薄膜厚度对ZnO:Ti透明导电薄膜光电性能的影响

利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出可见光透过率高、电阻率低的掺钛氧化锌(ZnO∶Ti)透明导电薄膜。SEM和XRD研究结果表明,ZnO∶Ti薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。讨论了薄膜厚度对掺钛氧化锌透明导电薄膜光学、电学性能的影响。当薄膜厚度为835nm时,薄膜具有最低电阻率3.34×10-4Ω.cm。所制备薄膜附着性能良好,在波长为500～800nm的可见光中平均透过率均超过91%,ZnO∶Ti薄膜可用作薄膜太阳电池和液晶显示器的透明电极。     

掺杂对FeS2薄膜光电性能的影响

采用磁控溅射淀积合金膜和纯铁膜,通过离子注入掺杂,研究了不同条件下FeS2薄膜的晶体结构,光吸收系数、电阻率、载流子浓度等光电性能,并用正电子湮灭谱研究了膜内的空位缺陷。结果表明,掺杂提高了薄膜的导电性能。离子注入使薄膜光吸收系数增加,禁带宽度上升,霍尔迁移率提高;合金溅射导致光吸收系数降低,禁带宽度下降,载流子浓度升高。注入Zn2 退火前空位浓度较大,退火后空位浓度低于纯FeS2膜。     

F掺杂SnO2透明导电薄膜微结构及性能研究

通过实验测量常压热分解CVD工艺制备的F掺杂SnO2薄膜的方块电阻、膜厚、形貌、微结构、中远红外反射率等性质，详细研究了基板温度对SnO2薄膜微结构的影响和微结构与薄膜电学、光学性能之间的关系。研究发现，将基板温度从375℃提高到525℃以上，薄膜结晶程度大大提高，薄膜厚度从25nm提高到近300nm，方块电阻下降了两个数量级，中远红外的反射率达到了85％以上.     

厚度对FeS2薄膜的光电性能的影响

采用Fe膜硫化工艺制备不同厚度的FeS2薄膜。研究了不同厚度FeS2薄膜的晶体结构，电阻率，载流子浓度，光吸收系数以及禁带宽度（Eg)。结果表明，随着薄膜厚度的增加，FeS2的电阻率升高，载流子浓度下降，在高吸收区FeS2薄膜的光吸收系数也呈下降趋势。当薄膜厚度小于130nm时，薄膜厚度增加可导致其禁带宽度上升，当薄膜厚度大于130nm时，薄膜厚度增大反而会导致禁带宽度下降。     

FeS_2薄膜光电性能研究进展

对FeS2 薄膜光电性能的研究现状进行了分析 ,综述了制备方法、硫化工艺及掺杂元素对FeS2 薄膜光电性能的影响以及光电转换效率的研究进展 ,讨论了FeS2 薄膜这种先进太阳能电池材料研究中现存的问题和发展方向。     

FeS2薄膜光电性能研究进展

对FeS2薄膜光电性能的研究现状进行了分析。综述了制备方法,硫化工艺及掺杂元素对FeS2薄膜光电性能的影响以及光电转换效率的研究进展。讨论了FeS2薄膜这种先进太阳能电池材料研究中现存的问题和发展方向。     

复合绒面透明导电薄膜研究

在常规非晶硅电池绒面SnO2衬底上，采用Zn：Al重量比为5％的金属靶直流反应磁控溅射沉积ZnO，构成复合绒面SnO2／ZnO透明导电膜。控制适当ZnO厚度，既能保持SnO2绒面效果，又可阻挡H离子对SnO2的还原作用，可作为微晶硅电池的前电极。文中对ZnO沉积条件以及复合膜的形貌、电光性能进行了讨论。     

F掺杂SnO2透明导电薄膜微结构及性能研究

通过实验测量常压热分解CVD工艺制备的F掺杂SnO     

太阳电池用共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构及性能

采用直流磁控溅射法在室温条件下制备出Al,Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜.用XRD和SEM分析和观察了薄膜的组织结构和表面形貌,着重分析了靶基距对薄膜结构和光电性能的影响.研究结果表明,制备的Al,Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜为具有C轴择优取向、六角纤锌矿结构的多晶薄膜.靶基距对Al,Zr共掺杂Zn0透明导电薄膜的结构和...     

In掺杂CdO透明导电薄膜的研究

通过磁控射频溅射的方法分别在石英玻璃基底上和硅111基底上沉积In掺杂CdO透明导电薄膜。利用XRD、紫外可见分光光度计和霍尔效应测量仪测试薄膜的结构、光学和电学性能。一定量的In掺杂可将CdO的光学吸收边从2.2 eV提高至3.4 eV,甚至更高。同时适量的In掺杂可明显改善CdO薄膜的电学性能,在提高其电子浓度的同时也降低电阻率,获得最低5.8×10~(-5)Ω?cm的电阻率,同时吸收边为3.24 eV的透明导电薄膜。In掺杂的CdO薄膜作为一种性能良好的薄膜材料有较好的发展前景。     

