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相似文献
 共查询到17条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
简述了在SiC材料半导体器件制造工艺中,对SiC材料采用干法刻蚀工艺的必要性.总结了近年来SiC干法刻蚀技术的工艺发展状况.  相似文献   

2.
提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/InP键合晶片解理截面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,键合界面整齐,没有裂缝和气泡。通过键合过程,InP上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱结构转移到了GaAs基底上。X射线衍射及荧光谱显示,键合后的多量子阱晶体质量未变。二次离子质谱(SIMS)和Raman光谱图显示,GaAs/InP键合晶片的中间层厚度约为17 nm,界面处B元素有较高的浓度,键合晶片的中间层很薄,因此可以得到较好的电学、光学特性。  相似文献   

3.
键合工艺是微机电系统的重要工艺,是制作MEMS器件成功的关键.基于硅-硅键合技术,设计了一种能在低洁净、室温、常压环境下使用的低真空键合设备.介绍了基于该键合设备的键合工艺及键合质量的评价办法及标准.使用该设备对不同材质的样品进行键合实验,结果表明,键合出来的样品结合强度高,键合面没有缺陷,表明该设备有一定的实用性.  相似文献   

4.
在慢速升温和快速升温下,采用热重法及间隙法取样检测研究了磁铁精矿冷固球团在还原前期升温过程中的还原,对弱还原气氛下球团的结构变化规律进行了探索性研究,结果表明:在升温过程中,当温度小于900℃时,煤与球团的还原只有在球团外层进行,而采用快速升温可以缩短跨越FeO阶段的时间且能使铁尽快产生,有利于球团形成较大的强度。  相似文献   

5.
采用金属键合技术结合激光剥离技术将GaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上。利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN扩散所起的阻挡作用,确定键合所需的金属过渡层。利用多层金属过渡层,在真空、温度400℃和加压300 N下实现GaN基LED和Si的键合,通过激光剥离技术将蓝宝石衬底从键合结构上剥离下来,形成GaN基LED/金属层/Si结构。用金相显微镜及原子力显微镜(AFM)观察结构的表面形貌,测得表面粗糙度(RMS)为12.1 nm。X射线衍射(XRD)和Raman测试结果表明,衬底转移后,GaN基LED的结构及其晶体质量没有发生明显变化,而且GaN与蓝宝石衬底间的压应力得到了释放,使得Si衬底上GaN基LED的电致发光(EL)波长发生红移现象。  相似文献   

6.
本文较详细地介绍了非惯性系下平面机构系统动态仿真的回转键合图法,给出了非惯性系下平面连杆机构系统的键合图模型,推导出了系统状态方程的一表达式。本文方法可以用统一的方式对多种能量形式并存的机械系统进行动态仿真,并能直接确定不同能量形式的子系统间的相互作用。  相似文献   

7.
单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶SiC进行化学机械抛光的研究现状;为了提高SiC-CMP的化学和机械两方面作用,对SiC-CMP催化辅助增效技术、SiC电化学机械抛光(ECMP)技术、固结磨料抛光、光催化辅助抛光等增效新技术进行了系统综述;对SiC-CMP及其增效技术进行了分析、讨论,指出了当前的研究难点,展望了进一步提高单晶SiC抛光效率的研究方向.  相似文献   

8.
碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)作为第三代半导体产品中的关键器件,在越来越多的领域发挥着至关重要的作用。随着SiC MOSFET的功率越来越大和应用的领域越来越多,SiC MOSFET模块的失效问题亟需重视。首先分析了SiC MOSFET模块工作的原理,讨论了SiC MOSFET模块检测的必要性,然后提出了一种基于模块导通电阻的检测方法,该方法可在不拆开模块封装的情况下对模块键合线的健康状态实现监测。为了验证所提方法的有效性,通过剪断不同数量键合线模拟实际键合线断裂程度,测量了键合线处于不同健康状态下的模块导通电阻,同时对温度和导通电流进行了归一化处理,消除了温度对测量结果的影响。  相似文献   

9.
用一种化学方法将两种份菁直接键合在抛光的单晶锗表面,对键合有份菁的锗片进行了激光Raman光谱及XPS谱分析,结果表明,在键合的锗片表面存在着与染料组成相同的各原子,并且这些原子的化学环境与染料分子结构相符,锗表面实现了预期染料分子的键合。  相似文献   

