高速运算放大器新技术——电流反馈运算放大器

简述了高速运算放大器的进展，着重描述了８０年代末期基于互补双极工艺发展起来的电流反馈运算放大器的原理，特点，应用及制造工艺，分析了电流反馈运算放大器的小信号特性和大信号特性。     

电流反馈型运算放大器及应用

迅猛发展的高速系统，增加了对高速型运放的需求，因此电流反馈型运算放大器的应用日益广泛。但是，目前国内有关它的原理和有关特性的详细说明却几乎没有。着重说明了电流反馈型运算放大器的基本原理和有关特性，并给出了用AD811电流反馈型运算放大器构成的矩形波发生器具体电路。实验证明输出波形的跳沿小于50ns。     

电流反馈放大器及其应用

介绍了电流反馈放大器及由它构成的ＲＣ正弦振荡器，滤波器和电感仿真与频变负阻仿真电路。分析了ＣＦＡ的寄生电阻玫电容对ＲＣ振荡器性能的影响，得到了忽略寄生电阻与电容的条件下。提出了ＣＦＡ构成的各类基本运算电路。     

双路宽带低功耗电流反馈运放

ＯＰＡ２６５８是一种双路超宽带低功耗电流反馈视频运放，特点是高转换速率和低差分增益／相位误差。电流反馈设计即使是在高增益的情况下也允许优越的大信号带宽。低差分增益／相位误差，宽带宽和低的静态电流使得ＯＰＡ２５６８对于许多视频、图像和通信方面的应用是一...     

电流反馈运算放大器与电压反馈运算放大器的区别与应用

本文介绍了电流反馈运算放大器与电压反馈运算放大器的区别及其有关的增益表达式，并且列举了几个应用实例，说明如何选用运算放大器。     

运算放大器的新进展—电流反馈型放大器

本文介绍了一种新型的运算放大器－电流反馈型放大器的特性，原理和应用，这种运算放大器的增益－带宽和摆率显著高于一般运算放大器，并且它的频带，摆率建立时间基本上和闭环增益无关，它可用于通讯，雷达，仪器等各个领域，本文给出了应用实例和电流反馈型放大器性能一览表。     

电流反馈运算放大器的特点

一种新型的高频运算放大器——电流反馈运算放大器,又称互阻抗运算放大器,最近很流行。本文不讨论其广为流行的理由,仅讨论在一定的条件下它比传统的电压反馈运算放大器具有优良的高频性能。 电流反馈运算放大器的等效电路图如图1所示。像电压反馈运算放大器一样,电流反馈运算放大器也有反     

评述术语"电流模电路"和"电流反馈运算放大器"

近年来电子电路文献中出现两个新术语"电流模电路"和"电流反馈运算放大器",它们各自具有若干特点.本文针对这两个术语的科学性以及这些电路是否真正具备这些特点提出一些自己的想法.     

宽带运算跨导放大器OPA660

介绍了Ｂｕｒｒ－Ｂｒｏｗｎ公司生产的宽带运算跨导放大器ＯＰＡ６６０的特性和工作原理，分析了它的三种基本组态以及与三极管电路的异同，对使用中的具体问题作了说明，并介绍了二个典型的应用电路。     

一种高精度低噪声运算放大器设计北大核心

设计并实现了一种高精度低噪声运算放大器。提出了一种基极电流消除技术，补偿了输入对管基极电流，有效地降低了运算放大器的输入偏置电流，从而能够通过提高输入对管的集电极电流来减小输入噪声电压，实现了较低的运算放大器总等效输入噪声。同时，采用集电极-发射极电压补偿电路，消除了厄利效应的影响，提高了电路精度。电路采用36 V互补双极工艺流片，测试结果表明，芯片的失调电压为6.94μV,在1 kHz下的电压噪声密度为■,电流噪声密度为■。     

一种高线性SiGe HBT宽带低噪声放大器

简要介绍了一种用于接收机前端的宽带低噪声放大器(LNA)。该微波单片集成电路(MMIC)蔡用0.35μm SiGe工艺实现,且不需要外部阻抗匹配元件,并利用两级级联拓扑结构实现频带内的低噪声和高线性度。电路版图设计后的仿真结果表明,该放大器工作带宽3.78 GHz,功率增益达到27.5 dB,噪声系数(NF)≤2.26 dB,在1.5 GHz信号频率下,输出功率1 dB压缩点(P1dB)为10 dBm。     

A Compact Broadband PHEMT MMIC Power Amplifier for K through Ka-band Applications

A compact and broadband MMIC power amplifier operating from 18 GHz to 35 GHz is developed for K- through Ka-band applications implementing a rigorous electromagnetic (EM) simulation of closely spaced matching networks. The EM simulation results in a compact chip size as small as 2.16 mm × 2.0 mm and isolations of less than -25 dB up to 40 GHz between neighboring distributed structures. The two-stage balanced power amplifier fabricated using a 0.25 µm AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT technology has an average gain of 11 dB, return losses less than -10 dB, and P1 dB above 20.5 dBm from 18 GHz to 35 GHz. This compact and broadband MMIC power amplifier is suited for power amplifiers for most K through Ka-band communication systems such as the FSS, LMDS, and ITS.     