P型透明导电氧化物薄膜的研究

p-TCO薄膜可能开辟一个新的应用领域,但其导电率远小于n-TCO薄膜的导电率,成为制约p-n型TCO应用的关键问题之一。该文归纳了p-TCO的种类和晶体结构,讨论了其半导体机制和能带结构。综述了最近p-TCO薄膜的制备技术和研究进展,分析了导电机理和跃迁模型。认为应综合考虑掺杂、量子效应与尺寸效应、能带结构和载流子浓度与迁移率,才能解决其电导率低的问题。     

透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜的结构及光电特性研究

ZAO薄膜是一种n型氧化物半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性。本实验采用射频磁控溅射工艺在无机玻璃衬底上制备ZAO薄膜,靶材为ZAO(3wt%Al2O3)陶瓷靶。系统研究了各工艺参数,如工作气压、射频功率、衬底温度和热处理条件对其结构和光电特性的影响。X射线衍射谱表明ZAO薄膜的(002)衍射峰的位置与纯ZnO晶体相比向低角度方向移动,薄膜中各晶粒具有六角纤锌矿晶体结构且呈c轴择优取向。原位制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至7 5×10-4Ω·cm,可见光透过率在85%以上。     

透明导电氧化物薄膜的湿热衰减特性研究

将制备的3种透明导电氧化物(TCO)薄膜材料,即掺铝氧化锌(Zn O∶Al,AZO)、掺硼氧化锌(Zn O∶B,BZO)和掺氟氧化锡(Sn O∶F,FTO)薄膜进行温度为85℃和相对湿度为85%的湿热实验并进行退火,研究其光学和电学性质衰减特性以及恢复情况。研究表明:湿热实验和经过后续热处理的3种TCO薄膜的表面形貌基本不变;AZO和FTO薄膜光学和电学性能都相对稳定;但BZO薄膜的迁移率则是在湿热实验20 h内由初始的19 cm2/Vs迅速下降到1.99 cm2/Vs,而BZO薄膜载流子浓度是在湿热处理327 h由初始值7.2×1019/cm3迅速下降到8.8×1018/cm3,载流子浓度的降低导致薄膜在800~2200 nm波长范围内的光吸收减少;通过对晶粒间迁移率和晶界处迁移率分析得到BZO薄膜的迁移率衰退主要与水分子侵入薄膜内部并被吸附在晶界处;适当的热处理可使BZO薄膜的电学性能得到恢复。     

低阻高透率ZnO透明导电薄膜

近年来透明ZnO导电薄膜的优良电性,低廉的制造成本以及简便的制备方法受到了重视。在热镜和多层光热转换系统中,它作为太阳电池的一部分,在取代ITO薄膜等方面具有诱人的应用前景。本文报道了用射频磁控溅射技术及低温处理制备得到的低电阻率和高透明度的ZnO薄膜。 以掺杂3wt％Al_2O_3的氧化锌陶瓷为靶材,用射频磁控溅射技术制备ZnO薄膜。溅射工艺条件见表1。     

溶胶-凝胶制备工艺对TiO_2薄膜光催化性能的影响

采用溶胶-凝胶工艺制备纳米TiO_2溶胶,并通过旋涂法制备高效光催化TiO_2薄膜。研究络合剂、pH值和焙烧温度对TiO_2薄膜光催化性能的影响。络合剂能有效抑制钛酸丁酯水解速率,双络合剂制备的薄膜具有更强的光催化性。pH值能影响钛酸丁酯的水解和薄膜表面介孔结构的生长。焙烧温度决定TiO_2晶型和尺寸,同时对薄膜表面粗糙度和光学特性有重要影响。高效光催化TiO_2薄膜的最佳制备工艺为以pH值为6、双络合剂制备的溶胶为原料,旋涂后在500℃条件下焙烧3 h。     

Fe膜硫化合成FeS2薄膜的光电性能

研究了纯Fe在200－600℃硫化10h 及500℃硫化1－10h条件下形成FeS2薄膜过程中的结构，光吸收，禁带宽度及电阻率的变化规律，纯Fe膜虽在200℃即有硫化反应发生，但只有在300℃以上硫化时，薄膜才会出现明显的禁带宽度，并随硫化温度升高，禁带宽度下降，硫化时间对薄膜禁带宽度影响不明显，随硫化温度升高及硫化时间延长，薄膜电阻率上升，由于硫化参数的变化能够引起薄膜结构，晶体缺陷及薄膜完整的性的变化，因此可以导致薄膜光电性能的变化。     

用于晶硅异质结太阳电池的透明导电薄膜研究进展

提升晶硅异质结（HJT）太阳电池的电流有望进一步提高电池效率,透明导电氧化物薄膜（TCO）是影响HJT太阳电池电流的重要功能层。该文首先介绍了TCO薄膜的自身特性,包括掺杂元素和掺杂比例、制备技术对薄膜特性的影响。同时总结了薄膜特性对HJT太阳电池性能的影响。最后阐述了TCO薄膜应用的最新进展及发展趋势,增加盖帽层或多层TCO薄膜有望改善薄膜整体特性及电池性能。以期指导TCO薄膜特性的优化,从而进一步提高HJT太阳电池效率,加快HJT太阳电池产业化进程。