三值低功耗多米诺JKL触发器设计及应用

通过对三值触发器和绝热多米诺电路的研究,提出一种新颖低功耗多米诺JKL触发器开关级设计方案。该方案首先利用开关—信号理论,根据三值JKL触发器真值表,推导出三值绝热多米诺JKL触发器开关级结构式;然后利用三值JKL触发器实现三值正循环门电路和三值反循环门电路的设计;最后,经Spice软件模拟证明所设计的三值绝热多米诺JKL触发器逻辑功能正确,与常规三值多米诺JKL触发器相比,能耗节省约69%。     

对基于模代数的三值触发器的研究

本文用模代数讨论三值触发器。提出了基于模代数的三值 JK 触发器。与基于 Post代数的三值 JK 触发器相比,它的逻辑功能是均衡的,它能像二值 JK 触发器一样方便地构成另外二种常用的触发器:三值 D 型触发器与三值 T 型触发器。此外,由时序电路的设计实例,也证实了因它的功能较强而能导致较简单的激励函数与组合电路。     

基于门控时钟技术的低功耗三值D型触发器设计

本文在三值D型触发器的基础上提出了一种低功耗三值门控时钟D型触发器的设计.该设计通过抑制触发器的冗余触发来降低功耗,PSPICE模拟验证了该触发器具有正确的逻辑功能.与三值D触发器相比,该触发器在输入信号开关活动性较低的情况下具有更低的功耗.同时该电路结构可以推广到基值更高的低功耗多值触发器的设计中.     

DICE型D触发器三模冗余实现及辐照实验验证

分析了三模冗余(TMR)型D触发器和双互锁存储单元(DICE)型D触发器各自的优点和缺点,基于三模冗余和双互锁存储单元技术的(TMRDICE)相融合方法,设计实现了基于双互锁存储单元技术的三模冗余D触发器。从电路级研究了TMRDICE型D触发器抗单粒子翻转的性能,与其他传统类型电路结构的D触发器进行了抗单粒子翻转性能比较,并通过电路仿真和辐照实验进行了验证。仿真结果表明,TMRDICE型D触发器的抗单粒子翻转性能明显优于传统的普通D触发器、TMR型D触发器和DICE型D触发器。辐照实验结果表明,TMRDICE型D触发器具有最小的翻转截面。     

三值触发器设计及其变换

本文研究了基于状态图设计三值触发器的通用方法，对称和非对称三值逻辑均适用，用一个状态图统一地导出主从结构和维持阻塞结构触发器，以及其它等效触发器。本文设计出双及性ｃｐ触发器，改进了ＲＳＲ和ＪＫ触发器。     

触发器的用法

触发器是一种特殊类型的存储过程,它绑定特定的表,当有试图更改它所保护数据的操作发生时会自动执行。通过触发器可以实现强制参考完整性、数据关联逻辑的一致性、能够实现复杂的商业规则。本篇主要介绍介绍三种常用触发器INSERT触发器、UPDATE触发器、DELETE触发器的使用范例。     

基于集成门电路的三值单稳态触发器研究

通过对二值单稳态触发器设计原理的重新归纳,本文从三值三稳态触发器的正确设计出发,提出了二种三值单稳态触发器的设计方案。以ＲＣ微分电路为定时电路的设计已用ＰＳＰＩＣＥ程序进行计算机验证。     

基于U_h门的三值触发器和时序电路设计

本文根据基于模代数的各种三值触发器的次态方程,提出用U_k通用门实现各种三值触发器。在此基础上,利用U_k门阵列实现三值时序电路。     

数字集成电路讲座(4)

<正> 第三讲 触发器(上) 触发器是组成时序电路的基本单元,以后我们要讲到的计数器、分频器和移位寄存器等都是由触发器作为主要功能部件。另外,触发器在信号产生、变换和控制电路中也有广泛的应用。 一、几种常用触发器 1.三态R-S触发器CD4043 R-S触发器是最简单的触发器,也叫“复位—置位触发器”。一般由“与非”门或者“或非”门交叉连接而成,如图1所     

一种带自刷新功能的三模冗余触发器设计

随着体硅CMOS电路工艺尺寸的不断缩小,数字电路在宇宙空间中受到的单粒子效应愈发严重。特别是触发器结构电路,单粒子效应中的单粒子翻转效应会造成触发器内部存储的数据发生错乱,影响电路正常工作。提出了一种带自刷新功能的三模冗余触发器设计,改进了传统三模冗余触发器设计只表决修正输出不刷新错误数据的不足。     

CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究

对ＣｄＳｅ－ＴＦＴ的制作工艺进行了探索,对ＴＦＴ矩阵的关键材料－半导体层ＣｄＳｅ的性质进行了研究。利用ＸＣ－３６型高阻仪研究了ＣｄＳｅ薄膜电阻率随蒸发速度的变化,用三探针法和Ｃｕｒｖｅ Ｔｒａｃｅｒ ＱＴ－２对ＴＦＴ样管的基本性能进行了测试,得到载流子迁移率为１７０ｃｍ２／Ｖ．ｓ,ＯＦＦ态电流小于１０＾－１０Ａ,ＯＮ态电流为１０＾－４Ａ。     

