多晶硅薄膜晶体管寻址的全色液晶显示器

用激光诱导非晶硅结晶,以450℃的最高加工温度制成了多晶硅薄膜晶体管。薄膜晶体管具有迁移率高(50cm~2/V·s)阈值电压低(2V)、关断电流低(10~(-12)A)和可靠性高的特性。同时也介绍了用这种多晶硅薄膜晶体管寻址的3.5英寸的全色液晶显示器。     

对低温多晶硅液晶显示器市场的评估

低成本高性能显示器是一项长期的技术挑战。由于低温多晶硅技术有很多优点，可制造高性能的薄膜晶体管，从而能得到高清晰度高亮度和低功耗的显示器。本文通过对液晶显示器市场的分析，展望低温多晶硅技术的应用前景。同时对低温多晶硅与非晶硅作了成本对比。     

周边集成AMLCD的信号失真的和缓冲寄存器TFT尺寸计算

建立了有源矩阵液晶显示器中周边驱动缓冲寄存器的等效电路模型。利用ＴＦＴ的线性近似和Ｅｍｏｒｅ模型，计算了周边驱动电路中的信号失真，讨论了栅延迟与栅电极材料的叛乱级对ＴＦＴ开态电阻的要求。     

多晶硅TFT的发展与应用

多晶硅TFT具有优良的电学性能，在显示中能够提供更亮、更精细的画面，被视为非晶硅TFT的理想替代品而被广泛地研究。本文主要评述非晶硅的晶化机理和主要研究结构，并简要介绍其应用。     

多晶硅有源矩阵液晶显示器

本文首先就用来制造有源矩阵液晶显示器的非晶硅和多晶硅材料作了性能比较,然后描述了多晶硅薄膜晶体管阵列的制造方法,以及在制造方法上取得的进展。     

多晶硅TFT模型的研究进展

全面介绍了多晶硅薄膜晶体管(TFT)紧凑模型的现状和应用前景,简单说明了多晶硅TFT特有的电学特性,这是多晶硅TFT建模的基础,重点介绍了基于阈值电压和基于表面势的多晶硅TFT紧凑模型的研究进展,并对这些模型进行了评述,其中RPI模型是基于阈值电压的TFT模型的典范.虽然TFT模型已经有所发展,但成熟度还远远不够.最后提出了改进多晶硅TFT模型的方向和策略,包括二维器件模拟的应用、基于表面势模型的发展、多晶硅材料特性的应用、统一模型的发展、短沟效应的建模和参数提取等.     

彩色薄膜晶体管液晶显示器（TFT—LCD）基本原理与动态

概述了薄膜晶体管液晶显示器基本结构与原理。着重分析比较非晶硅与多晶硅薄膜晶体管的工艺，成本的区别。提出了应大力发展低温多晶硅薄膜晶体管技术，以适应下世纪大屏幕高清晰度液晶显示终端的需求。     

Poly—Si TFT制备工艺

在有源矩阵液晶显示中，目前倍受重视的应数多晶硅有源矩阵液晶显示技术，本文较详细地给出了高温多晶硅薄膜晶体管的制备工艺及其特性，并分析讨论了制备条件对多晶硅薄膜晶体管各种参数的影响。     

TFT AMLCD视频系统驱动电路

介绍了TFT AMLCD视频系统的构成和驱动方式，具体分析了有源矩阵液晶显示的模拟驱动电路，以及其中参数的选择和需要注意的问题。     

液晶显示用 a-Si TFT 有源矩阵制作技术

本文通过对液晶显示用α-Si TFT 的工作原理、工作特性分析,讨论了α-Si TFT 有源矩阵结构设计和汇线电阻、电容对α-Si TFT-LCD 的影响。介绍了α-Si TFT 有源矩阵的制作工艺。     

液晶TFT有源矩阵单元性能分析

本文详细分析液晶薄膜晶体管(TFT)有源矩阵单元性能.其中包括薄膜晶体管单元结构特性和液晶单元电容充放电物理过程。通过分析,推导出有用的计算公式。这些结果对实际工作具有指导作用。     

TFT有源矩阵液晶显示系统设计

本文论述了ＴＦＴ有源矩阵液晶显示系统的设计原理，包括驱动电路（专用ＣＭＯＳ电路ＢＤＤ１００１，ＢＤＤ２００１）和控制电路（同步信号发生电路，图像信号产生电路和背电极电路），实现计算机模拟电视信号驱动液晶显示系统。     

液晶显示技术的进展

通过实地考察,介绍美国、日本和欧洲的液晶显示技术,着重叙述有源矩阵液晶显示技术、制备关键工艺、新型液晶显示器件的并发以及夏普公司在LCD领域中的领先水平。     

a—Si：H TFT自对准工艺的研究

实验研究了自对准结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的制备工艺，对其中关键的底部曝光和顶胶工艺进行了详细的研究和分析，对制备工艺和结构参数进行了合理的优化，成功地制备出自对准结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ。对影响自对准结构ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ特性的主要因素进行了详细的分析，提出了一种新颖的双有源层结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ，可以有效地改善ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的开态特性，其通断电流比ＩＯＮ／ＩＯＦＦ〉１０＾５。     

TFT用掩模版与TFT-LCD阵列工艺

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业经过20年的发展,其规模已经远远超出10年前的预想,技术发展也呈现出加速进步的趋势.各种新一代光刻技术的出现显著提升了掩模版的制作精度,对其市场价格也造成了不小的冲击.在TFT-LCD阵列基板制造方面,4掩模版光刻工艺技术逐渐成为当今主流,而3掩模版光刻工艺因其技术难度大、良品率低,目前还掌握在少数几家TFT-LCD厂商手中.通过对掩模版的国内外市场行情、技术进展以及掩模版数目与TFT-LCD阵列工艺的关系作全面的阐述,指出加强TFT-LCD掩模版等配套材料的自主研发、采用更加先进的制造技术是简化生产工艺、降低生产成本的有效手段,也是我国TFT-LCD产业下一步努力发展的方向.     

彩色薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)基本原理与动态

概述了薄膜晶体管液晶显示器基本结构与原理。着重分析比较非晶硅与多晶硅薄膜晶体管的工艺、成本的区别。提出了应大力发展低温多晶硅薄膜晶体管技术，以适应下世纪大屏幕高清晰度液晶显示终端的需求。     

薄膜晶体管及其在有源矩阵液晶显示中的应用

薄膜晶体管(TFT)是众多场效应晶体管(FET)中的一种。PC机及监视器等高清晰度液晶显示(LCD)中的TFT以有源矩阵的形式应用在点阵驱动的有源矩阵液晶显示器(AMLCD)中。作为开关器件，AMLCD中的TFT工作在饱和模式，其源极总是连接数据总线(视频)，漏极接像素电极。其结构为交错／反交错和共面／反共面两种基本类型。TFT的主要工艺与IC技术兼容，半导体层所用的材料主要是a—Si。     

一种确定多晶硅薄膜禁带中态密度的数值积分方法

本文提出了一种数值积分方法，通过这种方法结合热激发场效应电导法可以推导薄膜晶体管的多晶硅材料禁带中的态密度，根据这种方法。我们研究了氢等离子本处理对多 硅薄膜晶体管木材禁态密度的影响。