离子注入条件对GaAsMESFET性能的影响

本文计算了注入条件对GaAsMESFET的影响,并报道了最终可得到的器件性能。将Si、Se和Be离子注入GaAs中,就其分布的大量研究结果引进GaAsMEsFET枝术的综合工艺和器件模型中。研究了注入能量对跨导的影响,注入分布和杂质对低栅偏置跨导的影响和退火期间杂质扩散,包封层厚度和栅槽深度对阈值电压均匀性的影响,以及采用Si_3N_4和SiO_2包封注入,受撞原子对阈值电压的影响。     

氮离子注入对GaAs肖特基势垒性能影响的研究

本文利用离子注入方法,用不同剂量的氮离子对GaAs衬底进行注入实验。结果表明,氮注入明显地改善了Ti/n-GaAs肖特基势垒特性。     

轮胎磨损对汽车制动性能的影响研究

随着社会的快速发展,我国汽车总量快速增加,汽车轮胎的新旧程度对汽车制动性能有一定的影响,汽车制动性能的好坏对安全驾驶有着重要的影响,对人们的生命财产安全有直接的影响。本文的主要内容就是相关因素对汽车制动性能的影响,本文以全新汽车轮胎与旧轮胎作为研究变量,对汽车轮胎的磨损程度对汽车制动的性能发影响进行相关性研究分析,试验结果表明：有新轮胎的汽车制动效果要明显优于使用旧轮胎的汽车,使用新轮胎的汽车制动距离短,制动减速度大,这说明汽车轮胎的磨损对汽车制动性能有很大的影响,对安全驾驶有一定的威胁。     

用离子注入制造性能优良的砷化镓场效应晶体管

北美砷化镓会议录论文集中的“用硒离子注入制造砷化镓场效应晶体管”这篇文章介绍了罗克韦尔国际科学中心采用离子注入技术取代外延生长技术形成有源层,制造出接近于理论特性的低噪声砷化镓场效应晶体管。对于栅长0.9微米的器件,论证了增益与频率的特性。结果表明,最大振荡频率超过50千兆赫。在10千兆赫下,典型噪声系数为3.5分贝,而增益为7分贝。经挑选,有些器件,在10千兆赫下,噪声系数可低达3.3分贝,而最大可用增益为11.5分贝左右。J.A.Higgins 等人宣称“对于相同几何图形的 FET,1976年 Hewitt 等人计算出了噪声系数的最佳值为3.5分贝,这就证明离子注入的晶体管与理论预计的特性相符。”     

离子注入对插入损耗和隔离度影响的研究

基于一个典型的013 μm绝缘体上硅,射频开关电路工艺流程,分析了离子掺杂工艺流程对射频开关导通电阻Ron和关断电容Coff的影响。通过N型MOS管的浅掺杂注入后热退火温度和N型MOS管浅掺杂能量的分批实验,证实了退火温度可影响射频开关的导通电阻和关断电容。进一步实验结果显示,浅掺杂注入的砷（As）和磷（P）注入的剂量是主导因素,各自对导通电阻和关断电容值的影响均为线性且趋势相反,为基于013 μm SOI的射频开关性能的优化提供了依据。     

退火对N离子注入ZnO:Al薄膜性能的影响

利用溶胶-凝胶法在(0001)Al2O3衬底上制备了Al/Zn原子比为1%的ZnO:Al薄膜,将能量56keV、剂量1×1017ions/cm2的N离子注入到薄膜中.离子注入后,样品在500～900℃氮气气氛中退火,利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、透射谱和四探针研究了退火温度对薄膜性能的影响.结果显示,在800℃以下退火,随退火温度提高,薄膜结晶性能逐渐变好;在600℃以上退火,随退火温度提高,紫外近带边发光峰(NBE)和缺陷相关的深能级可见光发光带都逐渐增强;600℃退火时,样品的电阻率仅为83Ω·cm.     

超大对离子注入技术的要求

本文从超大规模集成电路(以下简称超大)的特点和当前离子注入技术的一些具体情况出发,论述一些离子注入技术急需解决和有待解决的问题。     

锑化铟离子注入退火技术研究

对锑化铟（InSb）铍离子（Be+）注入后的快速退火技术进行了研究,并对不同退火温度和时间的晶片进行了工艺实验,通过测试其PN结I-V特性,对比了不同快速退火条件对PN结特性的影响,确定在一定快速热退火条件下可以获得高质量的PN结,并对试验结果进行了分析。     

用离子注入技术生产半导体力敏器件

半导体力敏器件是半导体器件中的一种新型器件,它为半导体器件的应用领域打开了一个新的天地.目前国内外都有相当的研究,国外已经商品化;而国内正处研制阶段.虽然有许多研制报告,但是由于工艺上的不成熟,使得产品质量、成品率都较差,成本较高,商品化有困难.     

