在一块芯片上集成225万个元件的1兆位DRAM

日本的东芝公司于去年11月1日发表了新一代超大规模集成电路的文章,它采用1.2μm的微细加工技术及新的元件隔离技术(BOX),在一块芯片上集成了约220万个元件的1M位动态RAM。 存取时间70ns 此超LSI,在4.78×13.23平方毫米的硅芯片上集成的元件是目前已达到实用化的最先进的超LSI-256k位DRAM的4倍,并将这种器件封装在与256k位DRAM     

在VLSI方面的竞争

<正> 除以前发表过的日本两家公司研制成256K位动态RAM以外,目前,许多公司也正在研制256K位动态RAM,并取得一定进展。IBM公司已试制了288K位动态RAM芯片;Motorola公司最近也发表了256K×1位动态RAM的一览表,预计样品在年内或83年初出厂,最大存取时间将为100ns,内有再生功能,单元面积84μm~2,芯片面积46.4mm~2;日立也宣布今年秋季将提供样品。东芝公司在批量生产第一代VLSI产品-64K位动态RAM方面一直落后于日立、富士通等公司,据称东芝将通过首先推出1M位RAM来保持它在VLSI方面的竞争能力,他们计     

256kDRAM的可靠性

MOS动态RAM的集成密度、性能正以每年约2倍的速度向前推进,现在是以256k位动态RAM(以下256kDRAM)为主流(图1)。由于历史的原因在多种多样的IC中,使用的工艺技术、集成密度、性能、产量等方面,通常是MOS动态RAM居首位,所以在评价IC制造技术水平方面它具有代表性。在这里,就256kDRAM的可靠性作一概述。     

发展集成电路必须重视半导体设备

一、引言近二十年来,以集成电路(IC)和微计算机为中心的微电子技术发展十分迅速。集成电路已从小规模集成电路发展到了超大规模集成电路(VLSI)。目前已能大量生产第一代VLSI(16K位静态RAM~*、64K位动态RAM及16位微处理器);科研水平是第二代VLSI(64K位静态RAM、256K位动态RAM及32位微处理器);今年将发表256K位静态RAM。在整个七十年代中,电路的集成度平均每两年提高4倍,每块电路     

周期时间为50ns的静态列式256k CMOS动态RAM

日立制作所成功地研制了具有高速存取功能的静态列式256k CMOS动态RAM,从1985年4月起推出试制原样;这种存贮器以静态列方式工作,如果对某一单元进行存取,那么对于含有该存贮单元的行里的其他单元来说可以像高速静态RAM那样进行取数;普通类型的256k DRAM的取数时间为100ns,而这种静态列式的256k DRAM快达50ns;为了达到高速,芯片上的外围电路使用了CMOS静态电路;这种256k DRAM适合用作清晰度很高的CRT图象存储器或高速计算机中的主存贮器。     

PCF8583时钟日历芯片的应用(上)

PCF8583为带12C总线接口并具有极低功耗（10μA）的日历时钟芯片，其中还有256字节的静态RAM，PCF8583也可作为一个6位BCD码事件计数器，故在系统中应用非常广泛，由于作为日历时钟器件配置有电池供电，可作的RAM的保护电源，故256字节的RAM可视为非易失性RAM，本文比较全面地介绍了PCF8583的结构特点及其应用。     

PCF8583时钟日历芯片的应用(下)

PCF8583为带I2C总线接口并具有极低功耗（10μA)的日历时钟芯片，其中还有256字节的静态RAM，PCF8583也可作为一个6位BCD码事件计数器，故在系统中应用非常广泛，由于作为日历时钟器件配置有电池供电，可作为RAM的保护电源，故256字节的RAM可视为非易失性RAM，本文比较全面地介绍了PCF8583的结构特点及其应用于。     

用微型机系统对RAM进行功能测试

由于微型机的出现和迅猛发展,为测量技术的发展开辟了一个崭新的局面。本文介绍我所研制的256位(64×4)、1024位(128×8)MOS静态RAM的功能测试方法。它是把被测的RAM组织在一个微型机系统中,用软件来测试的。它交付使用快、成本低、功能可随意扩展,容易满足各种测试要求。它是一种经济、有效、实用的测试方法。而且一台微型机既可测试不同容量的静态或动态RAM功能,也可完成其它微型机所需的器件的功能测试,还可以填写EPROM,以及测试其它各种集成电路等等。主要需编制适当的程序。     

高速图象应用的4结构和CMOS 256k位动态RAM的研制

在256k×1位结构的标准产品基础上,具有高速存取功能、作图象存贮器应用的64k×1位和32k×8结构等各种各样的第二代256k动态RAM正在研制成功。外围电路采用CMOS结构也很引人注目。不久,这些产品除×1结构之外,将占256k RAM总数的30％。最引人注目的是周期时间小于50ns的静态列式CMOS型,以及供图象应用的双通道64k×4位产品的新应用研究。     

其它电路与技术

0224794PCF8583时钟日历芯片的应用(下)[刊]/张培仁//电子质量.—2002,(7).—57～59(K)PCF8583为带 I~2C 总线接口并具有极低功耗(10μA)的日历时钟芯片,其中还有256字节的静态RAM,PCF8583也可作为一个6位 BCD 码事件计数器,故在系统中应用非常广泛。由于作为日历时钟器件配置有电池供电,可作为 RAM 的保护电源,故256字节的 RAM 可视为非易失性 RAM。本文比较全面地介绍了 PCF8583的结构特点及其应用。     

