复合功率晶体管——新颖音放功率管

一、概述目前,半导体功率器件基本上分为两部分:一为双极型功率晶体管,它的历史长,工艺成熟,应用时间长,占领了功率器件的大部分市场;另一部分为MOS功率晶体管,主要由VMOS、DMOS等组成,它是在大规模,超大规模工艺成熟之后逐步发展起来的.MOS功率晶体管输入阻抗高,且没有双极型晶体管的电荷存     

南京大学和加州大学开发出用于高线性RF功放的新复合晶体管

要求达到高线性的放大器电路常采用预失真法。而中国南京大学声学院现代声学国家重点实验室和美国加尼福尼亚大学的研究人员开发出一种预失真发生在器件级的新复合晶体管器件。这种新晶体管拓朴结构基于采用一个标准的异质结双极晶体管器件和另外一个倒装型异质结双极晶体管,其集电极电阻用作预失真电路。这个集电极电阻连接到标准多指功率晶体管基极上。随着输入RF功率提高,上述功率晶体管基极到发射极的输入电压将减小,因而给功率晶体管的电流也就更大,补偿了输入电压减小。因此,采用这种预失真技术,因较低跨导引起的振幅失真在较高的RF…     

双极大功率晶体管背面工艺优化

针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件。实验结果表明,影响功率晶体管BC结正向压降的是背面减薄工艺和背面金属化工艺前的清洗工艺,芯片背表面的状态是影响器件BC正向压降的主要因素,优化后功率晶体管的BC正向压降优于指标要求,提高了批次间芯片参数的一致性,确保了双极大功率晶体管的工作稳定性。     

1千兆赫5瓦硅静电感应晶体管

本文介绍了一种在1千兆赫下输出功率大于5瓦的硅静电感应晶体管。着重讨论这种器件的特点,及其与双极型功率器件的比较。文章还介绍了这种器件的结构、电气性能和可靠性、稳定性等。     

双极/MOS功率复合器件的进展

在功率半导体器件中,比较成熟,应用较广泛的主要是功率仅极晶体管、晶闸管和功率MOSFET.无论在电力控制、还是功率放大应用中,各自均具有其特色和局限性.随着VLSI工艺的发展,微细加工技术的成熟,特别是近年来在技术发展的基础上,人们设计思想的解”放,产生了双极/MOS复合为一体,取其所长,补其之短,在结构上集成,在工艺上兼容的新型复合器件.这些复合器件,较之分立的功率MOSFET功率双极器件,在性能上大有突破;促进了功率半导体器件向更广的应用领域渗透.本文在粗略分析功率MOSFET,功率双极晶体管、晶闸管现状的基础上,讨论和介绍了几种新型的双极/MOS功率复合器件,并估计了这方面的发展.     

Supertex公司推出Superfet器件

位于美国加利福尼亚州Sunnyvale市的Supertex公司,在一片芯片上组合制出了MOS晶体管和双极晶体管,其目的是生产一种特别适用于高速大功率开关场合的所谓Superfet器件。这种新型设计包含有大电流VMOS功率晶体管的输入和开关特性及双极晶体管的电压降特性。虽然这种组合式器件并非新东西,但是Supertex公司设计的器件还附加有低值电阻器,以便避免不希望有的瞬变电压产生的导通。这     

RF LDMOS功率晶体管及其应用

论述了RF LDMOS功率晶体管的基本结构和特点,从与双极晶体管相比较的角度,讨论了这种器件的优异性能,对其发展动态和应用情况作了介绍。     

RF LDMOS功率晶体管及其应用

论述了 RF LDMOS功率晶体管的基本结构和特点。从与双极晶体管相比较的角度 ,讨论了这种器件的优异性能。对其发展动态和应用情况作了介绍。     

电子辐照对开关电源中功率双极晶体管损耗的影响

功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一,采用10 MeV电子辐照来降低功率双极晶体管的下降延时,以此来降低功率双极晶体管的关断损耗.在一个典型的充电器开关电源中,85 V交流输入电压下,功率双极晶体管总损耗最多降低了42%,系统效率提高了2.1%.     

微波功率双极晶体管热分布的二维数值模拟及功率密度非均匀设计

利用双极晶体管的热电耦合模型对微波功率双极晶体管进行了二维直流稳态模拟 ,并且提出了功率密度非均匀的设计方法 .模拟和实验的结果说明 ,采用微波功率晶体管功率密度非均匀设计可有效提高器件电流密度的均匀性和结温的均匀性 ,从而整体提高器件的可靠性.     