选择离子注入集电极技术研究

为提高超高速双极晶体管的电流增益 ,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响 ,将选择离子注入集电区技术 (SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中。扩展电阻的测试结果显示出注入的 P离子基本上集中在集电区的位置 ,对发射区和基区未造成显著影响。电学特性测量结果表明 ,经过离子注入的多晶硅发射极晶体管的电流增益和最大电流增益对应的集电极电流明显高于未经离子注入的晶体管。因此 ,在双层多晶硅晶体管中采用 SIC技术 ,有效地降低了基区的扩展效应 ,提高了器件的电学特性。     

离子注入机的EMC技术研究

本文在理论联系实际的基础上就离子注入机的电磁兼容性(EMC)问题进行了初步的研究。分析了离子注入机中的噪声干扰状况;提出了离子注入机中几个实际的噪声干扰模型;比较系统地介绍了离子注入机中常用的EMC技术及其实施措施。     

手机用GaAs SPDT开关的全离子注入技术

对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的 Ga As全离子注入技术进行了实验比较和讨论 ,认为 76mmGa As圆片经光片注入 Si离子后包封 40 nm Si O2 +60 nm Si N进行快速退火再进行 B离子注入隔离和器件制作的工艺方法先进、工艺简便、表面物理性能好、产品成本低、重复性和均匀性好、成品率高及器件性能优良。     

批量生产用的离子注入器

英国原子能研究所设计并制造了一种批量生产用的离子注入器。它由产生和形成离子束的大电流同位素分离器和特别设计的靶箱组成。该注入器在一小时内能掺杂30片2时或150片1时的片子,剂量为5 × 10~(15)离子/厘米~2;均匀度为±1％。离子分离器由最大能量为40,000电子伏的离子源以及形成束和聚束的磁铁组成。束通过     

用离子注入和掩埋金属自对准技术改善Si/SiGe HBT性能

在器件纵向结构确定后,常规工艺制作的SiGe／SiHBT噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,高频性能不理想主要是由于其基极和发射极台面面积较大造成的;为达到改善其高频与低噪声性能的目的,在不改变光刻工艺精度的情况下,采用离子注入和掩埋金属自对准工艺方法完成了器件制作;与传统制作方法相比,前者可减小外基区电阻,后者可以减小电极接触电阻,并能使器件的台面面积做得更小。在此基础上,我们测试了器件的最小噪声系数与最高截止频率,结果表明：用自对准工艺制作的器件的高频噪声与频率性能都显著改善。     

工艺参数对铍青铜微电阻点焊质量的影响

改变焊接电流、焊件表面粗糙度及电极端面直径,对铍青铜微电阻点焊进行了研究,分析了工艺参数对接头拉剪力和焊核直径的影响.结果表明:电极端面直径为3.2 mm时获得的接头性能最好.随着电极端面直径的减小,接头性能降低.表面粗糙度较小时,获得的接头性能较好, 当表面粗糙度增加到某一值后,其对接头性能的影响不明显.     

用光谱法研究砷离子注入硅的退火

<正> 近年来,有一些工作研究用椭偏光法测定离子注入硅.这些都是在单一波长下进行测量的.但是,离子注入损伤只在样品表面一薄层内,即使均匀光吸收介质层(相当于高注入剂量情况),也有折射率n、消光系数k和层厚d待求.莫党等近来发展了一种测定离子注入硅的椭偏光谱法,测定各波长的椭偏参数,然后用分区法对均匀吸收介质层模型进行计算,不必用剖层法配合,可求出d和光学常数的色散关系.在此基础上     

Si离子注入对SIMOX SOI材料抗总剂量辐照性能的影响

为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力,采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料.辐照前后,用pseudo-MOSFET方法测试样品的ID-VG特性曲线.结果表明,合适的硅离子注入工艺能有效提高材料抗总剂量辐照的能力.     

Si离子注入对SIMOX SOI材料抗总剂量辐照性能的影响

为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力,采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料．辐照前后,用pseudo-MOSFET方法测试样品的ID-VG特性曲线．结果表明,合适的硅离子注入工艺能有效提高材料抗总剂量辐照的能力．     

镀铜石墨对机床导轨用锡基巴氏合金熔覆层组织及磨损性能的影响

为提高锡基巴氏合金的自润滑性能和耐磨性,将镀铜石墨(Cu-Gr)粉与锡基巴氏合金粉末混合,采用激光熔覆的方法在20钢基体表面制备锡基巴氏合金自润滑复合熔覆层。结果表明,激光熔覆后,通过铜包裹的石墨在复合熔覆层中仍以单质的形式存在;Cu-Gr/巴氏合金复合熔覆层均匀致密,表面无裂纹、气孔等缺陷。熔覆层主要由α-Sn固溶体相、硬质点相SnSb和Cu₆Sn₅相组成。由于镀铜石墨的添加,复合熔覆层的组织明显细化。复合熔覆层的显微硬度约为43.19 HV,相较于巴氏合金熔覆层提高了27%。由于显微硬度的增加和石墨的自润滑性能,复合熔覆层的摩擦系数和磨损率均有下降,分别为0.359和1.36×10^-6 mm/(N^-1·m^-1)。Cu-Gr的添加能有效改善巴氏合金的自润滑性能和耐磨性能。