X射线缩小投影曝光技术的现状和课题

1.前言从1970年开始生产1kbit DRAM以来,其集成度以每三年四倍的速度递增.预计到2000年将生产1Gbit的DRAM。图1是每年蚀刻技术状况的变化图.从技术角度来看,目前已从等倍蚀刻过渡到缩小蚀刻.其光源的波长已从G线(436nm)过渡到Ⅰ线(365nm),正在探索KrF(248nm)的短波长化。根据缩短曝光     

X射线曝光技术

Ｘ射线曝光技术１．前言半导体电路的高集成化，在三年中以４倍的速度发展。存储元件的生产现在以４Ｍｂｉｔ的ＤＲＡＭ为中心，但也发表处于研究开发阶段的２５６Ｍｂｉｔ的ＤＲＡＭ制作成功的消息。图形的最小线宽，在２５６Ｍｂｉｔ时为０．２５μｎｍ，在１Ｇｂｉｔ时...     

13nm投影光刻用激光等离子体软件X射线源

软Ｘ射线投影光刻能够制作出特征线宽小于０．１μｍ的线条。激光等离子体源的研究是软Ｘ射线投影光刻中几项关键技术之一。本文报道了１３ｎｍ投影光刻用激光等离子体软Ｘ射线源。     

13nm投影光刻用激光等离子体软X射线源

软X射线投影光刻能够制作出特征线宽小于0．1μm的线条。激光等离子作源的研究是软X射线投影光刻中几项关键技术之一。本文报道了13nm投影光刻用激光等离子体软X射线源。对Sn（Z＝50）靶的激光打靶条件进行初步优化，测定了其在10～20nm波段范围内的辐射相对强度分布。     

同步辐射光刻的X射线反射谱表征

采用X射线反射（XRR）谱对同步辐射导致的氧化物薄膜的刻蚀进行了在位测试,结果表明波长为0．154nm的单色X光在室温下可对MgO和Cr2O3产生轻微的刻蚀。与文献中大量报道的同步辐射X射线光刻及烧蚀不同．这是单色X射线光刻的首次报道。尽管刻蚀速率极慢,但利用XRR谱的高分辨率,成功地检测到了膜厚的减薄。     

离子投影光刻

对于０１３μｍ以下几何作图，离子投影光刻是一种适用的技术。该技术没有光学衍射局限性和电子光刻接近效应，并能使几何图形缩减，进行动态畸变校正。欧州的研究计划正在寻求解决ＩＰＬ方面的技术难题。     

投影光刻技术在大生产中的应用

一、引言1992年为了建立一条3μmr技术的试验线，双极事业部引进了两台PE－340HT投影光刻机，于1993年4月安装调试完毕，投入使用。由于3Pm试验线为正胶工艺，品种少，也不能形成大生产。为提高设备的利用率，同期着手将PE－340HT投影光刻机应用于负胶SPin工艺的大生产中，以克服接触式光刻图形尺寸均匀性差、缺陷多的缺点，从而提高采用负胶工艺的产品、尤其是象二片机之类的高要求产品的工艺一致性。二、设备简介PE－340HT是美国Perkin－Elm。r公司80年代初的产品，处理圆片最大尺寸为4英寸，当时广泛用于64K存贮器的生产，为标准…     

投影光刻技术的计算机模拟研究

投影光刻技术的计算机模拟分为三部分：空间像强度分布计算，曝光计算和显影计算。本文分别讨论了各部分数学模型的建立，计算方法及特点，并给出了一些研究结果。     

LIGA掩模板的制备与同步辐射X射线深度光刻的研究

采用同步辐射进行深度Ｘ射线光刻是ＬＩＧＡ工艺的关键工序,它包括ＬＩＧＡ掩模板的制备、光刻胶的涂制与深度Ｘ射线光刻等多个工艺环节,该技术在深度比要求高的微光、微机械及微机电系统的元件制造领域有独特优势＾［１］,报道采用ＬＩＧＡ工艺制作微齿轮所涉及上述工艺的研究结果。     

自动投影光刻机

直接在硅片上分步重复曝光的自动投影光刻机，是目前１Ｍ、４ＭＤＲＡ及更高集成度各种超大规模集成电路生产的主流光刻工具，本文简要介绍深圳丰德微电子有限公司以引进，消化，吸收与单元技术相结合的方式，进行１微米实用线宽自动投影光刻机的研制及工艺衫化试验的情况，开发如何与集成电路生产，研究相结合。促进共同扫展等谈一些体会和看法。     

亚微米i线和g线投影光刻物镜研制

本文介绍了分步重复投影光刻机的i线和g线投影光刻物镜主要技术指标、设计要点、研制中解决的关键单元技术和设计试制结果。结果表明数值孔径NA＝0．42i线和NA＝0．45g线、视场15×15mm以及畸变＜±0．1μm的五倍缩小投影光刻物镜研制成功。     

数字灰度投影光刻技术

随着MEMS和MOEMS技术的发展和器件制作对低成本、灵活、高效的需求,数字灰度无掩模光刻技术已成为人们研究的热点。介绍了一种基于数字微镜器件(DMD)的无掩模数字灰度投影光刻技术,结合电寻址数字微镜阵列的工作方式,分析了DMD的灰度调制机理和投影成像特性;阐述了DMD微镜结构与投影系统的倍数、数值孔径的关系;设计了投影光刻系统,并进行了分辨力和三维面形的曝光实验。实验结果表明,数字灰度投影光刻技术灵活、方便,尤其在三维浮雕微结构的制作方面,可实现光刻灰度的数字化调制,表面粗糙度可达0.1μm。     

21世纪的光刻技术

当前世界半导体工业按照摩尔定律,以快速发展的势头向21世纪,光刻特征线宽越来越小,硅片直径越来越大,制造成本越来越高。到2000年0.18μm工艺、300mm硅片的技术将完全进入规模化大生产阶段。在不远的将来,微电子设备的发展将达到传统光学方法的分辨率极限,光学光刻曝光波长将由i线向深紫q外迈进。现在在0.25μm—0.35μm生产阶段,当IC器件