串联叠加式固态脉冲调制器的设计

介绍了固态调制器电路常用的拓扑结构,讨论了开关直接串联与加法器叠加两种拓扑结构的特点。设计了基于IGBT的串联叠加式固态刚管脉冲调制器,调制器通过充电电源变压器实现电位隔离,采用6路调制单元串联叠加,并利用脉冲变压器升压至40 kV。重点讨论了该类型调制器研制中的关键技术,分析了脉冲变压器铁芯饱和现象并提出解决方法;讨论了吸收电路的计算选取,给出了有无吸收电路时,IGBT的C、E两端电压波形;分析并解决了脉冲波形过冲控制以及电磁干扰噪声抑制问题。     

视频版权自动认证系统的思考与设计

希望设计一套自动化,智能化,高效率的视频版权认证系统,系统总体采用了五层结构,设计了帧内数据的采样方法和由帧内采样数据构成的采样值数组,对该采样值数组进行哈希变换,求得了基本特征值,将得到的值组织成了四树权帧顺序寻址多层哈希树,将该哈希树与其他数据一起组织成了数据区块,本区块包含着前一数据区块的加密哈希值和当前时间戳,计算本数据区块的哈希值,将其加密存储在本区块的最后的数据位置,形成了数据区块链,对封面、封底区块进行加密,对整个数据打包,形成视频节目自动版权证书,论述了容错机制.     

基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术

STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。     

基于HSP50214B的256QAM信号的下变频实现

本文介绍了可编程数字下变频器件HSP50214B的内部结构和功能模块,并结合一种实际信号的下变频要求,介绍了器件与应用相关的输出方式、控制端口,并详细说明功能模块的参数设计。最后,通过VHDL硬件描述语言编程,利用可编程逻辑器件CPLD完成对HSP50214B的设计的实现。通过一个完整的软件无线电系统中下变频HSPS0214B的设计过程,介绍了HSP50214B的一般应用方法。     

A DFT study on ternary compounds of GaAlAs and InAlAs nanoclusters

The realistic structures such as hexagonal ring, hexagonal sheet, ladder and cube isomers of GaAlAs and InAlAs are designed and optimized using density functional theory. The hexagonal ring structure is found to be more stable from the calculated energy. The dipole moments of GaAlAs and InAlAs nanoclusters are reported and hexagonal ring of GaAlAs and ladder structure of InAlAs nanoclusters are found to have a high dipole moment. The point symmetry of GaAlAs and InAlAs nanoclusters has either C₁ or C_s symmetry. The HOMO–LUMO gap provides an insight into the transition of the electron for different isomers of GaAlAs and InAlAs clusters. The electron density depends on the geometry of the cluster. The electronic properties are discussed in terms of ionization potential and electron affinity. The hexagonal sheet isomer has the high value of IP and EA due to its geometry. The cube structured GaAlAs and InAlAs nanoclusters have the highest binding energy. The embedding energy is found to be low for GaAlAs and InAlAs hexagonal sheet isomers. The vibrational studies identify the stable clusters of GaAlAs and InAlAs nanoclusters. The result of the present work will give insight into tailoring and improving the electronic properties of GaAlAs and InAlAs nanoclusters which find their importance in optoelectronic devices.     

C波段宽带上变频器的集成化设计

介绍了一种C波段宽带上变频器的集成化设计。利用垂直过渡的形式提高了模块的集成度。用HFSS对垂直过渡进行了仿真,结果表明在整个C波段内,输入、输出驻波小于1.07。上变频器采用上、下分腔结构,上腔主要包含混频、滤波、放大功能,下腔主要包含功分、放大功能,上、下腔采用垂直过渡进行微波信号的级联。给出了上变频器的测试结果,带内平坦度小于1 dB,杂波抑制大于60 dB,测试结果验证了设计方法的正确性和可行性。该上变频模块已经用于雷达系统中。     

CAN总线接口扩展设计与驱动开发

介绍了一种基于S3C6410的CAN总线接口扩展方案,通过SPI接口对CAN接口进行扩展,并给出具体的硬件电路。重点研究了WINCE系统下独立CAN控制器MCP2515的驱动程序。结合CAN总线技术规范和MCP2515的特点设计了相关的软件代码,编写了CAN流接口驱动程序,实验结果表明,在WINCE系统下能够较好实现CAN总线的通信。     

108 GHz 功率放大器模块研制

介绍了105～108 GHz 频段功率放大器模块的设计和制作。模块由波导微带转换、功率芯片及芯片偏置电路组成。讨论了放大模块的设计及加工测试过程,并对模块中的关键技术波导-微带转换进行详细阐述。波导-微带转换采用E面微带探针激励完成。通过理论分析及仿真优化后设计出转换模型并制作出实物进行测试。单个转换在100～110GHz 频段内插入损耗小于0.6 dB,回波小于-10 dB。测试结果表明设计的波导-微带转换具有插入损耗小,工作频段宽的优点。采用此转换制作的功率放大模块在105～108GHz频段上增益大于13dB,输出功率大于200mW,达到预期设计指标。     

多站制CW雷达目标动态模拟器设计

针对多站制连续波（CW）雷达工作特点,设计了一种CW雷达目标动态模拟器,满足多站连续 波测 量系统动态模拟联试的需求。采用高性能CPCI工控机作为模拟器硬件平台,信号处理单元 以CPCI板卡为载体,模拟控制信息依据弹道数据生成。模拟器通过控制测距信号的时间延迟 ,实现目标距离变化的模拟;通过载波频移控制,实现目标速度的模拟;通过数控衰减器控 制模拟信号的幅度,实现目标信号强弱的模拟。通过多站制测量系统动态模拟联试,验证了 模拟器的有效性和距离与速度的相关性。