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相似文献
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1.
半导体光敏双向晶闸管输出型光耦合器的设计与工艺   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍了半导体光敏双向晶闸管输出型光耦合器的工作原理与主要性能、设计要点及工艺控制要点,并给出自行试制的性能达到国外同类产品水平的样品特性参数。  相似文献   

2.
孙雷钢 《电子技术》2011,38(9):46-47,45
针对电流、电压采集中存在的噪声干扰问题,分析了电流、电压准确采样测量在整个控制系统的重要性.介绍了HCNR201的工作原理,设计了隔离采集板的硬件电路,通过对其工作电流的特殊设置,实现了模拟电压信号的隔离.实验结果证明该设计正确可用,具有较高的采集精度和线性度,在对稳定度和线性度要求较高的场合具有广泛的应用前景.  相似文献   

3.
李霆霆  张明  潘明俊 《电子学报》2014,42(7):1398-1402
本文设计了一种基于高线性度高带宽模拟光耦HCNR201芯片的MHz光耦隔离放大器电路,主要应用于计算机数据采集系统中,对其信号进行隔离从而实现过电压保护和提高共模抑制比.HCNR201光耦器件具有双光电二极管结构,使电路在输入端构成反馈环节,消除了光耦的电流传输比对直流增益的影响,为了方便分析建立了它的等效电路.利用线性控制系统的理论方法建立了所设计的隔离放大器电路的数学模型,推导出了电路的传递函数,对电路进行了理论分析和参数优化,并给出了分析设计结果.同时研制了隔离电路并对其进行了实验测试,实验结果与理论分析结果比较一致,符合设计要求,其理论分析方法可以为类似电路设计提供参考.  相似文献   

4.
提出了一种结合光电耦合器线性化应用的交流电压信号隔离取样电路。介绍了光耦器件在模拟信号隔离测试中的应用,并且指出了保证测试精度需要采取的措施。  相似文献   

5.
李冰  龚磊  欧熠  陈春霞  刘晓莉  徐道润 《半导体光电》2013,34(3):388-391,395
针对高压隔离光电耦合器的隔离电压提高到22kV后信号传输特性恶化的问题,提出了在光源和探测器间引入导光管结构的方法,利用导光管的聚光特性弥补间距增大导致的探测器对光源发散角的降低,使探测器接收到足够的光功率,以保证器件的信号传输特性满足要求。对探测器接收光功率占光源光功率的比例进行了对比计算,结果表明,使用导光管的22kV高压隔离光电耦合器可获得与10kV产品相当的信号传输特性,通过样品的制作与测试验证了该计算结果,表明上述方法可行。  相似文献   

6.
采用有源功率检测法,设计和制作了超导混合储能磁体能量储存系统的失超检测中的电压隔离校正装置。该装置用于隔离超导线圈的干扰信号,以及消除串联线圈电感分量,是混合磁体失超检测中的重要环节。通过搭建高温超导线圈的实验装置,在高温超导储能磁体上进行失超检测的实验研究,得出了电压矫正前后的线圈电压波形,验证了本实验装置可行性与合理性。  相似文献   

7.
汪江宇  唐涛  邓彪 《微波学报》2017,33(4):63-66
设计了一款双频双端口微带阵列天线,该天线由两个矩形辐射贴片构成。将两个辐射贴片平行放置,在其中一个低频对应的较大尺寸贴片上开矩形槽,将高频对应的较小尺寸贴片嵌套在矩形槽中。相互嵌套的结构形式带来严重的端口耦合,而天线端口间的互耦是制约阵列天线性能的主要因素之一,在辐射贴片间加载两条平行微带线用来隔离耦合电流,并且在平行微带线中间设置圆形接地贴片,通过过孔将微带线上耦合电流引入地板,同时在高频辐射贴片嵌入部分的垂直边两侧开缝,能进一步有效减小耦合电流,提高隔离度。经过隔离度优化设计后,最终实现天线在工作频带内隔离度均大于20 dB。天线的工作频段分别为15. 2 GHz(14. 83 ~16. 10 GHz)和5. 8GHz(5. 68 ~5. 88 GHz),对应的最大增益分别为7. 8 dBi 和6. 8 dBi。天线两个辐射贴片尺寸分别为0. 36λ(15. 2GHz)和0. 37λ(5. 8 GHz),该天线辐射单元相互嵌套,满足小型化设计需求。  相似文献   

8.
对击穿后的导光管式高隔离电压光电耦合器的内部损伤痕迹的研究表明,高电压下器件内部的局部放电引起的持续烧蚀导致了前后级之间的击穿.分析局部放电的部位后,结合附近存在气隙缺陷的情况,在ANSYS下对气隙附近的电场强度分布进行了建模计算.结果表明:局部放电是因气隙内空气的低介电强度所致,并因导电胶的渗透得到加强.在采取结构与工艺措施避免气隙缺陷与导电胶渗透之后,局部放电得到消除,导光管式高隔离电压光电耦合器的最低击穿电压(VISO)从23.8kV提高到了33.5kV.  相似文献   

9.
曹湘腾  李应辉  吴健  龙平  李尚玲 《半导体光电》2006,27(3):269-270,299
介绍了采用有机硅凝胶(双组分)灌封技术,在陶瓷管座内制作而成的一种新型光电耦合器.其隔离电压可达10 kV以上,驱动负载电容可达3 000 pF以上.叙述了该器件的工作原理、工作特性、设计思想及制作过程,理论分析和大量的实验表明,该器件具有响应速度快、结构简单、性能稳定、可靠性高等优点.  相似文献   

10.
针对目前车用电压调节器体积大、稳定性差和寿命短等问题,设计了一款用于汽车的电压调节器芯片。该芯片通过PWM技术调整发电机励磁绕组的平均励磁电流,稳定了发电机输出电压。同时,该芯片集成了低温漂、高精度的电压基准源与电流源,还具有欠压锁定与过温保护电路,提高了系统可靠性。芯片基于0.5 μm BCD工艺进行设计,采用Cadence Spectre进行仿真。仿真结果表明,该芯片工作电压是720 V,静态电流仅为472 μA,电压调节范围1020 V,基准电压1.16 V,工作温度范围-40125 ℃,温度系数8.4 ppm·℃ -1,且当发电机输出电压波动时,该芯片可使输出电压稳定。  相似文献   

11.
基于光电耦合器的线性隔离方法及电路   总被引:1,自引:1,他引:1  
利用普通光电耦合器和常用运算放大器设计一种低成本、高线性度的模拟信号隔离电路.提出了利用负反馈改善输出信号线性的新思路.该电路抛弃了传统的在输入端使用隔离电源和运算放大器跟踪补偿的方法,而是使用输出信号对输入电流进行反馈补偿.尤其适合高压模拟信号输入的场合.该电路线性范围宽,可以根据不同的使用条件调节线性范围,线性度可...  相似文献   

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