CMOS存贮器

半导体存贮器取代磁心存贮器而成为存贮器市场的主要主品,可以予见,今后将更迅速地向大容量和高速化方向发展,NMOS RAM领域内,16K的动态存贮器和AK的静态存贮器已经商品化。即使对于将PMOS和NMOS作在同一个片子上的互补器件CMOS RAM领域,也在朝大容量化和高速化进展本公司已生产出1K位的CMOS RAM。研制了目前世界领先的1024字×4位的C~2MOS静态存贮器TC50419,并已作为正式商品,参见表1,图1。     

具有可变电阻负载的256k CMOS SRAM

在SRAM中,较小的单元面积和高速操作以及低功耗是达到成功发展的关键设计指标。本文将描述一种使用可变电阻负载和脉冲字线技术的256k(32k×8位)静态RAM,通过消除对内部时钟的静态RAM予充电时间来获得快速存取时间。这还使写周期中的功耗惊人地减少。一种具有多晶硅化物地线(V线)的存贮单元已经研制成功,产生的单元面积小于100μ~2。     

大容量动态 RAM 的发展途径

<正> 进入七十年代之后,迎来了 LSI 的全盛时期,1970年出现了1K 位动态 RAM,而后在1974年和1976年又分别出现了4K 和16K 的产品,1979年研制成功了64K 位动态 RAM,从而进入了 VLSI 的领域。在1980年2月召开的国际固体电路会议上,日本发表了两篇关于256K 动态 RAM 的论文,引起了人们的极大关注和强烈反响。此外,日本还在会上提出了兆位存储器的设计方案和试制样品。随着半导体技术的发展,人们估计在八十年代末期,也许会使兆位存储器达到实用化的水平。     

比较讨论制作高密度MOSRAM用的三种迭式电容器型存贮单元

本文比较讨论了制作256K位以上容量的MOS动态RAM的三种迭式电容器型存贮单元。这是把存贮电容器迭加在晶体管和场氧化膜上面构成的存贮单元。其抗X射线能力强,但加工精度要求却不太高,而且,用小存贮单元也能获得大的电容。这里选择的是适合于3μm和2μm技术的结构,用3μm设计规则试制了16KRAM。     

一种15ns的1兆位CMOS SRAM

我们研制了一种256k字×4位结构体1兆位CMOS静态存贮器，它的制造是采用0．8μm双层多晶、双层铝、双阱CMOS工艺技术。其单元尺寸小：5．2μm×8．5μm，芯片尺寸为6．15mm×15.21mm。通过采用新的电路技术，得到了15ns的快速存取时间。该技术为。一个PMOS负载译码器，一个三级动态增益控制读出放大器，并结合补偿技术及反馈电容技术。电路的动态电流较低，在20MHz时为50mA，静态电流也低，对TTL为15mA，而CMOS则为2μA。     

光学曝光与X射线曝光的竞赛前景

<正> 微光刻技术已进入亚微米尺寸加工时代,八十年代末即可使高密度集成电路—4兆位动态RAM和1兆位静态RAM存储器付诸生产。对集成密度的需要将要求曝光装置在九十年代就能大批量生产0.5μm及更小线宽的图形。光学曝光具有0.5μm尺寸的生产能力。作为一种适合于大生产用的竞争技术,X射线曝光也进入了实验考核阶段。是否会在九十年代出现一个从光学曝光转向X射线曝光的大突破,就取决于竞争双方各自的技术性能和经济效益了。     

存储器研究的新就成

电电公司武艹上野电气通讯研究所和其它三家公司合股研制的128K位ROM(唯读存储器)现已试制成功。在半导体存储器研究方面,可以说是目前世界上规模最大的研制产品。另外,该研究所正在研究每一芯片具有256K位的高密度磁泡存储器,上述各领域的研制成果业已引起世界各厂家的极大关注。 最近研制成功的ROM是一种在20.6平方毫芯片上集成约13万位存储器件的     

莫托洛拉公司MCM6256/MCM6257型256k DRAM

前言 本文以半字节方式功能的MCM6257型(照片1)存储器为中心,详细地介绍了莫托洛拉公司制造的256k位动态随机存取存储器。MCM6257型动态RAM与带有页码方式功能的MCM6255型动态RAM的芯片结构基本上是相同的,在制造中两者的掩模版可互换使用。     

1微米CMOS微细加工技术

引言MOS存储器中器件密度的提高是十分惊人的,自1970年开发1K位动态RAM以来,按照穆尔法则以每年2倍的比例向大容量化飞速发展。在这种大容量化进展的同时,最小加工尺寸的缩小化问题也是很明显的。如图1所示,1970年的最小加工尺寸为10微米,通过利用干法腐蚀技术和高精度缩小投影步进曝光方法,到1980年已达到了3微米。这样一来,在1980年就已跨入了每枚芯片上集成有10万个以上元件的MOS存储器(超大规模集成电路)时代。而且,目前2微米器件(如64K位静态随机存取存储器或256K位动态随机存取存储器)已开始大量生产,并且开始开发以下一代1微米加工技术为必要条件的元件数超过100万个的超     

最新的超超大规模集成电路工艺技术及其实际情况

在1983年底国际电子器件会议(＇83IEDM)及1984年的国际团体电路会议(＇84ISSCC)上,发表了 IM位动态存贮器(DRAM)~[1 3]和 256K位 MOS静态存贮器(SRAM)~[4]技术,在一块芯片上集成了100万只以上元件,从而标志着进入了超超大规模集成电路(ULSI)时代。 在这种ULSI中,由于集成度提高了。最小条宽到了亚微米,于是产生了LSI存