一些实验结果。     

由射频磁控溅射法制备的氢化非晶硅薄膜的光电导特性

由磁控溅射法制备的氢化非晶硅薄膜具有宽司的电学、光学、光电和微结构特性.而且微结构变化对于电导率是灵敏的.特别是薄膜的暗电导率(σ_(dark))、光电导率(σ_(ph))、光电导放大(σ_(ph)/σ_(dark))和光学能隙(Eg)均受微结构的影响.指出,仅在被制备的薄膜具有持定的微结构时,σ_(dark)、σ_(ph)、σ_(ph)/σ_(dark)和Eg才具有特定的联系.     

高电阻率CdSSe光电导薄膜

采用真空热蒸发工艺,用掺杂(Cu,Cl)敏化的方法制备高电阻率的CdSSe 光电导薄膜。并测试了不同制备条件和不同热处理工艺下样品的光电导性能。最后讨论了主要的制备工艺参数对 CdSSe 光电导性能的影响。用这种工艺制备的 CdSSe 光电导薄膜,用于液晶光阀空间光调制器件上,得到了很好的效果。     

光折变晶体全息图的热固定特性优化的研究

采用红光对单、双掺铌酸锂晶体中全息光栅的热固定效率及光擦除和暗存储寿命的特性进行了深入的实验研究。实验中高掺杂和强还原晶体难以显影出离子光栅 ;对于较少掺杂的未还原晶体 ,获得离子光栅的热固定效率达 5 0 % ;高掺杂晶体中离子光栅的暗存储寿命达 4个月 ,比热固定前电子光栅的暗存储寿命提高了十几倍。实验表明热固定效率和光栅的暗存储寿命不能同时提高 ,这与理论预期一致。     

MCT晶体非平衡载流子寿命测量方法

非平衡载流子寿命是HgCdTe(MCT)晶体的主要性能参数之一。本文着重介绍了三种基本测量方法:直流光电导衰退法,光电导与光磁电比值法,红外吸收的光调制法。叙述了测量原理和基本测试设备,比较了三种测量方法的优缺点。     

80MW光电导功率开关

以往利用高电阻率光电导半导体由短激光脉冲激励,已产生微微秒上升时间的电脉冲,其中电压高达10kV,电流达100A。文中用光电导功率开关(PCPS)已在25Q负载内产生1.8kA电流脉冲,其上升时间小于5ns,脉宽为200ns。PCPS用作高功率脉冲开关的优点是,结构十分简单,可按比例放大,用光学方法控制。从理论上讲,用单个器件就能开关兆伏(100kV/cm)和兆安(20kA/cm)级电脉冲,而     

基于光纤光子晶体的高增益太赫兹光电导天线

研究了一种基于光纤光子晶体的高增益太赫兹光电导天线,利用腔体的高阶模式实现天线高增益。 首先,基于提出的光纤光子晶体高阶模式场分布,对光电导天线的辐射方向图进行有效预测分析。该高阶模式近似 于圆柱介质波导的HE11m 模式(m>1),可以同时调整光纤光子晶体高度与谐振频率,改变高阶模式的纵向场分布。 接着,利用介质波导理论,给出了光纤光子晶体在给定范围内谐振频率的解析计算方法。最后,对工作在上述高阶 模式下的光纤光子晶体光电导天线进行数值仿真分析。工作在HE118 模式下,光纤光子晶体高度为250 μm 的光电 导天线方向性可以达到15. 33 dBi。相比于传统基于半球硅透镜的太赫兹光电导天线,方向性提高了约3. 5 dBi。根 据仿真结果得出,在一定范围内利用光纤光子晶体的高阶模式,太赫兹光电导天线的增益可以明显提高。