10.
研究了利用拉格朗日键合图建立梁横向振动数学模型的基本方法.由于拉格朗日键合图方法中能量转换矩阵对广义坐标的要求,将梁离散为刚杆-质点-弹簧系统,定义挠度为广义坐标,然后分析了多种边界条件下梁横向振动的数学模型.最后以两端简支梁为例作了仿真计算,其仿真结果与该模型的理论解以及ANSYS的计算结果进行了对比,验证了梁的离散模型的有效性,并说明了拉格朗日键合图对梁横向振动进行模态分析相对于别的方法是简便可行的.  相似文献   

11.
SiCp/Al复合材料的压铸法制造工艺的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用先制预制块然后加压铸造的方法制得了致密均匀的SiCp/Al复全材料,与基体铝合金相比,其屈服强度提高46%,抗拉强度提高24%,弹性模量提高87%。  相似文献   

12.
采用TMS(CH3SiCl3)为原料,H2为载气,Ar为稀释气,在1000-1200℃范围以内以石墨为基体,通过化学气相沉积法(CVD)制备地SiC块体材料,在特定的工艺条件下,SiC的生长速率可达0.6mm/h,结合实验结果,研究了常压SiC-CVD过程中,对SiC生长速率产生影响的若干因素的作用,初步探索了基体尺寸与沉积室尺寸的比例、沉积温度、稀释气流量以及沉积时间对沉积速率的影响,综合分析提高了SiC生长速率的原因。  相似文献   

13.
On the basis of the alloying theory of bonding assistant coat (BAC), taking into account of the interaction of alloy elements, the regressive equation, which relates the wetting ability of bonding assistant coat with the contents of Mn, Ni, Si, Sn, and B, was es- tablished by using quadratic regression orthogonal design of five factors. The influence of elements and their interaction on the wetting ability was analyzed. The ranges of alloy elements were optimized. The melting point of bonding assistant coat was measured by using differential thermal analysis. The results show that the interactions of Ni and Mn, Ni, and Sn can increase the wetting ability obviously and the melting point of bonding assistant coat has been decreased.  相似文献   

14.

介绍了近年来有氧条件下CO选择性催化还原(CO selective catalytic reduction,CO-SCR)催化剂的研究现状,重点介绍了Ir基、Pd基、Cu基、Co基催化剂的研究进展,分析了载体种类、助剂和活性组分掺杂量等因素对催化剂活性的影响. 简述了H2O和SO2对催化剂活性的影响,并介绍了CO-SCR的反应机理,为提高CO-SCR催化剂抗氧性提供参考. 最后指出,O2在催化剂表面的反应机理、SO2和H2O对催化剂的毒害机理是今后有氧条件下CO-SCR可能的研究方向.

  相似文献   

15.
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上生长了晶态SiC薄膜.通过X射线衍射(XRD)、傅立叶红外(FTIR)等分析手段对样品结构、组分进行了分析.通过提高H2稀释度,使得SiC薄膜的质量得到了改善.选取高H2稀释度,利用原子氢在成膜过程中的刻蚀作用稳定结晶相,可在较低的衬底温度下,沿Si(102)择优取向异质生长出晶态SiC薄膜.  相似文献   

16.
为了提高碳纤维与树脂基体之间的粘结性能,采用循环伏安法,以丙烯酸为聚合单体对碳纤维进行了电聚合改性.利用傅里叶红外光谱仪和扫描电子显微镜研究了改性前后碳纤维表面的结构变化,并利用电脑伺服控制材料试验机对复合材料进行了力学性能测试.结果表明:当丙烯酸浓度为0.3 mol/L、循环次数为10次时,碳纤维的改性效果最佳;改性后的碳纤维在红外光谱的2 680 cm-1附近出现了—OH特征吸收峰;复合材料的层间剪切强度由10.50 MPa增加到了23.44 MPa,提高了123.21%;改性后碳纤维表面出现了圆片状丙烯酸聚合物层,且可与环氧树脂基体紧密结合.  相似文献   

17.
Keggin结构杂多酸化合物中的紫外-可见光谱   总被引:4,自引:0,他引:4  
系统地列举了Keggin结构杂多酸(盐)的紫外 可见光谱.发现多金属氧酸(盐)的荷移光谱,是由氧到金属或由金属到金属的价态跃迁产生的,一般不传达结构信息,可作为一种分析手段,与IR、ESR、NMR、JG等一起对Keggin结构杂多酸(盐)有了彻底的认知.  相似文献   

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