微波功率双极晶体管热分布的二维数值模拟及功率密度非均匀设计

利用双极晶体管的热电耦合模型对微波功率双极晶体管进行了二维直流稳态模拟,并且提出了功率密度非均匀的设计方法.模拟和实验的结果说明,采用微波功率晶体管功率密度非均匀设计可有效提高器件电流密度的均匀性和结温的均匀性,从而整体提高器件的可靠性.     

用自对准方法制作双极晶体管

日本半导体厂家准备采用自对准方法生产双极晶体管。与普通工艺相比,在相同的掩膜精度下,用自对准方法制作的双极晶体管具有较高的工作频率。这种新工艺改进了工作特性、而且消除了其他工艺所要求的三次精确对准步骤。发明这种工艺的是日本电报电话通用公司的Mushashiho电气通讯实验室,它计划与制造厂家合作应用这种工艺制作小讯号晶体管,功率晶体管和集成电路。     

双极型装控晶体管模型及原理

本文提出一种新的双极型压控晶体管模型，并说明其工作原理。这种器件有两种载流子参与导电，有较大的电流密度和功率，导电能力又受电压控制，具有较大的输入阻抗，兼有双极器件和ＭＯＳ场效应器件的特点。     

提高微波功率双极晶体管性能的研究

通过对硅S波段微波功率双极晶体管的结终端技术实验数据对比和晶体管镇流电阻设计的考虑,提高了微波功率双极器件的击穿电压和电流通过能力及抗烧毁能力。微波器件采用这些技术后,器件的工作频率不但没有降低,反而从原来的S波段的低端(2.25～2.55 GHz),提高到了中高端(3.1～3.5 GHz);器件的集电结反向击穿电压50 V以上的比率由原来的17.6%提高到63.5%;器件的功率增益也从6 dB提高到7.5 dB以上,证明了该工艺方法的有效性与可行性。     

双极型压控晶体管模型及原理

本文提出一种新的双极型压控晶体管模型，并说明其工作原理。这种器件有两种载流子参与导电，有较大的电流密度和功率，导电能力又受电压控制，具有较大的输入阻抗，兼有双极器件和MOS场效应器件的特点。     

VDMOSFET二次击穿效应的研究

在PDP驱动电路中高压功率器件大量采用了VDMOS器件，由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象，并着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因，提出了改善其二次击穿现象的措施。用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数因素对功率晶体管VDMOS二次击穿的影响。     

射频功率HBT热稳定性的一种新表征方法

从热电反馈网络角度出发,在考虑到晶体管发射极电流随温度的变化、发射结价带不连续性（△Ev）、重掺杂禁带变窄（△Eg）及基极和发射极加入镇流电阻（RB和RE）等情况下,首次较全面地给出了功率晶体管热稳定因子S表达式。用该表达式可以很方便、明了地对功率双极晶体管进行热稳定性分析。分析了镇流电阻对射频功率晶体管安全工作区以及S的影响。结果表明,功率异质结双极晶体管（HBT）热稳定性优于同质结双极晶体管（BJT）,适当选取RB和RE可使S=0,使由器件本身产生的耗散功率而引起的自加热效应被完全补偿,器件特性得以保持,不因自热而产生漂移,这是同质结器件所无法实现的。     

功率MOS场效应晶体管的最新技术研制现状和应用动向

本文阐述了MOS系列功率器件的特性、绝缘栅双极型晶体管和集成型功率器件技术,以及它们的应用.     

Bi-CMOS双极型晶体管的研制

本文论述了在常规CMOS工艺下制作Bi-CMOS双极型晶体管的设计方法及制造工艺.首先通过对Bi-CMOS双极型晶体管版图结构的分析,探讨了工作机理,阐明了采用标准CMOS工艺制作高性能Bi-CMOS双极型晶体管的设计方法.然后,建立了分析计算晶体管直流特性的数学模型,并分析计算了工艺参数、器件结构对器件性能的影响,给出了CMOS工艺全兼容的Bi-CMOS双极型npn晶体管的最佳设计方案.采用常规p阱CMOS工艺进行了投片试制.测试结果表明,器件性能达到了设计指标;器件的电流增益在200以上,与理论计算完全一致.     

异质结微波晶体管概况

文章综述了异质结双极晶体管和扬效应晶体管的发展概况,介绍了异质结器件的主要设计原理以及双极、单极器件的优点,也叙述了异质结器件工艺实现的可能性。