一种低失调高压大电流集成运算放大器

基于结型场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)兼容工艺,设计了一种低失调高压大电流集成运算放大器。电路输入级采用p沟道JFET (p-JFET)差分对共源共栅结构;中间级以BJT作为放大管,采用复合有源负载结构;输出级采用复合npn达林顿管阵列,与常规推挽输出结构相比,在输出相同电流的情况下,节省了大量芯片面积。基于Cadence Spectre软件对该运算放大器电路进行了仿真分析和优化设计,在±35 V电源供电下,最小负载电阻为6Ω时的电压增益为95 dB,输入失调电压为0.224 5 mV,输入偏置电流为31.34 pA,输入失调电流为3.3 pA,单位增益带宽为9.6 MHz,具有输出9 A峰值大电流能力。     

HDTV接收芯片中基于IP的均衡器的设计

提出了一种缩短设计周期，减小设计规模的HDTV接收芯片中均衡器的设计法，这种方法受到SoC中IP技术的启发，现已应用到芯片设计中。     

应用于WCDMA的双频单片SiGe BiCMOS功率放大器

采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了一款用于3GPP WCDMA 850/2100(band-I/band-V)的双频单芯片功率放大器(PA)。PA采用单端共射级3级级联的结构,具有带模拟开关的片上偏置电路,通过控制偏置电流对两个PA工作状态进行切换。制造的芯片面积为1.82 mm×2.83 mm,片上集成了开关电路、偏置电路和输入匹配、级间匹配电路。在3.3 V电源电压下测试结果表明,对于band-V(CLR)频段,PA的线性输出功率P1 dB为28.6 dBm,5 dBm输入时,功率附加效率PAE,为34%。对于band-I(IMT)频段,PA的P1 dB为26.3 dBm,PAE为31%。     

硬盘式高清数字电视机顶盒的研究

针对硬盘式高清数字电视机顶盒,从目前流行的机顶盒主芯片、硬件结构以及软件架构的特点进行了分析比较.提出了目前硬盘式高清数字电视机顶盒存在的问题,并简述了自行开发设计的硬盘式高清数字电视机顶盒与问题的解决.     

宽带单片低噪声放大器的增益温度补偿

分析了PHEMT的增益-温度特性和漏电流-温度特性,发现PHEMT增益和漏电流都是随温度的升高而降低,并发现了一定栅宽的PHEMT在大于某一频率时,其增益受温度变化较小的原因.提出了两种自动温度补偿的方法,并分析了每种方法的温度补偿原理.串联源电阻的温度补偿可使PHEMT的漏电流基本保持不变,在一定程度上能降低温度对增益的影响.而自动栅压温度补偿则是强温度补偿,它可随温度的升高,自动提高栅极电压,提高PHEMT的跨导,从而大大减少温度对增益的影响,达到温度补偿的目的.把这两种自动温度补偿的方法结合应用到宽带低噪声放大器中,发现补偿效果良好.试验发现温度补偿后,温度从-55℃~+85℃时和-55℃~+125℃时,放大器的增益在6GHz时的降差分别减小了60%和51%,较大地改善了放大器的温度-增益性能.     

L 波段宽带低温低噪声放大器的设计与测量*

高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号等效电路低温模型是研制致冷低噪声放大器(LNA)与研究晶 体管微波特性的基础。该文通过测量HEMT 器件在低温环境下直流参数与散射参数(S 参数),构建了包含噪声参 量的小信号等效电路,并据此设计了一款覆盖L 波段的宽带低温低噪声放大器(LNA),工作频率1 ~2GHz,相对带宽 达到66. 7%。在常温下放大器功率增益大于28dB,噪声温度小于39K;当环境温度制冷至11K 时,噪声温度为1. 9 ~3. 1K,输入输出端口的回波损耗S11 和S22 均优于-10dB,1dB 压缩点输出功率为9. 2dBm,功耗仅为54mW。     

用于IEEE 802.11 b/g/n WLAN的高线性度功率放大器

基于2μm的InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一种可应用于IEEE802.11 b/g/n无线局域网(WLAN)的高线性度射频功率放大器.为了提高射频功率放大器的线性度,采用了负反馈镜像电路提供直流工作点,设计了良好的输入、输出和级间匹配电路来提高射频功率放大器的线性输出功率.流片结果表明,在工作电压为3.3V时,射频功率放大器的1 dB线性压缩输出功率(P1dB)可达27 dBm,当误差向量幅度(EVM)为3％时,2.4 GHz64 QAM激励下,输出功率可达19.8 dBm,满足标准规范要求.