BGA技术与质量控制

BGA(BallGridArray球栅阵列封装 )是现代组装技术的新概念 ,它的出现促进SMT(表面贴装技术 )与SMD(表面贴装元器件 )的发展和革新 ,并将成为高密度、高性能、多功能及高I/O数封装的最佳选择。简要介绍了BGA的概念、发展现状、应用情况以及一些生产中应用的检测方法等 ,并讨论了BGA的返修工艺     

BGA表面安装工艺简注

随着表面安装技术(SMT)的飞速发展,人们越来越重视BGA的工艺研究。BGA是一种球栅阵列的表面封装器件,它的引脚成球形阵列状分布在封装的底面,因此,它可以有较大的脚间距和较多的引脚数量,这对电路设计者和电路生产组装者来讲是一个福音。 一、BGA的工艺特点 BGA作为一种新的SMT封装形式是从PGA演变而来的,它有自己的工艺特点,其主要优点如下:     

BGA技术与质量控制

球栅阵列封装（BGA）是现代组装技术的一个新概念，它的出现促进了表面安装技术（SMT）与表面安装元器件（SMD）的发展和革新，并将成为高密度，高性能，多功能及高I/O引脚数封装的最佳选择，介绍了BGA的概念，发展现状，应用情况以及一些生产中应用的检测方法等，并讨论了BGA的返修工艺。     

文献与摘要（76）

球栅阵列/印制电路板的互联设计指南BGA/PCB Interconnect Design Guidelines球栅阵列(BGA)是一种用于集成电路的封装形式。在印制板(PCB)组装过程中,焊球应用于BGA底部引脚,并贴装到同一引脚位置的印制板上。本文描述BGA/PCB设计的细节,包括针对1.27mm、1mm、     

新一代表面安装技术——BGA

BGA是一种新型的表面安装技术，称作球栅阵列封装(Ball Grid Array)。它的引脚成球形阵列状分布在封装的底面上。因此，它可以有较大的脚间距和较多的引脚数量，而且使用SMT安装工艺，安装工艺简单，这正是人们所期望的SMD。     

方形扁平无引线QFN封装的研究及展望

方形扁平无引线(QFN)封装是方形扁平封装(QFP)和球栅阵列(BGA)封装相结合发展起来的先进封装形式,是SMT技术中产品体积进一步小型化的换代产品.讨论了QFN技术的改进及工艺自动化发展进程,指出其必将成为半导体器件高端主流封装形式之一.     

电子制造无铅化高可靠性难题破解

随着电子产品向便携式、小型化、网络化和多媒体方向迅速发展,表面贴装技术（Surface Mount Technology,简称SMT）在电子工业中正得到越来越广泛的应用,并且在许多领域部分或全部取代了传统电子装联技术。SMT的出现使电子装联技术发生了根本的、革命性的变革。近年来,BGA（球栅阵列封装器件）和细间距CSP已开始在信息类产品和消费类电子产品中普及应用,BGA-CSP的封装完全不同于QFP。     

涉及BGA封装的组装标准一瞥

SMT技术进入90年代以来,走向了成熟的阶段,但是随着电子产品向便携式、小型化、网络化和多媒体化方向的迅速发展,对电子组装技术提出了更高的要求,新的高密度组装技术不断涌现,其中球栅阵列封装(BallGridArray简称BGA)就是一项已经进入实用化阶段的高密度组装技术。在实施BGA组装工艺生产的过程中,依赖有关的工艺标准对于迅速掌握这门技术并实施生产,     

BGA器件焊接合格率的预测模型

在表面贴装技术(SMT)大规模生产过程中,如果能够对焊接合格率进行预测,无疑对提高SMT产品的生产率、产品可靠性及成本控制具有重要意义.以球栅阵列(BGA)器件为例,研究SMT焊接合格率的预测方法.通过统计分析,结合焊点成形软件的方法,建立了BGA器件焊接合格率的预测模型,运用该模型可以找出影响焊接合格率的制约因素.结合仿真技术模拟焊点形态,发现引起焊接缺陷各参数之间的关系,并提出相应的解决方案.     

集成电路先进封装中的聚合物材料：1．聚酰亚胺

系统综述了聚酰亚胺(PI)材料在集成电路(IC)先进封装，主要是BGA(球栅阵列封装）、CSP(芯片尺寸封装)等封装形式中的应用。从聚酰亚胺封装材料的基础理论、发展概况、未来发展趋势等几个方面进行了详细的阐述。重点论述了聚酰亚胺封装材料在芯片表面钝化、α—粒子屏蔽、层间绝缘以及光刻等领域中的应用情况。     

纳米器件的发展动态

介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,主要介绍量子器件和半导体自旋器件的概况。     

Windows操作系统中的USB 2.0体系结构分析

Windows的USB2.0体系结构包括两个重要的核心内容:USB驱动程序栈和USB设备栈.Windows XP 和Windows 2000的驱动程序栈均由主机控制器驱动程序、总线驱动程序和客户设备驱动程序3层构成.Windows XP设备栈包括客户设备栈、基类复合设备、根集线器设备栈和主机控制器设备栈;Windows 2000 USB设备栈由客户设备栈、基类复合设备、根集线器设备栈和主机控制器设备栈构成.在阐述Windows XP 和Windows 2000驱动程序栈的基础上,对两者存在的区别进行了对比分析,对Windows平台下的USB2.0驱动程序开发具有很好的参考价值.     

