PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究

研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果.分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响.通过优化参数,钝化后在太阳能级n型Cz硅片(40×40mm)平均少子寿命值在800μs以上,局部在1500μs以上,得到了钝化后平均表面复合速率S＜9.4cm/s的优良钝化效果;若硅片τbulk为2ms,则S＜5.6cm/s.     

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登(八) 超高浓度钛掺杂硅薄膜的制备及光电特性研究

将磁控溅射和热丝化学气相沉积相结合,制备出超高浓度钛掺杂的氢化非晶硅薄膜。通过光发射谱(OES)分析了热丝加热前后直流溅射辉光特性,结果表明热丝加热与否对直流溅射过程的影响不大。俄歇电子能谱显示钛在薄膜中是均匀分布的,改变磁控溅射的功率可控制薄膜中钛的含量,薄膜在可见和红外光的吸收随钛浓度的增加而显著增强。掺钛非晶硅薄膜仍表现出半导体特性,电阻率随着温度的降低而提高,满足变程跳跃电导输运机制。采用激光熔融(PLM)对薄膜进行退火,薄膜晶化率达50%以上。晶化的掺钛硅薄膜仍保持较高的可见-红外波段的光吸收。     

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)第一轮会议通知暨论文摘要征集通知

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)由中国可再生能源学会、中国科学院电工研究所联合主办,中国可再生能源学会光伏专业委员会、北京科诺伟业科技有限公司、上海诺盖斯展览策划有限公司共同承办。自创办以来,无论是会议内容还是展览规模,都已成为国内光伏业界最具影响力的年度行业盛会之一。大会以"论坛报告学术权威、大     

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文选登 多晶硅电池叠层抗反射层的设计研究

根据多晶硅电池对表面抗反射薄膜设计的需要,基于薄膜反射特征导纳矩阵理论结合电池的背底反射,建立了完善的表面反射和电池吸收计算模型,在已知薄膜复折射率的前提下可给出反射率的精确计算结果。利用该计算模型,设计了多种表面反射结构,其中硅量子点镶嵌氮化硅与二氧化硅组成的双层抗反射薄膜,在AM1.5光谱下其积分反射率最低可达到4.38%;分析了不同硅量子点体积比对于该双层抗反射膜的影响,系统给出了实际生长该双层抗反射层的具体参数,即富硅氮化硅中的Si∶N=1∶1时即可达到较好的表面抗反射效果。