虚拟字符设备驱动程序在Linux的实现

在Linux系统中,设备驱动程序隐藏了设备的细节,用户程序可以方便地操作设备,但随着硬件产品不断更新,需要不断编写新的驱动程序以支持硬件,通过虚拟字符设备驱动程序的编写,来说明Linux系统中字符设备驱动程序的工作原理。首先介绍了Linux系统中设备驱动程序的基本结构,以及字符设备驱动程序应提供的入口点,最后用进程虚拟字符设备,编写了相应的驱动程序,实现进程间的信息读写。     

基于SON的MOSFET器件及其工艺方法研究

超薄体SOI器件能够有效抑制短沟道效应,业界认为在纳米器件时代它有可能取代传统体硅器件。但SOI器件的全局化埋氧层特性会使其产生自加热效应,严重时会导致器件开态电流下降、漏电流增加,从而导致器件可靠性降低。具有局部空洞层或介质层的SON器件及其制备方法已成为纳米器件时代的一个研究热点。阐述了SON器件的基本概念,比较了SON器件和传统体硅器件的电学特性。对SON器件的工艺制备方法进行了全面描述,包括早期的SON器件制备方法、基于MSTS的SON制备方法、气体注入SON制备方法,以及完全自对准SON器件制备方法。详细描述了准自对准气体注入SON器件和完全自对准SON器件制备方法的工艺流程。     

超深亚微米非对称Halo LDD低功耗新器件的研究分析

提出了一种新的器件结构——非对称Halo L DD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等,是低功耗高集成度电路的优选结构之一.分析了非对称HaloL DD器件的主要特性,并将其与常规结构、非对称L DD结构、非对称Halo结构的器件进行了比较并进行了参数优化分析.     

对称迟后-超前校正的一体化设计方法

本文首先分析了一类迟后-超前校正环节的频率特性,严格证明了在半对数坐标系下,其幅频特性是轴对称的,其相频特性是中心对称的,进而将此类校正环节称为对称迟后-超前校正环节。在校正环节的参数满足一定条件下,本文指出：对称迟后-超前校正环节在超前环节作用的频段内,能提供正的相角和负的幅值。进一步,给出了该校正环节所能提供的近似最大相角和所对应频率,并给出了在该频率点该校正环节的近似幅值。基于这些结论,给出了利用对称迟后-超前环节进行校正的两种一体化设计方法。     

Memory performance of a thin-film device based on a conjugated copolymer containing fluorene and chelated europium complex

A memory device based on the sandwiched structure of a conjugated copolymer (PF8Eu), containing fluorene and chelated europium complex, has been fabricated. An electrical bistability phenomenon was observed on this device: low conductivity state for the as-fabricated device and high conductivity state after device transition by applying a voltage of /spl sim/3 V. At the low conductivity state, the device showed a charge injection controlled current and at the high conductivity state, the device showed a space charge limited current. At the same applied voltage, the device exhibited two distinguishable conductivities with an ON/OFF current ratio as high as 10/sup 6/ at room temperature. After transition to the high conductivity state, the device tended to remain in the high conductivity state even when the applied voltage was removed. Thus, the device is a potential write-once-read-many-times memory device.     

SONOS非挥发性存储器件的研究进展

随着非挥发性存储器件的尺寸持续缩小,SONOS结构存储器件又重新被重视.简单介绍超短栅长SONOS器件和2 bit SONOS器件,重点介绍改进氮化硅层和应用high-K材料,来改善SONOS器件性能的研究.认为只要解决high-K材料在非挥发性存储器件中的应用,具有好的发展前景.     

典型ESD防护器件失效机理研究

瞬态电压抑制管(TVS)是电子线路设计中常用的静电放电(ESD)防护器件,其可靠性将直接影响整个电路的安全。选取常见的TVS器件PESD5V0U1BA进行研究,通过实验和仿真分析了TVS器件的短路失效机理及其影响。研究表明,当TVS器件注入高压时,器件存在缺陷的SiO2层会发生自愈性击穿。当器件的pn结发生击穿时,器件将失效。如果两个pn结都被击穿,器件的I-V曲线表现为电阻特性。当TVS器件出现损伤后,器件仍具有箝位作用,且其表现的箝位电压更低,但由于器件的漏电流发生较大的增长,将影响被保护电路的正常工作。     

GaN HEMT器件稳态热特性试验研究

大功率GaN HEMT器件在工作时较高的热流密度引发器件高温,而高温会显著影响器件性能及可靠性.从不同器件结构设计出发,结合器件热量传递理论,建立了器件热阻模型;采用高速红外热像仪试验分析了器件结构对GaN HEMT器件稳态热特性的影响,定量给出了不同总栅宽、不同单指栅宽、不同栅间距在不同功率密度下的稳态温升.相关结果...